多驱动引脚集成电路结构及其形成方法与流程

本发明的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及多驱动引脚集成电路结构及其形成方法。

背景技术：

在许多集成电路(ic)中，网格提供了驱动引脚与远离驱动引脚的接收引脚之间的电连接。通常使用在驱动引脚和接收引脚之上的金属层来对网格进行布线以避免在驱动引脚和接收引脚之间的其他电路元件。

因为信号延迟和对电迁移的敏感性都受网格电阻的影响，所以有时使用比通过一组默认规则限定的那些宽度更宽的金属宽度来对网格进行布线，从而减少网格电阻。与根据那套默认规则布线的网格相比，这种网格元件的非默认规则(ndr)布线导致要求面积增大，特别是如果ndr布线应用于整个网格的情况下。

技术实现要素：

根据本发明的一个方面，提供了一种集成电路ic结构，包括：多个驱动引脚，所述多个驱动引脚中的每个驱动引脚均设置在驱动引脚层处并且定向在共同的驱动引脚方向上；多金属段层阵列，所述多金属段层阵列中的每层均包括定向在层方向上的两个平行的金属段，其中，所述多金属层段阵列中的最底层的层方向与所述驱动引脚方向垂直，和所述多金属段层阵列中的每个附加层的层方向均与直接位于所述多金属段层阵列的所述附加层下方的所述多金属段层阵列中的一层的层方向垂直；以及多个通孔阵列，所述多个通孔阵列中的每个通孔阵列均包括两个通孔，所述两个通孔设置在所述多金属段层阵列中的相应覆盖层的一个或多个金属段与以下的一个或多个重叠的位置处：所述多金属段层阵列中直接位于所述通孔阵列下方的一层中的两个金属段，和所述多个驱动引脚。

根据本发明的另一方面，提供了一种集成电路ic结构，包括：第一多个驱动引脚和第二多个驱动引脚，所述第一多个驱动引脚中的每个驱动引脚和所述第二多个驱动引脚中的每个驱动引脚均设置在驱动引脚层处并且定向在共同的驱动引脚方向上；多金属段层阵列，所述多金属段层阵列中的每一层均包括第一金属段阵列和第二金属段阵列，所述金属段阵列中的每个金属段阵列均包括定向在层方向上的两个平行的金属段；其中，所述多金属段层阵列中的最底层的层方向与所述驱动引脚方向垂直，和所述多金属段层阵列中的每个附加层的层方向与直接位于所述多金属段层阵列的所述附加层下方的所述多金属段层阵列中的一层的层方向垂直；第一多个通孔阵列，所述第一多个通孔阵列中的每个通孔阵列均包括两个通孔，所述两个通孔设置在与所述多金属段层阵列中的相应的覆盖层的所述第一金属段阵列中的一个或多个金属段与以下的一个或多个重叠的位置处：所述多金属段层阵列中的直接位于所述第一多个通孔阵列中的通孔阵列下方的层中的所述第一多个金属段阵列中的两个金属段，和所述第一多个驱动引脚；以及第二多个通孔阵列，所述第二多个通孔阵列中的每个通孔阵列均包括两个通孔，所述两个通孔设置在所述多金属段层阵列中的所述相应的覆盖层的所述第二金属段阵列中的一个或多个金属段与以下的一个或多个重叠的位置处：所述多金属段层阵列中直接位于所述第二多个通孔阵列中的所述通孔阵列下方的层中的所述第二金属段阵列中的两个金属段，和所述第二多个驱动引脚。

根据本发明的又一方面，提供了一种形成集成电路结构的方法，所述方法包括：在第一驱动引脚和第二驱动引脚上方形成第一通孔阵列，所述第一驱动引脚和所述第二驱动引脚平行地设置在驱动引脚层处，其中，所述第一通孔阵列包括与所述第一驱动引脚接触的第一多个通孔，以及与所述第二驱动引脚接触的第二多个通孔；在所述第一通孔阵列上方形成第一多个金属段，其中，所述第一多个金属段中的每个金属段定向为与所述第一驱动引脚和所述第二驱动引脚垂直并且接触所述第一多个通孔中的通孔和所述第二多个通孔中的通孔；在所述第一多个金属段上方形成第二通孔阵列，其中，所述第二通孔阵列中的每个通孔均接触所述第一多个金属段中的金属段；在所述第二通孔阵列上方形成第二多个金属段，其中，所述第二多个金属段中的每个金属段均定向为与所述第一多个金属段中的金属段垂直并且接触所述第二通孔阵列中的多个通孔；在比所述第二多个金属段的层更高的顶层处形成第一对顶层通孔；以及在所述第一对顶层通孔之上形成第一布线线路，所述第一布线线路与所述第一对顶层通孔接触，从而建立从所述第一布线线路至所述第一驱动引脚和所述第二驱动引脚的电连接，其中，形成所述第一多个金属段中的每一金属段和所述第二多个金属段中的每一金属段包括根据一组默认规则形成金属段，以及形成所述第一布线线路包括形成具有大于由所述一组默认规则限定的宽度的宽度的所述第一布线线路。

附图说明

本发明的一个或多个实施例的细节在以下附图和描述中进行陈述。根据说明书、附图和权利要求书，其他特征和优点是明显的

图1a和1b是根据一些实施例的单元的图。

图2a和2b是根据一些实施例的单元的图。

图3是根据一些实施例的ic结构的图。

图4a和4b是根据一些实施例的ic结构的图。

图5是根据一些实施例的网格结构的图。

图6是根据一些实施例的ic结构的图。

图7是根据一些实施例的ic结构的图。

图8是根据一些实施例的形成ic结构的方法的流程图。

图9是计算机或基于处理器的系统的功能框图，至少一个实施例基于或通过该系统来实施。

不同附图中的相同的参考标号指代相同的元件。

具体实施方式

下文详细公开了附图中示出的实施例或实例。当然，这些仅是实例并不旨在限制。在所公开的实施例中的任何更好或修改以及在本文件中公开的原理的任何进一步应用被认为对本领域普通技术人员来说通常会发生。

在各种实施例中，至少一个多个驱动引脚通过金属段和通孔的网孔阵列在相邻层的金属段重叠的地方电连接ic网格结构。网格阵列配置允许使用相对较低阻抗的网格结构将多个驱动引脚与接收引脚电连接，网格结构包括具有基于一组默认规则的宽度的金属段。

图1a和1b是根据一些实施例的单元100的示意图。图1a是基于单元100的顶视或者平面视图的示意图。图1b是基于单元100沿线a-a’的截面视图的示意图。单元100包括驱动引脚(pin)110、驱动引脚120、接收引脚130、电介质140、一个或多个功能电路元件160以及功能电路连接件170。驱动引脚方向150和与驱动引脚方向150垂直的对准方向155在图1a中示出。

如图1b所示，驱动引脚110和120、接收引脚130和电介质140设置在驱动引脚层(level)180，以及一个或多个功能电路元件160和功能电路元件170设置在驱动引脚层180下方的功能电路层190。

驱动引脚层180是ic设置在衬底(未示出)之上以及一个或多个互连层之下的部分。驱动引脚层180包括被配置为提供衬底与上覆的金属互连件之间的电连接的一个或多个金属层以及一个或多个介电层。在一些实施例中，驱动引脚层180包括一个或多个通孔层。在一些实施例中，驱动引脚层180包括ic工艺中的金属1层。在一些实施例中，驱动引脚层180包括ic工艺中的金属2层。

功能电路层190是ic中包括衬底以及形成在衬底上和/或内的部分并且被配置为形成功能器件。功能电路层190包括一个或多个导电层和一个或多个介电层。一个或多个导电层包括金属层和多晶硅层中的一个或多个。

在一些实施例中，单元100是ic(未示出)的模块化部件。在一些实施例中，单元100表示ic在驱动引脚层180具有驱动引脚110和120的另一部分。

驱动引脚110和驱动引脚120是平行设置在驱动引脚层180且定向在驱动引脚方向150上的导线段。驱动引脚110包括第一端点112和第二端点114，以及驱动引脚120包括第一端点122和第二端点124。在一些实施例中，端点112和122在对准方向155上互相对准。在一些实施例中，端点114和124在对准方向155上互相对准。在一些实施例中，端点112与122或者端点114与124都没有在对准方向155上互相对准。

驱动引脚110和驱动引脚120也被描述为多个驱动引脚。在一些实施例中，多个驱动引脚仅包括驱动引脚110和驱动引脚120。在一些实施例中，多个驱动引脚还包括除驱动引脚110和驱动引脚120之外的一个或多个驱动引脚(未示出)。

驱动引脚110和驱动引脚120中的每一个均包括通过物理汽相沉积工艺、化学汽相沉积工艺、镀法工艺和其他合适工艺中的一种或多种形成在一个或多个金属化层中的导电材料，诸如金属、金属复合材料或者其他合适的材料。

接收引脚130是定向在驱动引脚150方向上的导线段。在一些实施例中，接收引脚130定向在对准方向155上。接收引脚130包括通过物理汽相沉积工艺、化学汽相沉积工艺、镀法工艺和其他合适工艺中的一种或多种形成在一个或多个金属化层中的导电材料，诸如金属、金属复合材料或者其他合适的材料。

在一些实施例中，单元100包括驱动引脚110和驱动引脚120但并不包括接收引脚130。在一些实施例中，单元100包括接收引脚130但并不包括驱动引脚110或者驱动引脚120。

电介质140在驱动引脚层180围绕驱动引脚110、驱动引脚120和接收引脚130使得驱动引脚110、驱动引脚120和驱动引脚130中的每一个在驱动引脚层180与驱动引脚110、驱动引脚120和驱动引脚130中的其他两个电隔离。在一些实施例中，电介质140并不完全围绕驱动引脚110和驱动引脚120使得在驱动引脚层180在驱动引脚110和驱动引脚120之间存在电连接(未示出)。

一个或多个功能电路元件160包括晶体管、二极管、电阻器、电感器、电容器或者其他合适的器件，或者这些器件的一个或多个的组合。在一些实施例中，功能电路层190包括一个或多个功能电路元件160形成在其上的衬底的全部或部分。

功能电路连接件170将一个或多个功能电路元件160与驱动引脚110、驱动引脚120和接收引脚130中的每一个电连接。在各种实施例中，功能电路连接件170包括通孔结构、导线、接触插塞和其他合适的结构元件中的一个或多个。功能电路连接件170包括导电材料(诸如，多晶硅、金属、金属复合材料或者其他合适的材料)的一种或组合，该导电材料通过物理汽相沉积工艺、化学汽相沉积工艺、镀法工艺和其他合适工艺中的一种或多种形成。

一个或多个功能电路元件160和功能电路连接件170被配置为使得在操作中，由一个或多个功能电路元件160生成的信号通过驱动引脚110和驱动引脚120的平行路径从单元100处输出。

图2a和2b是根据一些实施例的单元200的图。单元200包括上面针对图1a和图1b描述的单元100的元件。除单元100的元件之外，单元200包括驱动引脚210和驱动引脚220。图2a是基于单元200的存在于驱动引脚层180的元件引脚的顶视或者平面视图的示意图，以及图2b是基于单元200沿着线b-b’的横截面视图的示意图。图2a中示出了驱动引脚方向150和对准方向155。在一些实施例中，单元200是ic的模块化部件(未示出)。在一些实施例中，单元200表示ic在驱动引脚层180具有驱动引脚110、120、210和220的另一部分引脚引脚。

驱动引脚210和驱动引脚220是平行设置在驱动引脚层180且定向在驱动引脚方向150上的导线段。驱动引脚210包括第一端点212和第二端点214，驱动引脚220包括第一端点222和第二端点224。在一些实施例中，端点212和222在对准方向155上对准。在一些实施例中，端点214和224在对准引脚方向155上对准。在一些实施例中，端点212与222以及端点214与224都没有在对准方向155上对准。

在一些实施例中，端点112、122、212和222在对准方向155上对准。在一些实施例中，端点114、124、214和224在对准方向155上对准。在一些实施例中，在对准方向155上，端点112和122互相对准，端点212和222互相对准，但是端点112和122未与端点212和222对准。在一些实施例中，在对准方向155上，端点114和124互相对准，端点214和224互相对准，但是端点114和124未与端点214和224对准。

驱动引脚110和驱动引脚120也被描述为第一多个驱动引脚，以及驱动引脚210和驱动引脚220也被描述为第二多个驱动引脚。在一些实施例中，第一多个驱动引脚仅包括驱动引脚110和驱动引脚120。在一些实施例中，第一多个驱动引脚包括除驱动引脚110和驱动引脚120之外的一个或多个驱动引脚(未示出)。在一些实施例中，第二多个驱动引脚仅包括驱动引脚210和驱动引脚220。在一些实施例中，第二多个驱动引脚包括除驱动引脚210和220之外的一个或多个驱动引脚(未示出)。

驱动引脚210和驱动引脚220中每个均包括通过物理汽相沉积工艺、化学汽相沉积工艺、镀法工艺和其他合适工艺中的一种或多种形成在一层或多层金属化层中的导电材料，诸如金属、金属复合材料或者其他合适的材料。

在一些实施例中，除上面针对单元100讨论的配置外，电介质140在驱动引脚层180围绕驱动引脚210和驱动引脚220使得驱动引脚210和驱动引脚220中的每一个与其他元件中的每一个在驱动引脚180电隔离。在一些实施例中，电介质140并不完全围绕驱动引脚210和驱动引脚220使得在驱动引脚层180在驱动引脚210和驱动引脚220之间存在电连接(未示出)。

在一些实施例中，除上面针对单元100讨论的配置外，功能电路连接件170将一个或多个功能电路元件160与驱动引脚210和驱动引脚220中的每一个电连接，如图2b所描绘的。功能电路连接件170被配置为使得一个或多个功能电路元件160和驱动引脚110和120之间的连接与一个或多个功能电路元件160和驱动引脚210和220之间的连接电隔离。

一个或多个功能电路元件160和功能电路连接件170被配置为使得在操作中，由一个或多个功能电路元件160生成的第一信号通过驱动引脚110和驱动引脚120的平行路径从单元200处输出，并且由一个或多个功能电路元件160生成且与第一信号隔离的第二信号通过驱动引脚210和驱动引脚220的平行路径从单元200处输出。

图3是根据一些实施例的ic结构300的示意图。ic结构300包括驱动引脚310、驱动引脚320、上覆第一通孔阵列335的第一金属段层330、覆盖第二通孔阵列345的第二层金属段340、覆盖第三通孔阵列355的第三金属段层350、覆盖第四通孔阵列365的第四金属段层360，覆盖一对顶层通孔375的布线线路370。第一方向380和与第一方向380垂直的第二方向390在图3中示出。

驱动引脚310和驱动引脚320是平行地设置在同一ic层且定向在与第一方向380等同的驱动引脚方向的导线段。在一些实施例中，定向在第一方向380上的驱动引脚310和320是上面针对图1a和1b讨论的驱动引脚110和120，该驱动引脚110和120被平行地设置在功能电路层190之上的驱动引脚层180上且定向在驱动引脚方向150上。在一些实施例中，ic结构300包括除驱动引脚310和320之外的一个或多个驱动引脚(未示出)。

第一金属段层300包括定向在第二方向390上的两个平行的金属段。第一金属段层330的两个平行金属段位于驱动引脚310和320上方并且在四个位置处与驱动引脚310和320重叠。

第一通孔阵列355包括四个通孔，每个通孔均位于第一金属段层330中的两个平行金属段与驱动引脚310和320重叠的四个位置处的一个位置。

第二金属段层340包括定向在第一方向380上的三个平行的金属段。第二金属段层340中的三个平行的金属段位于第一金属段层330上方，并且在六个位置处与第一金属段层330中的两个平行的金属段重叠。

第二通孔阵列345包括六个通孔，每个通孔均位于第二金属段层340中的三个平行金属段与第一金属段层330中的两个平行金属段重叠的六个位置处的一个位置。

第三金属段层350包括定向在第二方向390上的两个平行金属段。第三层金属段350中的两个平行金属段位于第二金属段层340上方并且在六个位置处与第二金属段层的340的三个平行段重叠。

第三通孔阵列355包括六个通孔，每个通孔均位于第三金属段层350中的两个平行金属段与第二金属段340层中的三个平行金属段重叠的六个位置处的一个位置。

第四金属段层360包括定向在第一方向380上的两个平行金属段。第四金属段层360中的两个平行金属段位于第三金属段层350上方并且在四个位置处与第三金属段层350的两个平行段重叠。

第四通孔阵列365包括四个通孔，每个通孔均位于第四金属段层360中的两个平行金属段与第三金属段层350中的两个平行金属段重叠的四个位置处的一个位置。

第一金属段层330、第二金属段层340、第三金属段层350和第四金属段层360也被描述为多金属段层阵列。在一些实施例中，多金属段层阵列包括的层数比图3中示出的实施例中的四层少。在一些实施例中，多金属段层阵列包括除图3中示出的实施例中的四层之外的一层或多层(未示出)。

多金属段层阵列中的每一层具有为第一方向380和第二方向390中一个的层方向。多金属段层阵列中的最低层的层方向具有与驱动引脚方向垂直的层方向。在图3示出的实施例中，第一金属段层330具有与驱动引脚方向(即，第一方向380)垂直的层方向(即，第二方向390)，第一金属段层330是多金属段层阵列中最低层的一个实例。

多金属段层阵列中在最低层之上的每一层均是附加层。每一个给定附加层均具有与直接在给定附加层之下的层的层方向垂直的层方向。多金属段层阵列中的每一层因而被配置为具有与每一个直接相邻层的层方向垂直的层方向。在图3示出的实施例中，第二金属段层340是具有与第二方向390垂直的层方向(即，第一方向380)的附加层的实例，第二方向390是直接在第二金属段层340之下第一金属段层330的层方向。

在一些实施例中，多金属段层阵列中的一层或多层包括比图3中示出实施例的平行段的数量更多或更少的平行金属段。在一些实施例中，多金属段层阵列中的一层或多层包括在层方向上的单个金属段。在一些实施例中，多金属段层阵列中的一层或多层包括在层方向上的三个或更多平行金属段。

第一通孔阵列335、第二通孔阵列345、第三通孔阵列355和第四通孔阵列365也被描述为多个通孔阵列。在一些实施例中，多个通孔阵列包括比图3中示出的实施例的四个通孔阵列更少的通孔阵列。在一些实施例中，多个通孔阵列包括除图3中示出实施例的四个通孔阵列之外的一个或多个通孔阵列(未示出)。

每一个通孔阵列均包括设置在多金属段层阵列的相应上覆层中的金属段与该通孔阵列之下的层处的金属段重叠的位置处的通孔。与最下层相对应的通孔阵列包括被设置在最下层的金属段与驱动引脚重叠的位置处的通孔。与附加层相对应的每个通孔阵列包括被设置在附加层的金属段与直接在附加层之下的层的平行金属段重叠的位置处的通孔。因此，多个通孔阵列被配置为包括位于多金属段层阵列的每一层和每一直接相邻层之间的通孔阵列。

在一些实施例中，一个或多个通孔阵列包括被设置在相对应的上覆层中的金属段与在通孔阵列之下的层处的金属段重叠的每个位置处的通孔。在图3示出的实施例中，第一通孔阵列335包括位于相对应的上覆的第一金属段层330中两个金属段与驱动引脚310和320重叠的四个位置处的四个通孔，第一通孔阵列335是通孔位于每一个重叠位置处的实例。

在一些实施例中，一个或多个通孔阵列包括在位置的子集处的通孔，该位置是相对应的上覆层的金属段与通孔阵列之下的层处的金属段重叠的位置。作为一个非限制性的实例，在一些实施例中，与多金属段层阵列中的最低层对应的通孔阵列包括两个通孔，每个通孔位于最低层的单个金属段与两个驱动引脚中的每一个重叠的每一位置处。

在一些实施例中，设置在相对应的上覆层中的金属段与在通孔阵列之下的层处的金属段重叠的位置处的通孔是该重叠位置处仅有的通孔。在一些实施例中，设置在相对应的上覆层中的金属段与在通孔阵列之下的层处的金属段重叠的位置处的通孔是在该重叠位置处的多个通孔中的一个通孔。在一些实施例中，没有通孔设置在相对应的上覆层中的金属段与在通孔阵列之下的层处的金属段重叠的位置处。

布线线路370是包括在覆盖第四金属段层360的顶层处且定向在第二方向390上的金属段的单个线路。布线层370的另外部分没有在图3中示出。第四金属段层360具有为第一方向380的层定向，以便布线线路370的金属段定向在与第四金属段层360的层方向垂直的方向上。一对顶层通孔375设置在布线线路370与第四金属段层360中的两个平行金属段重叠的两个位置处。

在图3示出的实施例中，第四金属段层360是多金属段层阵列中的最顶层以及布线线路370覆盖在多金属段层阵列中的最顶层上方。在一些实施例中，多金属段层阵列包括少于或多于四层的层数，因而非第四层的一层是多金属段层阵列的最顶层。

在一些实施例中，包括在图3示出的实施例中，多金属段层阵列包括偶数层，以及布线线路定向在与驱动引脚方向垂直的方向。在一些实施例中，多金属段层阵列包括奇数层，以及布线线路定向在驱动引脚方向。

在一些实施例中，驱动引脚310和320具有由一组默认规则限定的宽度。在一些实施例中，驱动引脚310和320具有的宽度是由一组默认规则限定的最小宽度。

在一些实施例中，多金属段层阵列中的每一金属段具有由一组默认规则限定的宽度。在一些实施例中，多金属段层阵列中的每一金属段具有的宽度是由一组默认规则限定的最小宽度。

在一些实施例中，布线线路具有比由一组默认规则限定的宽度宽的宽度。在一些实施例中，布线线路具有比由一组默认规则限定的最小宽度宽的宽度。

在上面讨论的各种实施例中，多金属段层阵列、多个通孔阵列和一对顶层通孔被配置为将多个驱动引脚与布线线路电连接。

图4a是根据一些实施例的ic结构400a的图，该ic结构400可用作上面针对图3讨论的ic结构300的一部分。ic结构400a包括：在多金属段层阵列的第一层中与金属段410b平行设置的金属段410a；在多层金属段阵列的位于第一层上方的第二层中与金属段420b平行设置的金属段420a；以及通孔阵列425，该通孔阵列425包括被设置在金属段420a和420b与金属段410a和410b每一重叠位置处的单个通孔。

在一些实施例中，金属段410a和410b是设置在驱动引脚层中的驱动引脚。在一些实施例中，金属段410a和410b是上面针对图1a和1b讨论的单元100的驱动引脚110和120。在一些实施例中，金属段410a和410b是上面针对图2a和2b讨论的单元200的驱动引脚210和220。

在一些实施例中，金属段410a和410b设置在多金属段层的阵列中的第一层中，该第一层为多金属段层阵列的最低层。在一些实施例中，金属段410a和410b设置在多金属段层阵列中的第一层中，该第一层为多金属段层阵列的最低层之上的附加层。

金属段410a和410b中的每一个沿轨道(track)412设置，以及金属段420a和420b中的每一个沿轨道422设置。轨道412与轨道422垂直。在图4a示出的实施例中，金属段410a和410b设置在相邻的轨道422上。

金属段410a和410b中每一个具有由一组默认规则限定的最小宽度的宽度，该组规则用于金属段410a和410b所在的层。金属段420a和420b中每一个具有由一组默认规则限定的最小宽度的宽度，该组规则用于金属段420a和420b所在的层。

图4b是根据一些实施例的ic结构400b的图，其中ic结构400b可用作上述针对图3讨论的ic结构300的一部分。ic结构400b包括上面针对图4a描述的ic结构400a的元件。除ic结构400a的元件之外，ic结构400b包括与金属段410a和410b在同一层中且与金属段410a和410b平行的金属段410c和金属线430。

金属线430包括如图4b所描述的位于金属段410b和410c之间的金属段。图4b中未示出金属线430的附加部分。金属线430与金属段410a、410b、410c、420a和420b以及通孔阵列425电隔离。

金属线430设置在轨道412上。在一些实施例中，金属线430具有的宽度比由一组默认规则限定的最小宽度要宽，该组规则用于金属段410a、410b和410c和金属线430所在的层。

金属段410b和410c设置在与金属线430设置在其上的轨道412不邻近的轨道412上。在一些实施例中，将金属段410b和金属线430设置在不邻近的轨道412上使得金属段410b和金属线430之间的距离大于由一组默认规则限定的最小分隔距离，该组规则用于金属段410a、410b、410c以及金属线430所在的层。在一些实施例中，将金属段410c和金属线430设置在不邻近的轨道412上使得金属段410c和金属线430之间的距离大于由一组默认规则限定的最小分隔距离，该组规则用于金属段410a、410b和410c以及金属线430所在的层。

金属段420a和420b中每一个均与金属段410a、410b和410c以及金属线430中每一个重叠。通孔阵列425包括设置在金属段420a和420b与金属段410a、410b和410c重叠的位置处的通孔。在一些实施例中，通孔阵列425的通孔设置在金属段420a和420b与金属段410a、410b和410c重叠的每一位置处。在一些实施例中，通孔阵列425的通孔设置在位置的子集处，该位置是金属段420a和420b与金属段410a、410b和410c重叠的位置。通孔阵列425的通孔未被设置在金属段420a和420b与金属线430重叠的位置处。

图5是根据一些实施例的网格结构500的图。网格结构500是ic结构，该ic结构包括接收引脚530、网孔阵列540、位于接收引脚530上方的第一金属段550、位于第一金属段550上方的第二金属段560以及布线线路570。第一通孔555设置在第一金属段550与接收引脚530重叠的位置，第二通孔565设置在第二金属段560与第一金属段550重叠的位置，以及多个通孔575设置在布线线路570与第二金属段560重叠的位置以及布线线路570与网孔阵列540的最顶层中的金属段重叠的位置。

接收引脚530是定向在接收引脚方向(未示出)上的金属段。在一些实施例中，接收引脚530是上面针对图1a和1b讨论的单元100的接收引脚130。

在一些实施例中，接收引脚530是上面针对图2a和2b讨论的单元200的接收引脚130。在一些实施例中，接收引脚530是在与ic的驱动引脚同一层处的金属段。在一些实施例中，接收引脚530是在与ic的驱动引脚层不同的ic的层处的金属段。

网孔阵列540是ic结构，该ic结构包括多个驱动引脚、多金属段层阵列、多个通孔阵列，如上针对单元100、单元200、ic结构200、ic结构300、ic结构400a和ic结构400b讨论的，以及如下针对ic结构600讨论的。网孔阵列540被配置为将多个驱动引脚与在网孔阵列540的最顶层的多个金属段电连接。

第一金属段550设置在覆盖接收引脚530的层中，并且具有在与接收引脚方向垂直的方向上的定向。第一金属段550与接收引脚530重叠，以及第一通孔555设置在第一金属段550与接收引脚530重叠的位置处。

第二金属段560设置在覆盖接收引脚550的层中，并且具有在一方向上的定向，该方向与第一金属段550被定向的方向垂直。第二金属段560与第一金属段550重叠，以及第二通孔565设置在第二金属段560与第一金属段550重叠的位置处。

布线线路570设置在覆盖第二金属段560的层中，并且具有在一方向上的定向，该方向与第二金属段560被定向的方向垂直。布线线路570所在层还覆盖在网孔阵列540的最顶层的多个金属段阵列，布线线路570具有在一方向上的定向，该方向与在网孔阵列540的最顶层的金属段阵列被定向的方向垂直。

多个通孔575设置在布线线路570与第二金属段560和在网孔阵列540的最顶层处的金属段阵列重叠的位置处。

在图5示出的实施例中，第一金属段550和第二金属段560设置在多个金属段层中的被配置为电连接布线线路570和接收引脚的层中。在图5示出的实施例中，多个金属段层包括两层，以及金属段560设置在多个金属段层中的最顶层。在一些实施例中，多个金属段层包括少于两层或多于两层的层数，因而非第二层的层是多个金属段层中的最高层。

在图5示出的实施例中，布线线路570包括具有单一定向方向的单个金属段，并且该单个金属段与网孔阵列540和多个金属段层中的最高层的第二金属段560都重叠。在一些实施例中，布线线路570具有与图5中示出的配置不相同的配置。在一些实施例中，网孔阵列和多个驱动引脚通过明显的距离与接收引脚分隔开，以及布线线路570包括除图5示出的单个金属段之外的部件。

在一些实施例中，布线线路570包括具有多个定向方向的多个金属段。在一些实施例中，布线线路570包括第一金属段和第二金属段，第一金属段与多个金属段层中的最顶层的金属段重叠，以及第二金属段与在网孔阵列的最顶层的多个金属段重叠，并且第一金属段和第二金属段具有相同的定向方向。在一些实施例中，布线线路570包括第一金属段和第二金属段，第一金属段与多个金属段层中的最顶层的金属段重叠，以及第二金属段与在网孔阵列的最顶层的多个金属段重叠，并且第一金属段和第二金属段具有不同的定向方向。

接收引脚530、网孔阵列540、第一金属段550、第一通孔555、第二金属段560、第二通孔565、布线线路570和多个通孔575被配置成将多个驱动引脚与接收引脚530电连接。

在一些实施例中，接收引脚530、网孔阵列540、第一金属段550和第二金属段560中每一金属段均具有由一组默认规则限定的宽度。在一些实施例中，接收引脚530、网孔阵列540、第一金属段550和第二金属段560中每一金属段的宽度均具有由一组默认规则限定的最小宽度的宽度。

在一些实施例中，布线线路570具有的宽度比由一组默认规则限定的宽度宽。在一些实施例中，布线线路570具有的宽度比一组默认规则限定的最小宽度宽。

在其中基于最小宽度金属段的网孔阵列为多个驱动引脚提供电连接的网格比在其中单个金属段为单个传动引脚提供电连接的网格的阻抗低。通过减少电流密度，相比于在其中单个金属段为单个传动引脚提供电连接的网格，在其中基于最小宽度金属段的网孔阵列为多个驱动引脚提供电连接的网格还具有减少的对em的敏感性。

在其中基于最小宽度金属段的网孔阵列为多个驱动引脚提供电连接的网格比在其中宽度宽于由一组默认规则限定的宽度的单个金属段为单个驱动引脚提供电连接的网格具有较小的面积要求。与在其中遍及网格的所有金属段均具有由单组非默认规则限定的宽度使得给定金属层的所有金属段均具有宽于用于该层的最小宽度的同一宽度的网格相比，较小的面积要求具有增加的显著性。

图6是根据一些实施例的ic结构600的图。ic结构600包括：驱动引脚610、620、630和640；在图6中从后至前分别描绘的覆盖第一通孔阵列655-1和655-2的第一层金属段650a、650b、650c和650d；在图6中从左至右分别描绘的覆盖第二通孔阵列665-1和665-2的第二层金属段660a、660b、660c和660d；覆盖在第一对顶层通孔675a上方的第一布线线路670a和覆盖在第二对顶层通孔675b上方的第二布线线路670b。第一方向680和与第一方向680垂直的第二方向690在图6中示出。

ic结构600具有与ic结构300的配置类似的配置，并且包括上面针对图3讨论的ic结构300的部件。另外，如下面讨论的，ic结构600包括根据上面针对单元200和图2a和2b讨论的驱动引脚配置的部件，在驱动引脚配置中，驱动引脚层包括多个第一驱动引脚和多个第二驱动引脚。

驱动引脚610、620、630和640是在同一ic层平行设置且定向在等同于第一方向680的驱动引脚方向上的导电线段。在一些实施例中，定向在第一方向680上的驱动引脚610、620、630和640分别是上面针对图2a和2b讨论的平行地设置在驱动引脚层180且定向在驱动引脚方向150上的驱动引脚110、120、210和220。

驱动引脚610和620是第一多个驱动引脚，以及驱动引脚630和640是第二多个驱动引脚。驱动引脚610和620与驱动引脚630和640交替。在一些实施例中，ic结构600包括除第一多个驱动引脚和第二多个驱动引脚之外的一个以上的多个驱动引脚(未示出)。在一些实施例中，ic结构600包括一个以上的多个驱动引脚，在该一个以上的多个驱动引脚中，每一多个驱动引脚中的驱动引脚与一个以上的多个驱动引脚中的另外多个驱动引脚的驱动引脚交替。

第一层金属段650a、650b、650c和650d包括定向在第二方向690上的四个平行金属段。金属段650a和650c是第一金属段层中的第一金属段阵列，以及金属段650b和650d是第一金属段层中的第二金属段阵列。

在第一金属段层内金属段650a和650c与金属段650b和650d交替。

第一通孔阵列655-1包括四个通孔，每个通孔位于金属段650a和650c与驱动引脚610和620重叠的四个位置中的每一处。第二通孔阵列655-2包括四个通孔，每个通孔位于金属段650b和650d与驱动引脚630和640重叠的四个位置中的每一个处。

第二层金属段660a、660b、660c和660d包括定向在第一方向680上的四个平行金属段。金属段660a和660c是第二金属段层中的第一金属段阵列，以及金属段660b和660d是第二金属段层中的第二金属段阵列。

在第二金属段层内金属段660a和660c与金属段660b和660d交替。

第二通孔阵列665-1包括四个通孔，每个通孔位于金属段660a和660c与金属段650a和650c重叠的四个位置中的每一处。第二通孔阵列665-2包括四个通孔，每个通孔位于金属段660b和660d与金属段650b和650d重叠的四个位置中的每一处。

第一层金属段650a、650b、650c和650d以及第二层金属段660a、660b、660c和660d也被描述为多金属段层阵列，其中，每一层包括第一金属段阵列(650a和650c或者660a和660c)和第二金属段阵列(650b和650d或者660b和660d)。在一些实施例中，多金属段层阵列包括比图6示出的实施例的两层少的层数。在一些实施例中，多金属段层阵列包括除图6示出的实施例的两层之外的层数(未示出)。

在一些实施例中，多金属段层阵列中的一层包括除第一金属段阵列和第二金属段阵列之外的一个或多个金属段阵列。在一些实施例中，多金属段层阵列中的一层包括两个或更多金属段阵列，在该两个或更多金属段阵列中，多个金属段阵列中的每一阵列的金属段与多个金属阵列中的另外的一个或更多的阵列的金属段交替。

第一通孔阵列655-1和第二通孔阵列665-1也被描述为第一多个通孔阵列。第一通孔阵列655-2和第二通孔阵列665-2也被描述为第二多个通孔阵列。在一些实施例中，第一或第二多个金属段阵列包括除图6中示出的实施例中的两个通孔阵列之外的一个或更多通孔阵列(未示出)。

在一些实施例中，ic结构600包括除第一多个通孔阵列和第二多个通孔阵列之外的一个或更多的多个通孔阵列(未示出)。

布线线路670a和670b中的每一布线线路是包括金属段的单个线路，该金属段在覆盖第二层金属段660a、660b、660c和660d的顶层处被定向在第二方向690上。图6中未示出布线线路670a和670b的附加部分。第二层金属段660a、660b、660c和660d具有为第一方向680的层方向，因此布线线路670a和670b的金属段被定向在与第二层金属段660a、660b、660c和660d的层方向垂直的方向上。

第一对顶层通孔675a设置在布线线路670a与第二层金属段660a和660c重叠的两个位置处。第二对顶层通孔675b设置在布线线路670b与第二层金属段660b和660d重叠的两个位置处。

第一布线线路670a和第二布线线路670b还被描述为包括第一布线线路670a和第二布线线路670b的多个布线线路。在一些实施例中，多个布线线路包括除图6中示出的布线线路670a和670b之外的布线线路(未示出)。

在图6示出的实施例中，第二层金属段660a、660b、660c和660d是多金属段层阵列的最顶层。在一些实施例中，多金属段层阵列包括多于两层的层数，因而非第二层的一层是多金属段层阵列的最顶层。

在一些实施例中，ic结构600包括位于多金属段层阵列的最顶层上方的一个或更多附加的金属段层(未示出)。该一个或更多附加的金属段层

不包括多金属段层阵列中的每一金属段阵列。因此，在一些实施例中，该一个或更多附加的金属段层的最顶层在多金属段层阵列的最顶层之上的层处。

在一些实施例中，多个布线线路中的第一布线线路覆在多金属段层阵列的最顶层上方，以及多个布线线路中的第二布线线路覆在一个或更多附加的金属段层的最顶层上方。在一些实施例中，多个布线线路中的第一布线线路和多个布线线路中的第二布线线路设置在不同的层处并且具有不同的定向方向。在一些实施例中，多个布线线路中的第一布线线路和多个布线线路中的第二布线线路设置在不同的层处且具有相应的定向方向。

在上面讨论的各种实施例中，多金属段层阵列中的每一层的第一金属段阵列、第一多个通孔阵列和第一对顶层通孔被配置成将第一多个驱动引脚与第一布线线路电连接，以及多金属段层阵列中的每一层的第二金属段阵列、第二多个通孔阵列和第二对顶层通孔被配置成将第二多个驱动引脚与第二布线线路电连接。

在一些实施例中，第一多个驱动引脚、多金属段层阵列中的每一层的第一金属段阵列、第一多个通孔阵列、第一对顶层通孔以及第一布线线路是诸如网格结构500的第一网格的元件，以及第二多个驱动引脚、多金属段层阵列中的每一层的第二金属段阵列、第二多个通孔阵列、第二对顶层通孔以及第二布线线路是诸如网格结构500的第二网格的元件。

图7是根据一些实施例的ic结构700的图，ic结构700可用作上面针对图6讨论的ic结构600的一部分。ic结构700包括：平行地设置在多金属段层阵列的第一层中的金属段710a、710b、710c和710d；平行地设置在多金属段层阵列的位于第一层上方的第二层中的金属段720a、720b、720c和720d；第一通孔阵列725-1；以及第二通孔阵列725-2。

ic结构700具有与ic结构400的配置相类似的配置，并且包括上面针对图4a和4b讨论的ic结构400a和400b的部件。另外，如以下讨论的，ic结构700包括根据上面针对ic结构600描述的ic结构配置的部件。

第一通孔阵列725-1包括在金属段720a和720c与金属段710a和710c重叠的位置处的通孔，并且不包括在金属段720b和720d与金属段710b和710d重叠的位置处的通孔。第二通孔阵列725-2包括在金属段720b和720d与金属段710b和710d重叠的位置处的通孔，并且不包括在金属段720a和720c与金属段710a和710c重叠的位置处的通孔。

金属段710a、710c、720a和720c还被描述为第一多个金属段。在一些实施例中，第一多个金属段包括除金属段710a、710c、720a和720c之外的金属段(未示出)。

金属段710b、710d、720b和720d还被描述为第二多个金属段。在一些实施例中，第二多个金属段包括除金属段710b、710d、720b和720d之外的金属段(未示出)。

在一些实施例中，ic结构700包括除第一多个金属段和第二多个金属段之外的一个以上的多个金属段(未示出)。

第一通孔阵列725-1和第二通孔阵列725-2还被描述为多个通孔阵列。在一些实施例中，多个通孔阵列包括除第一通孔阵列725-1和第二通孔阵列725-2之外的通孔阵列(未示出)。

在上面讨论的各种实施例中，第一组电连接件包括第一多个金属段和第一通孔阵列，第二组电连接件包括第二多个金属段和第二通孔阵列。每组电连接件与其他组的电连接件电隔离。

图8是根据一个或多个实施例的形成ic结构的方法800的流程图。方法800用于ic结构的制造或设计中的一个或多个，ic结构为诸如上面针对图3、4、5、6和7分别讨论的ic结构300、400、500、600和700。

如果方法800被实施以设计ic结构，通过被配置为执行一组计算机可读指令的处理器来执行方法800，其中该组计算机可读指令与集成电路系统交互以设计和提供具有在此讨论的部件的ic结构的布局。在一些实施例中，提供ic结构的布局包括生成、修改或者存储电子文件中的一种或多种。在一些实施例中，方法800由下面针对图9讨论的系统900全部或部分地执行。

图8中示出的方法800的操作的顺序仅是为了示例说明，方法800的操作能够以与图8示出的顺序不同的顺序执行。在一些实施例中，在图8示出的操作之前、之间和/或之后，实施除图8示出的操作之外的操作。

在操作810，在第一驱动引脚和第二驱动引脚上方形成第一通孔阵列。第一驱动引脚和第二驱动引脚在驱动引脚层处被平行地设置，以及第一通孔阵列包括与第一驱动引脚接触的第一多个通孔和与第二驱动引脚接触的第二多个通孔。

在一些实施例中，形成第一通孔阵列包括在上面针对ic结构100和200讨论的驱动引脚110和120上方形成第一通孔阵列。在一些实施例中，形成第一通孔阵列包括在上面针对ic结构300讨论的驱动引脚310和320上方形成第一通孔阵列335。在一些实施例中，形成第一通孔阵列包括在上面针对ic结构600讨论的驱动引脚610和620上方形成第一通孔阵列655-1。

在操作820，在第一通孔阵列上方形成第一多个金属段。第一多个金属段中的每个金属段被定向为与第一驱动引脚和第二驱动引脚垂直，并且接触第一多个通孔中的通孔和第二多个通孔中的通孔。

在一些实施例中，形成第一多个金属段包括形成上面针对ic结构300讨论的第一金属段层330。在一些实施例中，形成第一多个金属段包括形成上面针对ic结构400a讨论的金属段410a和410b。在一些实施例中，形成第一多个金属段包括形成上面针对ic结构400b讨论的金属段410a、410b和410c。在一些实施例中，形成第一多个金属段包括形成上面针对ic结构600讨论的金属段650a和650c。在一些实施例中，形成第一多个金属段包括形成上面针对ic结构700讨论的金属段710a和710c。

在操作830，在第一多个金属段上方形成第二通孔阵列，其中所述第二通孔阵列中的每一个通孔接触第一多个金属段中的金属段。

在一些实施例中，形成第二通孔阵列包括如上面针对ic结构300讨论的，在第一金属段层330上方形成第二通孔阵列345。在一些实施例中，形成第二通孔阵列包括形成上面针对ic结构400a和400b讨论的通孔阵列425。在一些实施例中，形成第二通孔阵列包括如上面针对ic结构600讨论的，在金属段650a和650c上方形成第二通孔阵列665-1。在一些实施例中，形成第二通孔阵列包括形成如上面针对ic结构700讨论的通孔阵列725-1。

在操作840，在第二通孔阵列上方形成第二多个金属段，其中第二多个金属段中的每个金属段被定向为与第一多个金属段中的金属段垂直，并且接触第二通孔阵列的多个通孔。

在一些实施例中，形成第二多个金属段包括形成上面针对ic结构300讨论的第二金属段层340。

在一些实施例中，形成第二多个金属段包括形成上面针对ic结构400a讨论的金属段410a和410b。在一些实施例中，形成第二多个金属段包括形成上面针对ic结构400b讨论的金属段410a、410b和410c。在一些实施例中，形成第二多个金属段包括形成上面针对ic结构400a和400b讨论的金属段420a和420b。

在一些实施例中，形成第二多个金属段包括形成上面针对ic结构600讨论的金属段660a和660c。

在一些实施例中，形成第二多个金属段包括形成上面针对ic结构700讨论的金属段710a和710c。在一些实施例中，形成第二多个金属段包括形成上面针对ic结构700讨论的金属段720a和720c。

在操作850，第一对顶层通孔形成在比第二多个金属段的层高的顶层处。在一些实施例中，形成第一对顶层通孔包括在第二多个金属段上直接形成第一对顶层通孔。在一些实施例中，ic结构包括位于第二多个金属段之上的一个或更多附加的多个金属段，以及形成第一对顶层通孔包括在位于第二多个金属段之上的附加的多个金属段上直接形成第一对顶层通孔。

在一些实施例中，形成第一对顶层通孔包括形成如上针对ic结构300讨论的一对顶层通孔375。在一些实施例中，形成第一对顶层通孔是形成上面针对ic结构500讨论的多个通孔575的一部分。在一些实施例中，形成第一对顶层通孔是形成上面针对ic结构600讨论的第一对顶层通孔675。

在操作860，第一布线线路形成在第一对顶层通孔之上并且与该第一对顶层通孔接触。在一些实施例中，形成第一布线线路包括形成上面针对ic结构300讨论的布线线路370。在一些实施例中，形成第一布线线路包括形成上面针对ic结构500讨论的布线线路570。在一些实施例中，形成第一布线线路包括形成上面针对ic结构600讨论的第一布线线路670a。

因此，操作810至860建立从第一布线线路到第一驱动引脚和第二驱动引脚的电连接。

在一些实施例中，在操作820中形成第一多个金属段中的每一个金属段以及在操作840中形成第二多个金属段中的每一个金属段包括根据一组默认规则形成金属段。在一些实施例中，在操作820中形成第一多个金属段中的每一个金属段以及在操作840中形成第二多个金属段中的每一个金属段包括根据一组默认规则形成具有最小宽度的金属段。

在一些实施例中，在操作860中形成第一布线线路包括形成宽度大于由一种默认规则限定的宽度的第一布线线路。

在一些实施例中，在操作870，多层单个金属段形成在布线线路和接收引脚之间。在一些实施例中，形成多层单个金属段包括上面针对ic结构500的讨论的在布线线路570和接收引脚530之间形成金属段550和560。

因而，操作810至870建立从第一驱动引脚和第二驱动引脚至接收引脚的电连接。

在一些实施例中，在操作880，重复操作810-870中的一些或部分以实现第三驱动引脚和第四驱动引脚。在一些实施例中，操作880包括在第三驱动引脚和第四驱动引脚上方形成第三通孔阵列，第三驱动引脚和第四驱动引脚设置在驱动引脚层上并且与第一驱动引脚和第二驱动引脚平行。第三通孔阵列包括与第三驱动引脚接触的第三多个通孔，以及与第四驱动引脚接触的第四多个通孔。

在一些实施例中，形成第三通孔阵列包括上面针对ic结构600讨论的在驱动引脚630和640上方形成第一通孔阵列655-2。在一些实施例中，在操作810中形成第一通孔阵列和在操作880中形成第三通孔阵列包括在引脚引脚与第三驱动引脚和第四驱动引脚交替的第一驱动引脚和第二驱动引脚的上方形成第一通孔阵列和第三通孔阵列。

在一些实施例中，操作880包括在第三通孔阵列上方形成第三多个金属段。第三多个金属段中的每个金属段被定向为与第三驱动引脚和第四驱动引脚垂直，以及接触第三多个通孔中的通孔和第四多个通孔中的通孔。

在一些实施例中，形成第三多个金属段包括形成上面针对ic结构600讨论的金属段650b和650d。在一些实施例中，形成第三多个金属段包括形成上面针对ic结构700讨论的金属段710b和710d。

在一些实施例中，操作880包括在第三多个金属段上方形成第四通孔阵列。第四通孔阵列中的每个通孔接触第三多个金属段中的金属段。

在一些实施例中，形成第四通孔阵列包括上面针对ic结构600讨论的，在金属段650b和650d上方形成第二通孔阵列665-2。在一些实施例中，形成第四通孔阵列包括形成上面针对ic结构700讨论的通孔阵列725-2。

在一些实施例中，操作880包括在第四通孔阵列上方形成第四多个金属段。第四多个金属段中的每个金属段定向为与第三多个金属段中的金属段垂直，并且第四多个金属段中的每个金属段接触第四通孔阵列的多个通孔。

在一些实施例中，形成第四多个金属段包括形成上面针对ic结构600讨论的金属段660b和660d。在一些实施例中，形成第四多个金属段包括形成上面针对ic结构700讨论的金属段710b和710d。在一些实施例中，形成第四多个金属段包括形成上面针对ic结构700讨论的金属段720b和720d。

在一些实施例中，操作880包括在顶层形成第二对顶层通孔。在一些实施例中，形成第二对顶层通孔是形成上面针对ic结构500讨论的多个通孔575的一部分。在一些实施例中，形成第二对顶层通孔包括形成上面针对ic结构600讨论的第二对顶层通孔675b。

在一些实施例中，操作880包括形成在第二对顶层通孔之上并且与第二对顶层通孔接触的第二布线线路。在一些实施例中，形成第二布线线路包括形成上面针对ic结构500讨论的第二布线线路570。在一些实施例中，形成第二布线线路包括形成上面针对ic结构600讨论的第二布线线路670b。

因而，操作880建立从第二布线线路至第三驱动引脚和第四驱动引脚的电连接。

在一些实施例中，在操作880，形成第三多个金属段中的每一个金属段和第四多个金属段中的每一个金属段包括根据一组默认规则形成金属段。在一些实施例中，在操作880，形成第三多个金属段中的每一个金属段和第四多个金属段中的每一个金属段包括根据一组默认规则形成具有最小宽度的金属段。

在一些实施例中，在操作880形成第二布线线路包括形成宽度大于由一组默认规则限定的宽度的第二布线线路。

在一些实施例中，操作880包括在第二布线线路和第二接收引脚之间形成第二多层单个金属段。在一些实施例中，形成第二多层单个金属段包括上面针对ic结构500讨论的，形成位于布线线路570和接收引脚530之间的金属段550和560。

在一些实施例中，操作880因而建立从第三驱动引脚和第四驱动引脚至第二接收引脚的电连接。

在一些实施例中，操作890包括生成用于在操作810至880的一个或多个中形成的ic结构元件的一组掩模。在一些实施例中，生成一组掩模由下面针对图9讨论的系统900部分或全部执行。在一些实施例中，在操作890，使用在操作890中生成的那组掩模制造ic结构。

图9是计算机或基于处理器的系统900的功能框图，至少一个实施例基于或通过该系统来执行。

基于处理器的系统900是可编程的以生成可用作制造在此描述的ic结构的布局文件和/或掩模，并且包括例如总线901、处理器903和存储器905部件。

在一些实施例中，基于处理器的系统实现为单个“芯片上的系统”。基于处理器的系统900或者其部分，构成用于设计ic结构的机构。在一些实施例中，基于处理器的系统900包括用于在基于处理器的系统900的各部件中转移信息和/或指令的通信机构，诸如总线901。处理器903连接至总线901以获得待执行的指令并且处理存储在例如存储器905中的信息。在一些实施例中，处理器903还配有用于实施某种处理功能和任务的一个或多个部件，诸如一个或多个信息处理器(dsp)或一个或多个专用集成电路(asic)。dsp典型地被配置为独立于处理器903实时处理现实世界的信号(例如声音)。类似地，asic是可配置为实施不容易由更为通用的处理器所实施的专门功能。其他辅助实施在此描述的功能的专门部件可选地包括一个或多个现场可编程门阵列(fpga)、一个或多个控制器或者其他一个或多个专用计算机芯片。

在一个或多个实施例中，处理器(或者多个处理器)903对由一组存储在存取器905中的指令所限定的信息实施一组操作，该组指令与被配置为将至少一个驱动引脚连接至至少一个接收引脚的ic结构有关。这些指令的执行使得处理器去实施专门功能。在一些实施例中，处理器(或者多个处理器)903实施上面针对图8讨论的方法800的操作中的一个或多个。

处理器903和配件通过总线901与存储器905连接。存储器905包括动态存储器(例如ram、磁盘、可写的光盘等)和静态存储器(例如rom、cd-rom等)中的一个或多个以用于存储可执行指令，其中该可执行指令当被执行时执行在此描述的步骤以生成被配置为将至少一个驱动引脚与至少一个接收引脚连接的ic结构。在一些实施例中，存储器905还存储与上面针对图8讨论的方法800的操作的执行相关联的或者由该方法800的操作的执行所生成的数据和/或电子文件。

在一个或多个实施例中，存储器905(诸如随机存取存储器(ram)或者其他任何的动态存储器)存储包括处理器指令的信息，该处理器指令用于生成被配置为将至少一个电源轨和至少一个电源带(strap)连接的ic结构。动态存储器允许存储在其中的信息被改变。ram允许存储在称为存储地址的位置处的信息单元独立于相邻地址处的信息而被存储或获取。存储器905还被存储器903使用以存储在处理器指令的执行期间的暂态值。在各种实施例中，存储器905是连接至总线901的只读存储器(rom)或者其他任何静态存储器件，以用于存储不会改变的包括指令的静态信息。一些存储器由当电源掉电时丢失存储在其上的信息的易失性存储器组成。在一些实施例中，存储器905是非易失性(持久的)存储器件，例如磁盘、光盘或闪存卡，以用于存储甚至当供应至存储器905的电源关闭时也能保存的信息，该信息包括指令。

在此使用的术语“计算机可读介质”指参与提供包括用于执行的指令的信息给处理器903的任何介质。这种介质采取多种形式，包括但不限于计算机可读存储介质(例如非易失性介质、易失性介质)。非易失性介质包括例如光盘或磁盘。易失性介质包括例如动态存储器。计算机可读介质的常见形式包括例如软磁盘、可折叠磁盘、硬盘、磁带、其他磁介质、cd-rom、cdrw、dvd、其他光介质、穿孔卡、纸带、光学标记表、另外具有孔洞图案或其他光学可辨认标识的物理介质、ram、prom、eprom、flash-eprom、eeprom、闪存、另外的存储芯片或者存储匣、或者另外的计算机能够读取的介质。术语“计算机可读介质”在此被使用以指计算机可读介质。

在一些实施例中，ic结构包括多个驱动引脚，该多个驱动引脚中的每个驱动引脚设置在驱动引脚层处并且定向在通常的驱动引脚方向上；以及多层金属段阵列，多层金属段阵列中的每层包括定向在层方向上的两个平行的金属段。多层金属段阵列中的最底层的层方向与驱动引脚方向垂直，以及多层金属段阵列中的每个附加层的层方向与位于多层金属段阵列的附加层直接之下的多层金属段阵列中的一层的层方向垂直。ic结构还包括多个通孔阵列，该多个通孔阵列中的每个通孔阵列包括两个通孔，这两个通孔设置在多层金属段阵列中的一个相应上覆层的一个或多个金属段与以下的一个或多个重叠的位置处：该多层金属段阵列中位于通孔阵列直接下方的一层中的两个金属段，或者，多个驱动引脚。

在一些实施例中，所述多个通孔阵列中的每一通孔均是在相应的所述重叠位置处的单个通孔。

在一些实施例中，所述的ic结构还包括：布线线路，覆盖在所述多金属段层阵列的最顶层上方，所述布线线路包括定向在与所述多金属段层阵列的所述最顶层的层方向垂直的方向上的金属线段；两个顶层通孔，设置在所述金属线段与所述多金属段层阵列的所述最顶层的所述两个金属段重叠的位置处，其中，所述布线线路通过所述顶层通孔、所述多金属段层阵列和所述多个通孔阵列与所述多个驱动引脚电连接。

在一些实施例中，所述的ic结构还包括：接收引脚，位于所述驱动引脚层处；多层单个金属段，位于所述布线线路和所述接收引脚之间，最顶层的单一金属段通过顶层通孔与所述布线线路电连接；多个单个通孔，所述多个单个通孔中的每个单个通孔均设置在：所述多层单个金属段中的一个相应覆盖层的单个金属段与所述多层单个金属段中直接位于所述通孔下方的一层的单个金属段重叠的位置处，或者所述多层单个金属段中的一个相应覆盖层的单个金属段与所述接收引脚重叠的位置处。

在一些实施例中，所述多金属段层阵列中的每个金属段均具有基于默认规则的宽度；以及所述布线线路具有比默认规则宽度宽的宽度。

在一些实施例中，对于所述多金属段层阵列中的至少一层，所述两个平行的金属段由金属线分隔开，所述金属线与所述多金属段层阵列电隔离。

在一些实施例中，所述多个驱动引脚为两个驱动引脚。

在一些实施例中，ic结构包括第一多个驱动引脚和第二多个驱动引脚，第一多个驱动引脚中的每个驱动引脚和第二多个驱动引脚中的每个驱动引脚设置在驱动引脚层处并且定向在在通常的驱动引脚方向上；以及多层金属段阵列，多层金属段阵列中的每一层包括第一金属段阵列和第二金属段阵列，每个金属段阵列包括定向在层方向上的两个平行的金属段。多层金属段阵列中的最底层的层方向与驱动引脚方向垂直，以及多层金属段阵列中的每个附加层的层方向与位于多层金属段阵列的附加层直接下方的多层金属段阵列中的一层的层方向垂直。ic结构还包括第一多个通孔阵列，该第一多个通孔阵列中的每个通孔阵列包括两个通孔，这两个通孔设置在多层金属段阵列中的一个相应上覆层的第一金属段阵列中的一个或多个金属段与该多层金属段阵列中位于第一多个通孔阵列中的通孔阵列或者第一多个驱动引脚直接下方的一层中的第一多个金属段阵列中的两个金属段的一个或多个重叠的位置处。ic结构还包括第二多个通孔阵列，该第二多个通孔阵列中的每个通孔阵列包括两个通孔，这两个通孔设置在多层金属段阵列中的一个相应上覆层的第二金属段阵列中的一个或多个金属段与以下的一个或多个重叠的位置处：该多层金属段阵列中位于第二多个通孔阵列中的通孔阵列直接下方的一层中的第二多个金属段阵列中的两个金属段，或者，第二多个驱动引脚。

在一些实施例中，所述第一多个驱动引脚中的驱动引脚与所述第二多个驱动引脚中的驱动引脚交替。

在一些实施例中，对于所述多金属段层阵列中的至少一层，所述第一金属段阵列中的金属段与所述第二金属段阵列中的金属段交替。

在一些实施例中，所述第一多个通孔阵列中的每一个通孔和所述第二多个通孔阵列中的每一个通孔是在相应的所述重叠位置处的单个通孔。

在一些实施例中，所述的ic结构，还包括：第一布线线路和第二布线线路，所述第一布线线路和所述第二布线线路中的每一个均：覆盖在所述多金属段层阵列中的最顶层上方，和包括定向在与所述多金属段层阵列的所述最顶层的层方向垂直的方向上的金属线段；以及两个顶层通孔对，每个顶层通孔对均包括两个顶层通孔，所述两个顶层通孔设置在相应的金属线段与所述多金属段层阵列的所述最顶层中的相应金属段阵列中的两个平行的金属段重叠的位置处，其中，所述第一布线线路和所述第二布线线路的每一个均通过相应的所述顶层通孔对、所述多金属段层阵列和所述第一多个通孔阵列或者所述第二多个通孔阵列中的相应一个与所述第一多个驱动引脚或者所述第二多个驱动引脚中的相应一个电连接。

在一些实施例中，所述的ic结构还包括：对于所述第一布线线路和所述第二布线线路中的每一个布线线路，接收引脚，位于所述驱动引脚层处；多层单个金属段，位于所述布线线路和所述接收引脚之间，最顶层的单个金属段通过顶层通孔与所述布线线路电连接；以及，多个单个通孔，所述多个单个通孔中的每个单个通孔均设置在所述多层单个金属段中的相应覆盖层的单个金属段与下面之一重叠的位置处：所述多层单个金属段中直接位于所述通孔下方的层的单个金属段，和所述接收引脚。

在一些实施例中，所述多金属段层阵列中的每一个金属段均具有基于默认规则的宽度；以及所述第一布线线路和所述第二布线线路中的每一个布线线路均具有宽于默认规则宽度的宽度。

在一些实施例中，对于所述多金属段层阵列中的至少一个金属段阵列，所述两个平行的金属段由金属线分隔开，所述金属线与所述多金属段层阵列电隔离。

在一些实施例中，所述第一多个驱动引脚和所述第二多个驱动引脚中的每一多个驱动引脚均包括两个驱动引脚。一种形成集成电路结构的方法包括在第一驱动引脚和第二驱动引脚上方形成第一通孔阵列，该第一驱动引脚和第二驱动引脚被平行地设置在驱动引脚层处，其中第一通孔阵列包括与第一驱动引脚接触的第一多个通孔，和与第二驱动引脚接触的第二多个通孔。该方法还包括在第一通孔阵列上方形成第一多个金属段，其中第一多个金属段中的每个金属段被定向为与第一驱动引脚和第二驱动引脚垂直，并且每个金属段接触第一多个通孔中的通孔和第二多个通孔中的通孔。该方法还包括在第一多个金属段上方形成第二通孔阵列，其中第二通孔阵列中的每个通孔接触第一多个金属段中的金属段，以及在第二通孔阵列上方形成第二多个金属段，其中第二多个金属段中的每个金属段被定向为与第一多个金属段中的金属段垂直，并且接触第二通孔阵列中的多个通孔。该方法还包括在比第二多个金属段的层高的顶层处形成第一对顶层通孔，以及在该第一对顶层通孔之上形成第一布线线路，第一布线线路与该第一对顶层通孔接触，从而建立从第一布线线路到第一驱动引脚和第二驱动引脚的电连接。形成第一多个金属段中的每一金属段和第二多个金属段中的每一金属段包括根据一组默认规则形成金属段，以及形成第一布线线路包括形成宽度宽于由一组默认规则限定的宽度的第一布线线路。

在一些实施例中，该方法还包括：形成位于所述布线线路和接收引脚之间的多层单个金属段，从而建立从所述第一驱动引脚和所述第二驱动引脚至所述接收引脚的电连接。

在一些实施例中，该方法还包括：在第三驱动引脚和第四驱动引脚上方形成第三通孔阵列，所述第三驱动引脚和所述第四驱动引脚设置在所述驱动引脚层处并且与所述第一驱动引脚和所述第二驱动引脚平行，其中，所述第三通孔阵列包括接触所述第三驱动引脚的第三多个通孔以及接触所述第四驱动引脚的第四多个通孔；在所述第三阵列上方形成第三多个金属段，其中，所述第三多个金属段中的每一个金属段均被定向为与所述第三驱动引脚和所述第四驱动引脚垂直，并且接触所述第三多个通孔中的通孔和所述第四多个通孔中的通孔；在所述第三多个金属段上方形成第四通孔阵列，其中，所述第四通孔阵列中的每个通孔均接触所述第三多个金属段中的金属段；在所述第四通孔阵列上方形成第四多个金属段，其中，所述第四多个金属段中每个金属段均定向为与所述第三多个金属段中的金属段垂直，并且接触所述第四通孔阵列中的多个通孔；在所述顶层处形成第二对顶层通孔；以及形成在所述第二对顶层通孔之上并且与所述第二对顶层通孔接触的第二布线线路，从而建立从所述第二布线线路至所述第三驱动引脚和所述第四驱动引脚的电连接；其中，形成所述第三多个金属段中的每一个金属段和所述第四多个金属段中的每一个金属段均包括根据所述一组默认规则形成金属段，以及形成第二布线线路包括形成具有大于由所述一组默认规则限定的宽度的宽度的第二布线线路。

在一些实施例中，形成所述第一通孔阵列、所述第二通孔阵列、所述第三通孔阵列和所述第四通孔阵列包括在与所述第三驱动引脚和所述第四驱动引脚交替的所述第一驱动引脚和所述第二驱动引脚的上方形成所述第一通孔阵列、所述第二通孔阵列、所述第三通孔阵列和所述第四通孔阵列。

虽然已详细描述了本发明的实施例和它们的优点，应当理解在没有脱离由附加权利要求限定的实施例的精神和范围情况下，在此能够做出各种改变、代替和更改。而且，本申请的范围不旨在限制于说明书中描述的工艺、机器、制造、组合物、手段、方法和步骤的特定实施例。基于本公开、工艺、机器、制造、组合物、手段、方法或者步骤，当前存在的或者之后要研发的，本领域普通技术人员将容易理解根据本公开可以大体实施与在此介绍的相应实施例相同的目的和/或大体实现相同的结果。因此，附加权利要求旨在将这种的工艺、机器、制造、组合物、手段、方法或步骤包括在它们的范围内。另外，每一项权利要求构成一个单独的实施例，并且各项权利要求和各个实施例的组合在本公开的范围内。