技术特征：
技术总结
本发明提供一种低温多晶硅TFT基板及其制作方法。该制作方法包括：在基板上依次形成遮光部、缓冲层及岛状多晶硅部，对岛状多晶硅部两侧进行离子轻掺杂，形成掺杂区和沟道区；依次形成栅极绝缘层和栅极，栅极覆盖沟道区且其两端均超出沟道区的两端一段距离并覆盖部分掺杂区；对未被栅极覆盖的掺杂区进行离子重掺杂，形成N型重掺杂区和N型轻掺杂区；在栅极上形成层间绝缘层，及与N型重掺杂区电连接的源漏极。该方案可通过栅极电压控制轻掺杂区的阻抗变化，以有效抑制N‑TFT产生翘曲效应，提升器件的工作特性。
技术研发人员：王涛
受保护的技术使用者：武汉华星光电技术有限公司
技术研发日：2017.06.02
技术公布日：2017.08.15