一种OLED器件及制造方法与流程

本发明是应用于液晶显示领域里的一种oled器件及制造方法。

背景技术：

有机发光器件oled(organiclightemittingdiode)以其良好的自发光特性、高的对比度、快速响应以及柔性显示等优势，得到了广泛的应用。传统的oled采用真空蒸镀技术，目前可实现量产化。但是该技术需要采用精细掩模版，导致材料利用率低；另外，如果对于大尺寸面板，掩模版的制备工艺饱受挑战。近些年，印刷显示技术(喷墨打印，inkjetprinting，ijp)发展迅速。ijp是oled实现大尺寸以及低成本生产的最佳途径。

采用ijp制备oled，需要对像素定义层以及衬底电极进行修饰，使得喷墨能够准确落入像素内，并且无溢流现象发生。现有技术中，对喷墨的液滴在不同截面的流动铺展情况进行探究，对衬底进行亲疏水性图案化，液滴在一定着落速度下，会流向亲水界面，具有形成轨迹结构(tracepatten)的功能。因此，可以对喷墨接触的衬底电极以及像素定义层表面进行亲疏水图案化(衬底电极为ito，亲水性表面；像素定义层为疏水性表面)，使得喷墨流向像素内。

在oled器件制备过程中，为了使得封装盖板在外力撞击时不对oled器件(比如阴极，偏振镜等)造成损伤，使得整个器件有一定的抗压能力，现有技术通常会在tft基板上制作多个ps(photospacer，支撑柱)。支撑柱还有另外一个作用，即保持大尺寸面板盒厚均一性，避免牛顿环出现。

喷墨打印制备的oled所采用的基板像素定义层表面为疏水性，而支撑柱一般为有机光阻，在疏水性表面铺展不开；一般情况会将支撑柱做在盖板上，这样就对设备的对位精度有很高的要求，且不易实施。

技术实现要素：

为了解决上述问题，本发明用喷嘴打印的方式将支撑柱制作在oled阴极的保护层保持大尺寸面板盒厚均一性，避免牛顿环出现。

一种oled器件，包括：tft基板、涂布区、封框胶、盖板以及支撑柱；

其中，所述涂布区位于tft基板中央，封框胶设置在涂布区四周，盖板设置在涂布区和封框胶上，支撑柱用于支撑盖板设置在涂布区上表面。

所述的oled器件，其中，涂布区包括多个相互间隔设置的像素定义层和衬底电极层，每个衬底电极层表面覆盖有机半导体层，所述有机半导体层和像素电极层上由下至上依次覆盖有阴极导电层和保护层，所述保护层位于每个像素定义层中央的上表面设置支撑柱。

所述的oled器件，其中，所述像素定义层靠近有机半导体层的表面具有疏水特性。

所述的oled器件，其中，所述衬底电极层靠近有机半导体层的表面具有亲水性。

所述的oled器件，其中，所述支撑柱为有机高分子聚合物，所述有机高分子聚合物为高粘度聚合物。

所述的oled器件，其中，所述高粘度聚合物的粘度为200pa·s～2000pa·s。

所述的oled器件，其中，所述支撑柱的高度为2～20μm；宽度为1～100μm。

一种oled器件的制造方法包括以下步骤：

步骤一、在tft基板中央形成衬底电极层，并对衬底电极层表面进行亲水性处理；

步骤二、在tft基板上形成像素电极层，并对像素电极层的表面形成疏水性处理；

步骤三、在衬底电极层上设置有机半导体层；

步骤四、在所述像素电极层和有机半导体层表面设置阴极层；

步骤五、在所述阴极层表面设置保护层；

步骤六、在保护层位于像素定义层中央的上表面设置支撑柱；

步骤七、在tft基板四周涂布封框胶，将盖板盖至涂布区上完成封装。

所述的oled器件的制造方法，其中，所述有机半导体层包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层，其中空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层至少由一个采用喷墨打印方法制备。

所述的oled器件的制造方法，其中，所述支撑柱采用喷嘴挤出uv胶的方法涂布在所述保护层位于像素定义层中央的上表面上，涂布同时进行固化，形成支撑柱。

本发明具有以下优点：采用喷嘴打印的方式将支撑柱设置在oled阴极的保护层上面，制备方法简单易行。

附图说明

在下文中将基于实施例并参考附图来对本发明进行更详细的描述。其中：

图1是本发明oled器件的结构示意图。

图2是本发明oled器件制造方法流程示意图。

在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明作进一步说明。

如图1所示，为本发明oled器件结构示意图，所述的oled器件包括：tft基板1、涂布区10、封框胶9、盖板8以及支撑柱7；

其中，所述涂布区10位于tft基板中央，封框胶9设置在涂布区10四周，盖板8设置在涂布区10和封框胶9上，支撑柱7用于支撑盖板8设置在涂布区10上表面；将支撑柱设置在涂布区上表面，保持大尺寸面板盒厚均一性，避免牛顿环出现。避免了将支撑柱设置在盖板上造成的设备位精度有高，且不易实施的缺点。

其中，涂布区10包括多个相互间隔设置在tft基板1表面的像素定义层2和衬底电极层3，每个衬底电极层3表面覆盖有机半导体层4，所述有机半导体层4和像素定义层2上由下至上依次覆盖有阴极导电层5和保护层6，所述保护层6位于每个像素定义层2中央的上表面设置有用于支撑盖板8的支撑柱7。将支撑柱设置像素定义层2中央的上表面，保持大尺寸面板盒厚均一性，避免牛顿环出现。避免了将支撑柱设置在盖板上造成的设备位精度有高，且不易实施的缺点。

衬底电极经蚀刻后形成多个横截面为梯形且间隔相同的多个长方形衬底电极层3，所述每个衬底电极层3的横截面相同，梯形相对较小的底与tft基板接触。在每相邻两个衬底电极之间和衬底电极与tft基板边缘之间涂布光阻，形成像素定义层2，所述像素定义层2为横截面为梯形的结构。在所述衬底电极层3上表面形成有机半导体层4，所述有机半导体层4位于相邻两像素电极层2之间，所述像素电极层2的厚度大于有机半导体层4和衬底电极层3的厚度之和。所述有机半导体层4包括：空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层(图中未绘制出)，在所述像素定义层2和有机半导体层4上表面依次设置阴极电极层5和保护层6。所述的支撑柱的高度为2～20μm，支撑柱的宽度为2～100μm。

所述像素定义层2靠近阴极层5的表面具有疏水特性。

所述衬底电极层3靠近有机半导体层4的表面具有亲水性。

所述支撑柱7为有机高分子聚合物，所述有机高分子聚合物为高粘度聚合物。

所述高粘度聚合物的粘度为200pa·s～2000pa·s，所述的聚合物可以是亚克力或环氧树脂或聚二甲基氧烷等。

所述保护层为无机阻水层，其材质可以是氧化硅、氮化硅、三氧化二铝、二氧化钛、氧化锌或二氧化铈等。保护层可以采用等离子体增强化学汽相沉积、原子层沉积、真空喷镀的方式制成。

如图2所示，为本发明oled器件的制造方法，包括以下步骤：

步骤一、在tft基板上形成衬底电极，并对衬底电极层表面进行亲水性处理；所述衬底电极具有透明导电的特性，这里选择ito，形成ito之后对其表面进行亲水性处理，可以采取照适量uv光的方法，或者采取等离子体的方法，以及一切表面改性的方法。

步骤二、在tft基板上形成像素电极层，并对像素电极层的表面形成疏水性处理；所述光阻含有游离的f原子，曝光显影制程结束之后，f原子回到像素定义层表面，因此制备的像素定义层表面具有疏水性

步骤三、在衬底电极层上设置有机半导体层；

步骤四、在所述像素电极层和有机半导体层表面设置阴极层；即采用蒸镀的方法形成器件的阴极。

步骤五、在所述阴极层表面设置保护层；保护层可以采用等离子体增强化学汽相沉积、原子层沉积、真空喷镀的方式制成。

步骤六、在保护层位于像素定义层中央的上表面设置支撑柱；

步骤七、在tft基板四周涂布封框胶，将盖板盖至涂布区上完成封装。

所述有机半导体层包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层，其中空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层至少由一个采用喷墨打印方法制备。

所述支撑柱采用喷嘴挤出uv胶的方法涂布在所述保护层位于像素定义层中央的上表面上，涂布同时进行固化，形成支撑柱。

虽然已经参考优选实施例对本发明进行了描述，但在不脱离本发明的范围的情况下，可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本发明并不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。