技术特征：
技术总结
本申请实施例公开了一种存储器结构及其制备方法，在该存储器结构中至少部分所述导电凸块、所述TAC、所述第一通孔、所述第二通孔、所述第一金属图案层上的金属图案以及所述字线连接之间形成电连接；和/或；至少部分所述导电凸块、所述TAC、所述第一通孔、所述第二通孔、所述第一金属图案层上的金属图案以及所述位线连接之间形成电连接。如此，测试信号能够在上述电连接的结构之间进行传输，因此，利用上述电连接的结构能够对存储器结构进行测试。基于此，本申请实施例还公开了一种存储器结构的测试方法。
技术研发人员：金钟俊;潘锋;李钟硕;吕震宇;李勇娜;宋立东;金允哲;杨伟毅;杨士宁
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2017.03.08
技术公布日：2017.07.04