低温多晶硅薄膜及晶体管的制造方法与流程

技术特征：

技术总结
低温多晶硅薄膜及晶体管的制造方法。本申请提出一种低温多晶硅薄膜的制造方法，包括：在一衬底上形成一缓冲层，在所述缓冲层上形成一硅层；粗糙化所述硅层的表面，以形成不平整表面作为再结晶成长空间；对所述硅层进行退火以形成一多晶硅层，并使所述多晶硅层的部分硅材料形成至再结晶成长空间。

技术研发人员：单剑锋
受保护的技术使用者：惠科股份有限公司
技术研发日：2017.10.12
技术公布日：2018.04.20