一种耐环境高速集成连接器的制作方法

本实用新型涉及连接器技术领域，尤其涉及一种耐环境高速集成连接器。

背景技术：

连接器作为工作在电路阻断处或孤立不通的电路之间，架起沟通的桥梁，从而使电流流通，从而使电路实现预定的功能，连接器是电子设备中不可缺少的部件，顺着电流流通的通路观察，你总会发现有一个或多个连接器，连接器形式和结构是千变万化的，随着应用对象、频率、功率、应用环境等不同，有各种不同形式的连接器，在这其中，电脑连接器更普通，更贴近与我们的生活，在日常生活中更为人们所熟知。

中国专利文献公告号205960275U公开了一种耐腐蚀连接器，其包含连接器壳体；连接器壳体与绝缘体连接；绝缘体上加工有一组插孔，插孔内具有连接器插针，接器插针穿过绝缘体与连接器壳体内的数据传输装置连接，数据传输装置与数据线连接，连接器插针上具有防腐蚀保护装置，防腐蚀保护装置安装在所述的绝缘体上，连接器壳体上分别安装有一组连接紧固螺栓、一组紧固连接螺孔。采用连接器插针外端覆盖防腐蚀保护装置，插针插进插孔时，将弹性橡胶套挤下进入橡胶顶垫的凹槽内，此时插针插孔数据连接，并将连接紧固螺栓与连接紧固螺孔固定连接，保证连接处稳定，同时密封，保证装置耐腐蚀，同时壳体外端采用陶瓷保护罩，大大了加大连接器的耐腐蚀强度。虽然该专利通过绝缘体与插针(即导电端子)的套接配合以实现耐腐蚀功能，但是外界的液体或气体等腐蚀性物质会从结合缝隙处穿透并沉积在导电端子与绝缘体之间，可能会腐蚀连接器。另外，该专利所采用的壳体是用铝合金直接成型加工的，而铝合金同样会容易受到外界的液体或气体等腐蚀性物质的腐蚀。

技术实现要素：

本实用新型的目的是提供一种耐环境高速集成连接器，其能够提高连接器的耐腐蚀性能。

本实用新型提供一种耐环境高速集成连接器，包括壳体、绝缘本体和多个绝缘固定在所述绝缘本体的导电端子，所述绝缘本体包括第一绝缘体和第二绝缘体，第一绝缘体与各导电端子一体成型后，再与第二绝缘体一体成型，且第一绝缘体和第二绝缘体之间设有耐高温材料；壳体包括钢带基底，在钢带基底两侧面依次镀覆一层二氧化硅隔绝层和三层不同晶粒尺寸的镍多层膜，该镍多层膜的底层膜为厚度0.6～1μm的纳米晶镍镀层，中间层膜为厚度2～3μm的微米晶镍镀层，顶层膜为厚度0.6～1μm的纳米晶镍镀层。

其中，该镍多层膜的底层膜为厚度0.7～0.8μm的纳米晶镍镀层，中间层膜为厚度2.5～3μm的微米晶镍镀层，顶层膜为厚度0.7～0.8μm的纳米晶镍镀层。

其中，每个导电端子包括接触部和焊接部，焊接部的表面镀覆有厚度为0.15-0.25μm的金镀层，接触部的表面镀覆有厚度不少于0.1μm的金镀层。

其中，所述二氧化硅隔绝层的厚度为1～4μm。

其中，所述二氧化硅隔绝层为无定型二氧化硅隔绝层。

本实用新型的有益效果为：通过把第一绝缘体与各导电端子一体成型后，再与第二绝缘体一体成型，且第一绝缘体和第二绝缘体之间设有耐高温材料，即第一绝缘体与第二绝缘体之间设置有耐高温材料，以充分密封第一绝缘体和第二绝缘体之间的缝隙，从而减小液体或气体从结合缝隙处穿透在两者之间，避免腐蚀连接器；另外，以二氧化硅作为电子隔绝层，其阻断了钢带基底和镍多层膜之间的电子流传递，防止了电化学腐蚀，提高了镀膜的耐腐蚀性；采用了多层膜结构，且由于对各层的薄膜的厚度和构成薄膜的晶粒尺寸进行了精心设计，使得本实用新型的材料在力学、电磁学以及材料的耐腐蚀性能方面，特别是对中低阻抗磁场有很好的屏蔽性能，显示出明显不同于组成它们的单层材料或传统材料的性质。

附图说明

利用附图对本实用新型作进一步说明，但附图中的实施例不构成对本实用新型的任何限制，对于本领域的普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据以下附图获得其它的附图。

图1是本实用新型实施例中连接器的结构示意图。

图2是壳体的剖视图。

在图1和图2中包括：1——壳体，11——钢带基底，12——二氧化硅隔绝层，13——底层膜，14——中间层膜，115——顶层膜，2——导电端子，3——第一绝缘体，4——第二绝缘体。

具体实施方式

结合以下实施例对本实用新型作进一步描述。

如图1所示，本实用新型一种耐环境高速集成连接器，包括壳体1、绝缘本体和多个绝缘固定在所述绝缘本体的导电端子2，所述绝缘本体包括第一绝缘体3和第二绝缘体4，第一绝缘体3与各导电端子5一体成型后，再与第二绝缘体4一体成型，且第一绝缘体3和第二绝缘体4之间设有耐高温材料(图中未示出)，这样就充分密封第一绝缘体3和第二绝缘体4之间的缝隙，从而减小液体或气体从结合缝隙处穿透在两者之间，避免腐蚀连接器。

如图2所示，壳体1包括钢带基底11，在钢带基底11两侧面依次镀覆一层二氧化硅隔绝层12和三层不同晶粒尺寸的镍多层膜，该镍多层膜的底层膜13为厚度0.6～1μm的纳米晶镍镀层，中间层膜14为厚度2～3μm的微米晶镍镀层，顶层膜25为厚度0.6～1μm的纳米晶镍镀层。以二氧化硅作为电子隔绝层，其阻断了钢带基底1和镍多层膜之间的电子流传递，防止了电化学腐蚀，提高了镀膜的耐腐蚀性；采用了多层膜结构，且由于对各层的薄膜的厚度和构成薄膜的晶粒尺寸进行了精心设计，使得本实用新型的材料在力学、电磁学以及材料的耐腐蚀性能方面，特别是对中低阻抗磁场有很好的屏蔽性能，显示出明显不同于组成它们的单层材料或传统材料的性质。

进一步地，底层膜13的纳米晶镍镀层的晶粒尺寸是在0.7～0.8μm之间，纳米晶镍镀层减少了镀层的孔隙率，当晶粒尺寸在特定的0.7～0.8μm范围内，可以使镍颗粒填充于微米级基底材料的晶粒之间的缝隙，并与基底材料的微米晶粒之间形成良好的啮合，从而提高了镀层与基底之间的结合力；中间层膜为厚度2.5～3μm的微米晶镍镀层，中间层微米晶镍镀层的厚度如果小于2.5μm，将不能很好地达到防腐的效果，镍镀层可以超过3μm，但是镀层过厚会导致成本的增加；顶层膜为厚度0.7～0.8μm的纳米晶镍镀层，顶层膜具有较高的硬度。

进一步地，每个导电端子2包括接触部和焊接部(图1中未示出)，焊接部的表面镀覆有厚度为0.15-0.25μm的金镀层，接触部的表面镀覆有厚度不少于0.1μm的金镀层，接触部在使用过程中需与对应元件产生反复摩擦，故接触部需要很好的抗腐蚀性和耐磨耗性，接触部和焊接部的金镀层的特殊厚度不仅能保证电连接器端子具有良好导电性、抗腐蚀性以及耐磨性，还有效控制了导电端子2的生产成本。

进一步地，1～4μm厚度的二氧化硅隔绝层12可以提高二氧化硅隔绝层12的层结构致密性，避免外界的湿气等杂质渗入二氧化硅隔绝层12中所导致其对电子的隔绝性降低。具体地，二氧化硅隔绝层12为无定型二氧化硅隔绝层，无定型二氧化硅中的部分原子含有悬空键，这些悬空键对硅作为导体的性质有很大的负面影响，即更好地阻滞电子的流动；此外，无定型二氧化硅相比于晶体形二氧化硅，由于其不存在结晶状态，因此避免了晶体状态通常难以避免地存在晶型缺陷或空穴所导致的绝缘性降低，具有更佳的对电子的阻隔性。

最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对本实用新型保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的实质和范围。