技术总结
本发明提供了薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板及其制备方法。该方法包括：在衬底的一侧形成栅极；在衬底的一侧形成覆盖栅极的栅绝缘层；在栅绝缘层远离衬底的一侧形成有源层；在栅绝缘层远离衬底的一侧形成覆盖有源层的析氢层，并放置预定时间；去除析氢层的至少一部分；在未去除的所述析氢层远离衬底的一侧形成源极和漏极，或者去除全部所述析氢层后，在所述栅绝缘层和有源层远离衬底的一侧形成源极和漏极。由此，制备方法简便成熟，易于工业化生产，该方法中设置的析氢层的析氢能力可达到火山调控曲线的峰值附近，催化活性极高，且氢在界面处的扩散速率非常快，由此利用析氢层将有源层中的氢析出，降低有源层中的氢含量，进而提高薄膜晶体管的电学稳定性和显示效果，改善产品性能。
技术研发人员：刘宁;周斌;汪军;李广耀
受保护的技术使用者：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
文档号码：201710552613
技术研发日：2017.07.07
技术公布日：2017.09.15