本发明涉及引线框架技术领域,尤其涉及一种新型整流桥的引线框架。
背景技术:
用量非常大,年需求量在500亿只左右,由于原来的设计采用5片式结构,每组框架只能生产50只产品,具有生产效率低下、一致性差等不足,新近出现的矩阵式2片式结构由于不能克服原材料应力的不利影响,致使一般长度不超过200mm,单条总数量不超过180个单元产品,由于生产效率低,占用设备多,能量消耗大造成了材料和劳动力成本高,严重制约该封装形式产品的产量。
技术实现要素:
本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种新型整流桥的引线框架。
为了实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:
一种新型整流桥的引线框架,包括框架本体、中筋和芯片承载导片,所述中筋固定安装在框架本体上,所述芯片承载导片呈矩阵式与中筋固定连接,所述芯片承载导片上设置有导槽,并通过导槽安装有芯片,所述芯片上设置有引脚,所述引脚对应导槽设置有导柱,所述芯片通过导柱与导槽固定连接。
优选地,所述框架本体包括上引流框架和下引流框架,所述上引流框架和下引流框架之间通过连板固定连接。提高本装置依次封装产品的数量,提高生产效益。
优选地,所述框架本体上设置有支撑板,且支撑板通过胶柱与框架本体的端部固定连接。提高框架本体在对产品封装时,框架本体上的产品不被破坏,提高本装置封装的效率及产品的生产良率。
优选地,所述芯片承载导片呈z状设置,所述芯片与引脚之间呈倒z状设置,所述引脚与芯片承载导片贴合设置。对芯片安装在芯片承载导片上时,将引脚通过导柱与芯片承载导片上的导槽固定卡接,并将引脚与芯片贴合设置,提高本装置生产效率的同时提高芯片与芯片承载导片连接的稳定性。
优选地,所述导槽与导柱通过锡膏融合,且锡膏呈包覆状对导槽和导柱导电连接。芯片通过导柱与导槽卡接后,锡膏对芯片固定粘附,再经过烧结、塑封、电镀以及分离等工序得到半导体整流桥器件。
本发明中,芯片安装在芯片承载导片上时,将引脚通过导柱与芯片承载导片上的导槽固定卡接,并将引脚与芯片贴合设置,芯片通过导柱与导槽卡接后,锡膏对芯片固定粘附,再经过烧结、塑封、电镀以及分离等工序得到半导体整流桥器件,对框架本体上的产品封装时,支撑板通过胶柱对框架本体上的产品保护,使其不被破坏。该新型整流桥的引线框架,能源消耗低,便于安装,有效提高产品的生产率,提高产品的封装质量。
附图说明
图1为本发明提出的一种新型整流桥的引线框架的结构示意图;
图2为本发明提出的一种新型整流桥的引线框架的芯片安装结构示意图。
图中:1框架本体;11上引流框架;12下引流框架;121连板;13支撑板;131胶柱;2中筋;3芯片承载导片;31导槽;32芯片;33引脚;331导柱;34锡膏。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。
参照图1-2,一种新型整流桥的引线框架,包括框架本体1、中筋2和芯片承载导片3,所述框架本体1包括上引流框架11和下引流框架12,所述上引流框架11和下引流12之间通过连板121固定连接。提高本装置依次封装产品的数量,提高生产效益。所述框架本体1上设置有支撑板13,且支撑板13通过胶柱131与框架本体1的端部固定连接。提高框架本体1在对产品封装时,框架本体1上的产品不被破坏,提高本装置封装的效率及产品的生产良率。所述中筋2固定安装在框架本体1上,所述芯片承载导片3呈矩阵式与中筋2固定连接,所述芯片承载导片3上设置有导槽31,并通过导槽31安装有芯片32,所述芯片32上设置有引脚33,所述引脚33对应导槽31设置有导柱331,所述芯片32通过导柱331与导槽31固定连接。所述芯片承载导片3呈z状设置,所述芯片32与引脚33之间呈倒z状设置,所述引脚33与芯片承载导片3贴合设置。对芯片32安装在芯片承载导片3上时,将引脚33通过导柱331与芯片承载导片3上的导槽31固定卡接,并将引脚33与芯片32贴合设置,提高本装置生产效率的同时提高芯片32与芯片承载导片3连接的稳定性。所述导槽31与导柱331通过锡膏34融合,且锡膏34呈包覆状对导槽31和导柱331导电连接。芯片32通过导柱331与导槽31卡接后,锡膏34对芯片32固定粘附,再经过烧结、塑封、电镀以及分离等工序得到半导体整流桥器件。
本发明中,芯片32安装在芯片承载导片3上时,将引脚33通过导柱331与芯片承载导片3上的导槽31固定卡接,并将引脚33与芯片32贴合设置,芯片32通过导柱331与导槽31卡接后,锡膏34对芯片32固定粘附,再经过烧结、塑封、电镀以及分离等工序得到半导体整流桥器件,对框架本体1上的产品封装时,支撑板13通过胶柱131对框架本体1上的产品保护,使其不被破坏。
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本发明的保护范围之内。