技术总结
本专利公开一种电磁诱导势阱半导体禁带下室温光电导探测器件，该器件由半导体衬底上依次生长半导体外延层，钝化保护层和正负电极金属层构成。该器件基于电磁诱导势阱、远禁带下室温光电导机制，选用适宜参数(载流子浓度，迁移率等)的半导体材料，通过理论分析，设计合理的器件尺寸，通过前放电路对光电信号进行放大读出，实现高速光信号到电信号转换及探测。具有可室温工作，远小于半导体禁带下产生较强光电导，灵敏度高，响应迅速，结构简单紧凑以及可大规模集成等优点。
技术研发人员：黄志明;周炜;姚娘娟;曲越;吴敬;高艳卿;黄敬国;张飞;尹一鸣;褚君浩
受保护的技术使用者：中国科学院上海技术物理研究所
文档号码：201720067353
技术研发日：2017.01.19
技术公布日：2017.08.15