一种多叠层式纳米压电器件的制作方法

技术特征：

1.一种多叠层式纳米压电器件,其特征在于，由至少五层叠层而成矩形结构体，依顺序是氮化镓-聚苯乙烯基质层Ⅰ(1)、n型银掺杂氧化锌纳米线阵列层Ⅰ(2)、氮掺杂石墨烯层(3)、n型银掺杂氧化锌纳米线阵列层Ⅱ(4)和氮化镓-聚苯乙烯基质层Ⅱ(5)五层压合；在所述氮化镓-聚苯乙烯基质层Ⅰ(1)的一侧连接有铟锡氧化物电极Ⅰ(6)，所述氮掺杂石墨烯层(3)的一侧连接有石墨电极(7)，氮化镓-聚苯乙烯基质层Ⅱ(5)的一侧连接有铟锡氧化物电极Ⅱ(8)。

2.根据权利要求1所述的多叠层式纳米压电器件,其特征在于，所述的矩形结构体的尺寸为长X宽X厚＝(1～5cm)X(1～5cm)X(0.1～1.0cm)，其中，所述氮化镓-聚苯乙烯基质层Ⅰ(1)和氮化镓-聚苯乙烯基质层Ⅱ(5)的尺寸分别为长X宽X厚＝(0.1～1.0cm)X(0.1～1.0cm)X(0.1～0.5cm)，所述的n型银掺杂氧化锌纳米线阵列层Ⅰ(2)和n型银掺杂氧化锌纳米线阵列层Ⅱ(4)的尺寸分别为长X宽X厚＝(0.1～1.0cm)X(0.1～1.0cm)X(0.001～0.1cm)，所述的氮掺杂石墨烯层(3)的尺寸为长X宽X厚＝(0.1～1.0cm)X(0.1～1.0cm)X(0.00001～0.001cm)。

3.根据权利要求1所述的多叠层式纳米压电器件,其特征在于，所述的电极连接分别是，采用低温固相反应法形成氮掺杂石墨烯层(3)与石墨电极(7)肖特基接触；采用合金高温退火法实现铟锡氧化物电极Ⅰ、Ⅱ(6、8)与所述氮化镓-聚苯乙烯基质层Ⅰ、Ⅱ(1、5)基质欧姆接触。

4.根据权利要求1所述的多叠层式纳米压电器件,其特征在于，所述的石墨电极(7)为普通石墨电极。

5.根据权利要求1所述的多叠层式纳米压电器件,其特征在于，所述氮化镓-聚苯乙烯基质层Ⅰ(1)和铟锡氧化物电极Ⅰ(6)的连接以及所述氮化镓-聚苯乙烯基质层Ⅱ(5)和铟锡氧化物电极Ⅱ(8)的连接均为采用低温固相反应法形成肖特基接触连接。

6.根据权利要求1所述的多叠层式纳米压电器件,其特征在于，所述氮掺杂石墨烯层(3)和石墨电极(7)的连接是采用低温固相反应法形成肖特基接触连接。