技术特征：
技术总结
微发光元件，包括转移材料层、微发光二极管，转移材料层至少覆盖微发光二极管的顶面或侧面，转移材料层至少分为转移状态和稳定状态；在转移状态下，转移材料层为柔性材料；在稳定状态下，微发光二极管设置在转移材料层的凹槽中，凹槽的深度为0.1~5μm，转移材料层向微发光二极管提供夹持力，解决微发光二极管转移过程中容易松动或脱落的问题，提高微发光二极管转移的良率，特别是大量转移的良率。
技术研发人员：丁绍滢;范俊峰;李佳恩;徐宸科
受保护的技术使用者：厦门市三安光电科技有限公司
技术研发日：2017.12.21
技术公布日：2018.07.06