1.一种功率吸收装置，其特征在于，包括：
耦合棒，用于安装在射频器件本体的不使用端口内，所述耦合棒的第一端伸入所述不使用端口的内侧，所述耦合棒的第二端位于所述不使用端口的外侧；及
功率吸收负载，用于安装在所述射频器件本体上，且位于所述不使用端口的外端处，所述功率吸收负载具有吸收引脚，所述吸收引脚与所述耦合棒连接。
2.根据权利要求1所述的功率吸收装置，其特征在于，还包括用于安装在射频器件本体上的盖板，所述盖板用于盖设在所述不使用端口的外侧。
3.根据权利要求2所述的功率吸收装置，其特征在于，所述盖板与所述耦合棒之间设有空隙。
4.根据权利要求1所述的功率吸收装置，其特征在于，还包括阻抗匹配介质，所述耦合棒的第二端与所述不使用端口的外侧之间具有间隙，所述阻抗匹配介质用于安装在所述不使用端口的外侧处，所述阻抗匹配介质填充所述耦合棒的第二端与所述不使用端口的外侧之间的间隙。
5.根据权利要求4所述的功率吸收装置，其特征在于，所述阻抗匹配介质为塑料件。
6.根据权利要求1-5任一项所述的功率吸收装置，其特征在于，所述耦合棒与所述射频器件本体的不使用端口可拆卸连接，所述功率吸收负载与所述射频器件本体可拆卸连接。
7.根据权利要求1-5任一项所述的功率吸收装置，其特征在于，所述耦合棒的第一端与所述不使用端口的内侧焊接连接，所述功率吸收负载与所述射频器件本体螺栓连接。
8.根据权利要求1-5任一项所述的功率吸收装置，其特征在于，所述耦合棒为圆形棒或方形棒。
9.根据权利要求1-5任一项所述的功率吸收装置，其特征在于，所述功率吸收负载为衰减器。
10.一种微波射频器件，其特征在于，包括射频器件本体以及权利要求1-9任一项所述的功率吸收装置，所述功率吸收装置安装在所述射频器件本体的不使用端口处。