一种薄膜晶体管及显示装置的制作方法

本实用新型涉及显示技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管及显示装置。

背景技术：

目前薄膜晶体管已广泛应用于液晶显示技术、有机电致发光显示技术以及集成电路等方面，例如作为有源阵列显示装置中像素单元的开关，或者所为阵列基板行驱动的基本单元，形成栅极驱动电路。通过薄膜晶体管制备的显示装置，工艺流程更简单，面板的集成度更高，因此，薄膜晶体管在平板显示技术中发挥重要的作用。

本实用新型的发明人在长期的研发中发现，薄膜晶体管一般采用透明的玻璃作为基板，氮化硅或氧化硅材料作为栅绝缘层，有源层设置在基板或栅绝缘层上，由于玻璃、氮化硅和氧化硅的导热率较低，当流过有源层的电流较大时，产生的热量无法通过基板或栅绝缘层快速传导到周围环境中，容易引起薄膜晶体管的自热效应，使薄膜晶体管的工作参数，例如阈值电压、开态电流(I_on)、关态电流(I_off)和亚阈值摆幅等发生改变，从而影响薄膜晶体管的正常工作状态。

技术实现要素：

本实用新型提供一种薄膜晶体管及显示装置，以解决现有技术中薄膜晶体管的有源层热量无法发散，影响薄膜晶体管的正常工作状态的技术问题。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的一个技术方案是提供一种薄膜晶体管，包括：

栅极、源极、漏极、有源层和热传输层；

其中，所述热传输层设置于所述有源层的一侧。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的另一个技术方案是提供一种显示装置，包括如上述的薄膜晶体管。

本实用新型通过在薄膜晶体管的有源层一侧设置热传输层，使得有源层的热量能够迅速传导到周围环境中，避免薄膜晶体管的自热效应影响到正常的工作状态。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：

图1是本实用新型薄膜晶体管一实施例的结构示意图；

图2是图1所示的薄膜晶体管在基板与有源层之间增加热传输层的一实施例的结构示意图；

图3是图1所示的薄膜晶体管在有源层与栅绝缘层之间增加热传输层的一实施例的结构示意图；

图4是图1所示的薄膜晶体管分别在基板与有源层之间、有源层与栅绝缘层之间增加热传输层的一实施例的结构示意图；

图5是本实用新型薄膜晶体管另一实施例的结构示意图；

图6是图5所示的薄膜晶体管在基板与有源层之间增加热传输层的一实施例的结构示意图；

图7是图5所示的薄膜晶体管在有源层与栅绝缘层之间增加热传输层的一实施例的结构示意图；

图8是图5所示的薄膜晶体管分别在基板与有源层之间、有源层与栅绝缘层之间增加热传输层的一实施例的结构示意图；

图9是本实用新型薄膜晶体管又一实施例的结构示意图；

图10是图9所示的薄膜晶体管在有源层远离栅绝缘层一侧增加热传输层的一实施例的结构示意图；

图11是图9所示的薄膜晶体管在有源层与栅绝缘层之间增加热传输层的一实施例的结构示意图；

图12是图9所示的薄膜晶体管分别在有源层远离栅绝缘层一侧、有源层与栅绝缘层之间增加热传输层的一实施例的结构示意图；

图13是本实用新型薄膜晶体管再一实施例的结构示意图；

图14是图13所示的薄膜晶体管在有源层远离栅绝缘层一侧增加热传输层的一实施例的结构示意图；

图15是图13所示的薄膜晶体管在有源层与栅绝缘层之间增加热传输层的一实施例的结构示意图；

图16是图13所示的薄膜晶体管分别在有源层远离栅绝缘层一侧、有源层与栅绝缘层之间增加热传输层的一实施例的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，均属于本实用新型保护的范围。

参见图1，本实用新型薄膜晶体管一实施例包括：

基板101；

有源层102，设置于基板101上；

源极103和漏极104，设置于有源层102上；

栅绝缘层105，设置于有源层102上，且与源极103、漏极104同层设置；

其中，源极103和漏极104分别位于栅绝缘层105的两侧，且源极103和漏极104都不与栅绝缘层105接触。

栅极106，设置于栅绝缘层105上。

其中，栅极106的面积小于等于栅绝缘层105的面积。

可选的，基板101和/或栅绝缘层105为导热材料以作为热传输层。当基板101为热传输层时，热传输层位于有源层102远离栅绝缘层105的一侧，栅绝缘层105可以为导热率一般的材料，例如氮化硅或者氧化硅等。当栅绝缘层105为热传输层时，热传输层位于有源层102与栅极106之间，基板101可以为导热率一般的材料，例如玻璃或塑料等。

可选的，热传输层可以为绝缘性好且导热率好的材料，例如金刚石、类金刚石、高阻碳化硅、氧化铍陶瓷、氮化硼或氮化铝等。

参见图2，是图1所示的薄膜晶体管在基板与有源层之间增加热传输层的一实施例，包括依次设置的基板101、热传输层1071、有源层102、源极103和漏极104、栅绝缘层105、栅极106。

其中，栅绝缘层105与源极103、漏极104同层设置，且源极103和漏极104分别位于栅绝缘层105的两侧，源极103和漏极104都不与栅绝缘层105接触。

可选的，热传输层1071的面积与有源层102的面积相等，以最大程度接触有源层102，帮助有源层102散热。

参见图3，是图1所示的薄膜晶体管在有源层与栅绝缘层之间增加热传输层的一实施例，包括依次设置的基板101、有源层102、源极103和漏极104、热传输层1072、栅绝缘层105、栅极106。

其中，热传输层1072与源极103、漏极104同层设置，且源极103和漏极104分别位于热传输层1072的两侧，源极103和漏极104都不与热传输层1072接触。

可选的，热传输层1072的面积大于等于栅绝缘层105的面积，以最大程度接触有源层102，帮助有源层102散热。

在其他实施例中，源极103和漏极104也可以设置于热传输层1072上，且热传输层1072对应源极103和漏极104的区域为导电材料，使得源极103和漏极104与有源层102电性连接。

参见图4，是图1所示的薄膜晶体管分别在基板与有源层之间、有源层与栅绝缘层之间增加热传输层的一实施例，包括依次设置的基板101、第一热传输层1073、有源层102、源极103和漏极104、第二热传输层1074、栅绝缘层105、栅极106。

其中，第二热传输层1074与源极103、漏极104同层设置，且源极103和漏极104分别位于第二热传输层1074的两侧，源极103和漏极104都不与第二热传输层1074接触。

可选的，第一热传输层1073的面积与有源层102的面积相等，第二热传输层1074的面积大于等于栅绝缘层105的面积，以使得第一热传输层1073和第二热传输层1074最大程度接触有源层102，帮助有源层102散热。

本实用新型通过在薄膜晶体管的有源层一侧设置热传输层，使得有源层的热量能够迅速传导到周围环境中，避免薄膜晶体管的自热效应影响到正常的工作状态。

参见图5，本实用新型薄膜晶体管另一实施例包括：

基板201；

源极202和漏极203，设置于基板201上；

有源层204，设置于基板101上，且分别覆盖源极202和漏极203的一部分；

栅绝缘层205，设置于有源层204上；

栅极206，设置于栅绝缘层205上。

其中，有源层204设有凹面2041，栅绝缘层205设置于凹面2041上且栅绝缘层205与栅极306的接触面与有源层204的边缘顶面2042对齐。

其中，栅极206的面积小于等于栅绝缘层205的面积。

可选的，基板201和/或栅绝缘层205为导热材料以作为热传输层。当基板201为热传输层时，热传输层位于有源层204远离栅绝缘层205的一侧，栅绝缘层205可以为导热率一般的材料，例如氮化硅或者氧化硅等。当栅绝缘层205为热传输层时，热传输层位于有源层204与栅极206之间，基板201可以为导热率一般的材料，例如玻璃或塑料等。

可选的，热传输层可以为绝缘性好且导热率好的材料，例如金刚石、类金刚石、高阻碳化硅、氧化铍陶瓷、氮化硼或氮化铝等。

可选的，基板201和栅绝缘层205可以都为热传输层，分别位于有源层202的两侧。

参见图6，是图5所示的薄膜晶体管在基板与有源层之间增加热传输层的一实施例，包括依次设置的基板201、热传输层2071、源极202和漏极203、有源层204、栅绝缘层205、栅极206。

其中，有源层204与源极202和漏极203同层设置，且分别覆盖源极202和漏极203的一部分。

可选的，热传输层2071的面积大于等于有源层204的面积，以最大程度接触有源层204，帮助有源层204散热。

参见图7，是图5所示的薄膜晶体管在有源层与栅绝缘层之间增加热传输层的一实施例，包括依次设置的基板201、源极202和漏极203、有源层204、热传输层2072、栅绝缘层205、栅极206。

其中，有源层204与源极202和漏极203同层设置，且分别覆盖源极202和漏极203的一部分。

可选的，热传输层2072的面积大于等于栅绝缘层205的面积，以最大程度接触有源层204，帮助有源层204散热。

参见图8，是图5所示的薄膜晶体管分别在基板与有源层之间、有源层与栅绝缘层之间增加热传输层的一实施例，包括依次设置的基板201、第一热传输层2073、源极202和漏极203、有源层204、第二热传输层2074、栅绝缘层205、栅极206。

其中，有源层204与源极202和漏极203同层设置，且分别覆盖源极202和漏极203的一部分。

可选的，第一热传输层2073的面积大于等于有源层204的面积，第二热传输层2074的面积大于等于栅绝缘层205的面积，以最大程度接触有源层204，帮助有源层204散热。

本实用新型通过在薄膜晶体管的有源层一侧设置热传输层，使得有源层的热量能够迅速传导到周围环境中，避免薄膜晶体管的自热效应影响到正常的工作状态。

参见图9，本实用新型薄膜晶体管又一实施例包括：

基板301；

栅极302，设置于基板301；

栅绝缘层303，设置于栅极302，且完全覆盖栅极302；

有源层304，设置于栅绝缘层303；

源极305和漏极306，设置于有源层304，且源极305和漏极306同层设置但不接触。

可选的，栅绝缘层303为导热材料以作为热传输层，热传输层位于有源层304远离源极305和漏极306的一侧，栅绝缘层303可以为绝缘性好且导热率好的材料，例如金刚石、类金刚石、高阻碳化硅、氧化铍陶瓷、氮化硼或氮化铝等。

参见图10，是图9所示的薄膜晶体管在有源层远离栅绝缘层一侧增加热传输层的一实施例，包括依次设置的基板301、栅极302、栅绝缘层303、有源层304、热传输层3071、源极305和漏极306。

其中，热传输层3071覆盖有源层304，并对应源极305和漏极306设有开孔3071a，源极305和漏极306通过开孔3071a与有源层304电性连接。

参见图11，是图9所示的薄膜晶体管在有源层与栅绝缘层之间增加热传输层的一实施例，包括依次设置的基板301、栅极302、栅绝缘层303、热传输层3072、有源层304、源极305和漏极306。

可选的，热传输层3072的面积大于等于有源层304的面积，以最大程度接触有源层304，帮助有源层304散热。

参见图12，图9所示的薄膜晶体管分别在有源层远离栅绝缘层一侧、有源层与栅绝缘层之间增加热传输层的一实施例，包括依次设置的基板301、栅极302、栅绝缘层303、第一热传输层3073、有源层304、第二热传输层3074、源极305和漏极306。

其中，第二热传输层3074覆盖有源层304，并对应源极305和漏极306设有开孔3074a，源极305和漏极306通过开孔3074a与有源层304电性连接。

可选的，第一热传输层3073的面积大于等于有源层304的面积，以最大程度接触有源层304，帮助有源层304散热。

本实用新型通过在薄膜晶体管的有源层一侧设置热传输层，使得有源层的热量能够迅速传导到周围环境中，避免薄膜晶体管的自热效应影响到正常的工作状态。

参见图13，本实用新型薄膜晶体管再一实施例包括：

基板401；

栅极402，设置于基板401；

栅绝缘层403，设置于栅极402，且完全覆盖栅极302；

源极404和漏极405，设置于有源层304，且源极305和漏极306同层设置但不接触；

有源层406，设置于栅绝缘层403，且分别覆盖源极404和漏极405的一部分。

可选的，栅绝缘层403为导热材料以作为热传输层，热传输层位于有源层406远离源极404和漏极405的一侧，栅绝缘层403可以为绝缘性好且导热率好的材料，例如金刚石、类金刚石、高阻碳化硅、氧化铍陶瓷、氮化硼或氮化铝等。

参见图14，是图13所示的薄膜晶体管在有源层远离栅绝缘层一侧增加热传输层的一实施例，包括依次设置的基板401、栅极402、栅绝缘层403、源极404和漏极405、有源层406、热传输层4071。

可选的，热传输层4071的面积大于等于有源层406的面积，以最大程度接触有源层406，帮助有源层406散热。

参见图15，是图13所示的薄膜晶体管在有源层与栅绝缘层之间增加热传输层的一实施例，包括依次设置的基板401、栅极402、栅绝缘层403、源极404和漏极405、热传输层4072、有源层406。

其中，热传输层4072与源极404和漏极405同层设置，且位于源极404与漏极405之间；有源层406分别与源极404和漏极405电性连接。

可选的，热传输层4072的面积等于有源层406除与源极404和漏极405连接的面之外的面的面积，以最大程度接触有源层406，帮助有源层406散热。

在其他实施例中，热传输层4072还可以覆盖源极404和漏极405的部分，以增大与有源层406的接触面积。

参见图16，是图13所示的薄膜晶体管分别在有源层远离栅绝缘层一侧、有源层与栅绝缘层之间增加热传输层的一实施例，包括依次设置的基板401、栅极402、栅绝缘层403、源极404和漏极405、第一热传输层4073、有源层406、第二热传输层4074。

其中，第一热传输层4073与源极404和漏极405同层设置，且位于源极404与漏极405之间；有源层406分别与源极404和漏极405电性连接。

可选的，第一热传输层4073的面积等于有源层406除与源极404和漏极405连接的面之外的面的面积，第二热传输层4074的面积大于等于有源层406的面积，以最大程度接触有源层406，帮助有源层406散热。

本实用新型通过在薄膜晶体管的有源层一侧设置热传输层，使得有源层的热量能够迅速传导到周围环境中，避免薄膜晶体管的自热效应影响到正常的工作状态。

以上所述仅为本实用新型的实施方式，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。