技术特征：
技术总结
本发明公开了一种阵列基板及其制备方法。该制备方法包括在一阵列基板上形成数据线、石墨烯源极以及栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成扫描线和栅极；在所述数据线、扫描线和栅极上形成钝化层，并对所述石墨烯源极进行离子注入，以将部分所述石墨烯源极转换为半导体有源层；在所述半导体有源层及所述钝化层上分别形成漏极和ITO像素电极。通过上述方式，利用石墨烯制备石墨烯源极以及半导体有源层，能够利用石墨烯高导电率的特性，提高阵列基板中导电效率。
技术研发人员：周志超
受保护的技术使用者：深圳市华星光电技术有限公司
技术研发日：2017.05.22
技术公布日：2017.09.12