技术总结
本实用新型公开了一种瞬态电压抑制器（TVS）芯片结构，其特征在于：包括N+结构层、N‑结构层、P结构层、P+结构层、玻璃保护层、金属面层。所述芯片N+结构层正面设置为N‑结构层，N‑结构层正面设置为P‑结构层，P‑结构层正面设置为P+结构层；台面附近区域设置辅助沟槽结构，辅助沟槽结构的表面覆盖有玻璃保护层。金属面层包括上金属面层和下金属面层。P+结构层正面设置上金属面层，N+结构层背面设置下金属面层。本实用新型结构得益的效果：当外加最高反向电压时，N型基区耗尽层被限制在基区以内，其击穿电压高于主体结击穿电压，使主体结区域先击穿，漏电流分布于主体结区域，而辅助结区域不发生击穿，从而解决了单扩散结结构在生产高电压芯片时的漏电大，击穿电压低，易损坏的问题，提高了高电压瞬态电压抑制器的耐压性能，同时提高瞬态电压抑制器的抗浪涌能力及可靠性。
技术研发人员：朱世良
受保护的技术使用者：杭州东沃电子科技有限公司
文档号码：201720137083
技术研发日：2017.02.16
技术公布日：2017.10.13