技术特征：
技术总结
本发明提供了一种无掺杂钙钛矿太阳电池的制备方法，属于太阳电池技术领域，该方法在导电衬底S上依次制备电子传输层E、钙钛矿有源层材料P、空穴传输层材料H、透明导电薄膜T以及金属电极M。利用无掺杂空穴(电子)传输层与钙钛矿有源层之间的功函数之差形成界面反型层，产生空穴(电子)选择收集的效果。上述钙钛矿太阳电池不涉及掺杂工艺，且H与T皆具有高透过、低寄生光吸收的特性，可有效降低器件缺陷态密度、提升器件稳定性与光谱相应，且制备方法简单，易于实施。
技术研发人员：王奉友;杨丽丽;杨景海;隋瑛锐
受保护的技术使用者：吉林师范大学
技术研发日：2017.05.03
技术公布日：2017.09.05