本实用新型属于显示器件技术领域,具体涉及一种非晶氧化物薄膜晶体管。
背景技术:
近年来,非晶氧化物薄膜晶体管(TFT)在以有源矩阵驱动液晶显示(AMLCD)、有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)和电子纸(E-paper)为代表的信息显示中起重要作用。非晶氧化物TFT具有较高的迁移率,低制备温度,高均匀性等优点可满足当前显示技术朝大尺寸、高分辨率和柔性等方向发展的要求。
技术实现要素:
本实用新型的目的在于提供一种非晶氧化物薄膜晶体管。
本实用新型目的通过以下技术方案实现:
一种非晶氧化物薄膜晶体管,由依次层叠的玻璃基板、Al:Nd薄膜栅极、AlOx:Nd栅极绝缘层、氧化物半导体(STO)薄膜有源层和源/漏电极构成,其中源/漏电极与有源层位于同一层,源/漏电极分布在有源层两端。
进一步地,所述Al:Nd薄膜的厚度为100~300nm;所述AlOx:Nd栅极绝缘层的厚度为200~400nm。
进一步地,所述Al:Nd的掺杂浓度为1~5at%。
进一步地,所述氧化物半导体薄膜厚度为5~30nm。
进一步地,所述的氧化物半导体薄膜的材料为STO-5(SiO2:SnO2=5:95wt%)。
本实用新型的非晶氧化物薄膜晶体管可通过如下方法制备:
(1)在玻璃基板上直流磁控溅射Al:Nd薄膜作为栅极,然后在Al:Nd薄膜栅极表面氧化生长AlOx:Nd栅极绝缘层;
(2)采用射频磁控溅射在栅绝缘层上沉积氧化物半导体(STO)薄膜,作为TFT的有源层,氧化物半导体薄膜厚度为5~30nm;
(3)利用光刻技术在STO薄膜上直流磁控溅射制备源/漏电极;
(4)将步骤(3)所得器件在能量密度为20~100mJ/cm2的全固态激光条件下进行激光能量密度处理,得到所述非晶氧化物薄膜晶体管(STO-TFT)。
本实用新型的非晶氧化物薄膜晶体管具有如下优点及有益效果:
(1)本实用新型源漏电极与有源层之间接触面积小,寄生电容小,减小阻容延迟;
(2)本实用新型氧化物薄膜有源层具有良好的抗刻蚀性,可以制备小型化背沟道刻蚀型薄膜晶体管,实现高分辨显示。
附图说明
图1为本实用新型实施例的氧化物薄膜晶体管的结构示意图。图中编号说明如下:11-玻璃基板,12-Al:Nd薄膜栅极,13-AlOx:Nd栅极绝缘层,14-氧化物半导体薄膜有源层,15-源/漏电极。
具体实施方式
下面结合实施例及附图对本实用新型作进一步详细的描述,但本实用新型的实施方式不限于此。
实施例
本实施例的一种非晶氧化物薄膜晶体管,其结构结构示意图如图1所示。所述氧化物薄膜晶体管由依次层叠的玻璃基板11、Al:Nd薄膜栅极12、AlOx:Nd栅极绝缘层13、氧化物半导体薄膜有源层14和源/漏电极15构成,其中源/漏电极15与有源层14位于同一层,源/漏电极15分布在有源层14两端。
所述非晶氧化物薄膜晶体管通过如下方法制备得到:
(1)在玻璃基板上直流磁控溅射100~300nm Al:Nd薄膜作为栅极,然后在Al:Nd薄膜栅极表面氧化生长200~400nm AlOx:Nd栅极绝缘层;
(2)采用射频磁控溅射在栅绝缘层上沉积氧化物半导体STO-5(SiO2:SnO2=5:95wt%)薄膜,作为TFT的有源层,氧化物半导体薄膜厚度为5~30nm;
(3)利用光刻技术在STO薄膜上直流磁控溅射制备源/漏电极;
(4)将步骤(3)所得器件在能量密度为20~100mJ/cm2的全固态激光条件下进行激光能量密度处理,得到所述非晶氧化物薄膜晶体管(STO-TFT)。
本实施例的源/漏电极与有源层位于同一层,源/漏电极分布在有源层两端,源漏电极与有源层之间接触面积小,寄生电容小,减小阻容延迟。
上述实施例为本实用新型较佳的实施方式,但本实用新型的实施方式并不受上述实施例的限制,其它的任何未背离本实用新型的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化,均应为等效的置换方式,都包含在本实用新型的保护范围之内。