半导体器件的制作方法

技术特征：

技术总结
本发明提供一种半导体器件，包括：半导体层，其具有包含p型源极区域、p型漏极区域、所述p型源极区域与所述p型漏极区域之间的n型基体区域、和与所述n型基体区域相对的栅极电极的晶体管结构；设置于所述半导体层的恒压二极管，具有与所述p型源极区域连接的n型部和与所述栅极电极连接的p型部，所述晶体管结构和所述恒压二极管被做成一个芯片。

技术研发人员：那须贤太郎
受保护的技术使用者：罗姆股份有限公司
技术研发日：2017.05.18
技术公布日：2017.11.28