技术特征：
技术总结
本发明提供一种存储单元的制造方法、存储单元及存储器，通过提供具有字线的衬底；形成栅电极；形成功函数层，其长度方向与字线成第一角度；沉积有源层；形成侧墙；形成漏电极以及位线，位线与有源层延伸方向成第二角度、与字线成第三角度；形成位线的保护层；形成多介质层；刻蚀多介质层，形成阶梯状电容沟槽，并形成电容以及上电极。本发明中晶体管的隆起道区沿着功函数层的侧面和顶面分布，形成垂直沟道的晶体管结构，有效抑制短沟道效应，使得晶体管能够在工艺微缩情况下具有良好性能；电容采用了阶梯状沟槽进行制备，具有双层介质层，有效增大电容的面积，进而提高电容量；另外，该存储单元中的重复单元占用面积能够达到4F2，具有高集成度。
技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：睿力集成电路有限公司
技术研发日：2017.04.28
技术公布日：2017.10.20