技术特征：
技术总结
本发明涉及一种功率晶体管及其制造方法。所述功率晶体管的元胞结构包括第一导电类型的衬底、所述衬底上的第二导电类型的阱区、所述阱区内的第一导电类型的源极区、以及所述阱区上方的栅极，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；其特征在于，所述元胞结构还包括将所述阱区至少部分包裹的空穴电流阻碍区，所述空穴电流阻碍区为第二导电类型、且掺杂浓度小于所述阱区的掺杂浓度，所述空穴电流阻碍区从一所述栅极的下方延伸至所述栅极的相邻栅极的下方。本发明能够提高功率晶体管的雪崩耐量，在不影响器件常规参数的同时提高了器件在感性负载环境下工作的可靠性。
技术研发人员：李学会
受保护的技术使用者：深圳深爱半导体股份有限公司
技术研发日：2017.02.21
技术公布日：2017.07.04