技术特征：
技术总结
提供晶片的加工方法，能够防止从晶片分割而得的芯片侧面的污染。在沿着分割预定线(L)在晶片(W)内部形成了改质层(R)之后，利用磨削动作以改质层作为起点，沿着分割预定线对晶片进行分割。接着，在进行了磨削的晶片的背面侧粘贴扩展带(ET)之后，在使相邻的芯片(C)彼此分离的方向上对扩展带进行扩展，在相邻的芯片间形成间隙(S)。然后，使干冰微粒(DR)沿着多个芯片间高速喷射至芯片间的间隙，对芯片间进行清洗。
技术研发人员：中村胜
受保护的技术使用者：株式会社迪思科
技术研发日：2017.11.03
技术公布日：2018.05.25