技术总结
本实用新型公开了一种刻蚀设备的上电极安装结构以及刻蚀设备，属于集成电路制造设备技术领域，包括冷却盘和上电极，于冷却盘接触上电极的一面上设置两个同心的环形的凹槽，凹槽的开口处朝向上电极，每个凹槽的横截面包括垂直壁和倾斜壁，上电极安装结构还包括两个唇型密封圈，分别设置于两个凹槽内；唇型密封圈的本体部分与凹槽适配，唇部接触上电极，唇部开口朝向凹槽的垂直壁。上述技术方案的有益效果是：在冷却盘和上电极之间设置唇型密封圈，由于唇型密封圈的中间有间隙，受热时其形变方向朝向唇型开口的内侧，使得在具有相同密封效果的情况下，上电极的受力较原先使用O型密封圈时小，减小上电极与冷却盘之间的间隙，提高热传导效率。
技术研发人员：袁鹏华;潘无忌;刘东升;朱骏;张旭升
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
技术研发日：2017.07.26
技术公布日：2018.06.12