1.一种瞬态电压抑制器（TVS）芯片结构，包括N+结构层、N-结构层、P-结构层、P+结构层、玻璃保护层、金属面层，芯片结构为P+P-N+N-单向高电压瞬态电压抑制器芯片，芯片N+结构层正面设置为N-结构层，N-结构层正面设置为P-结构层，P-结构层正面设置为P+结构层；台面附近区域设置辅助沟槽结构，辅助沟槽结构的表面覆盖有玻璃保护层，金属面层包括上金属面层和下金属面层，P+结构层正面设置上金属面层，N+结构层背面设置下金属面层。
2.根据权利要求1所述的一种瞬态电压抑制器（TVS）芯片结构，其特征在于：芯片结构总厚度，为240微米。
3.根据权利要求1所述的一种瞬态电压抑制器（TVS）芯片结构，其特征在于：N-基区宽度为55微米， P+和P-型扩散区宽度为95微米，N+区宽度为60微米。