技术特征：
技术总结
本发明提供了半导体功率器件及其制备方法，该器件包括：衬底；位于衬底中，且靠近衬底的上表面设置的阱区；位于阱区中，且靠近衬底的上表面设置的源区；位于衬底的上表面的栅极氧化层；位于栅极氧化层的上表面的栅极；位于栅极的上表面的栅极保护层；位于栅极保护层的上表面的接触电极；位于源区、栅极氧化层、栅极、栅极保护层和接触电极之间的侧墙，该侧墙包括位于栅极氧化层上表面且覆盖栅极和栅极保护层侧壁的第一侧墙；位于源区上表面，且覆盖栅极氧化层、第一侧墙和接触电极侧壁、并与源区和接触电极电连接的第二侧墙，其中，第一侧墙由绝缘材料形成，第二侧墙由导电材料形成。该器件可实现较小元胞尺寸，较高稳定性，并且大大降低了源区接触电阻和导通时源区的长度。
技术研发人员：朱辉;肖秀光;吴海平
受保护的技术使用者：比亚迪股份有限公司
技术研发日：2017.07.26
技术公布日：2019.02.05