1.一种环腔纳米线电注入单光子源器件，其特征在于：包括p型电极（1）、pin纳米线（2）、量子点（3）、多层同心环腔（4）、n型电极（5）、下层n型材料（6）和衬底（7）；
所述衬底（7）位于最底层，衬底（7）的上面为下层n型材料（6），下层n型材料（6）的上面为pin纳米线（2）、量子点（3）、多层同心环腔（4）、n型电极（5），p型电极（1）位于pin纳米线（2）的上面；
所述多层同心环腔（4）以pin纳米线（2）为圆心位于 pin纳米线（2）的外层；
所述n型电极（5）以pin纳米线（2）为圆心呈环形位于多层同心环腔（4）的外层，且靠近下层n型材料（6）的边缘；
所述pin纳米线（2）位于下层n型材料（6）的中心上，量子点（3）嵌埋于pin纳米线（2）中间。
2.根据权利要求1所述的环腔纳米线电注入单光子源器件，其特征在于：所述pin纳米线（2）由p型材料、本征型、n型材料构成pin结构；其中，p型材料位于最上层，与p型电极（1）形成欧姆接触。
3.根据权利要求1所述的环腔纳米线电注入单光子源器件，其特征在于：所述量子点（3）位于pin纳米线（2）的本征层中，采用禁带宽度小于pin纳米线（2）的材料，与pin纳米线（2）一起构成单量子阱结构。
4.根据权利要求1所述的环腔纳米线电注入单光子源器件，其特征在于：所述多层同心环腔（4）由两种或多种复折射率不同的材质构成，其材质为空气、或介质绝缘材料、或金属材料。
5.根据权利要求1所述的环腔纳米线电注入单光子源器件，其特征在于：所述n型电极（5）与下层n型材料（6）形成n型欧姆接触。
6.根据权利要求1所述的环腔纳米线电注入单光子源器件，其特征在于：所述下层n型材料（6）与pin纳米线（2）中的n型材料材质一致。