技术特征：
技术总结
提供发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片，能够得到充分的亮度。一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，具有如下的工序：晶片准备工序，准备如下的晶片：该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在该层叠体层的正面上由互相交叉的多条分割预定线划分的各区域中分别形成有LED电路，其中，所述层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；透明基板准备工序，准备在整个面的区域内形成有多个贯通孔的透明基板；一体化工序，将晶片的背面粘贴在该透明基板的正面上而形成一体化晶片；以及分割工序，沿着该分割预定线将该晶片与该透明基板一起切断而将该一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
技术研发人员：冈村卓
受保护的技术使用者：株式会社迪思科
技术研发日：2017.07.25
技术公布日：2018.02.16