一种太阳能电池湿法刻蚀水膜装置的制作方法

本实用新型涉及一种太阳能电池湿法刻蚀水膜装置，属于太阳能光伏电池制造技术领域。

背景技术：

硅片在磷扩散形成PN结过程中，虽然采用背靠背扩散，硅片的边缘将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面而造成短路，所以我们要对扩散后的硅片进行边缘刻蚀。现有的湿法刻蚀机台利用HNO3、HF和H2SO4的混合液体对扩散后硅片边缘进行腐蚀,硅片经过混合液体时采用“水上漂”的方式通过，去除边缘的N型硅,使得硅片的上下表面相互绝缘。为了保护硅片正面不被刻蚀药液腐蚀，会在正面进行水膜保护。

现有的刻蚀水膜装置设计如图1所示，硅片进传动滚轮进行传动，上方有水膜装置通过喷嘴喷水，使硅片表面覆盖水膜。此装置的设计缺点一是用水量较多，会有部分水从表面流走；二是水膜表面附着的水容易过多，硅片经过刻蚀槽的过程中，硅片上的水流失到刻蚀槽中稀释药液，从而增加化学品耗用量；三是喷射到硅片表面的水容易覆盖不均匀，甚至边角部位未覆盖到水膜，导致正面背腐蚀，造成产品不良。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种太阳能电池湿法刻蚀水膜装置，将喷水方式覆盖水膜方式替换成用微孔滚轮的方式使硅片表面覆盖一层均匀且薄的水膜进行正面保护，不仅降低了水膜装置耗水量，还降低了硅片表面附着水的量和硅片正面的均匀性覆盖水膜。

为达到上述目的，本实用新型提供一种太阳能电池湿法刻蚀水膜装置，包括若干个微孔滚轮，若干个所述微孔滚轮转动设置在传动滚轮上方，硅片位于所述微孔滚轮与传动滚轮之间，所述微孔滚轮为上下底面贯通的圆柱体，所述微孔滚轮侧壁上开设多个用于使所述微孔滚轮内部连接外界环境的微孔。

优先地，本实用新型中多个所述微孔等间距均匀分布在所述微孔滚轮上。

优先地，本实用新型中所述微孔滚轮上底面和所述微孔滚轮下底面均为进水口。

优先地，本实用新型中所述微孔直径为 10nm-10um。

优先地，本实用新型中所述微孔直径为 20nm。

优先地，本实用新型中所述微孔直径为1um。

优先地，包括电机，所述电机输出轴固定连接所述微孔滚轮的轴心。

本实用新型所达到的有益效果：

本实用新型所提供的一种太阳能电池湿法刻蚀水膜装置，微孔滚轮表面附着的水均匀沾到整个硅片表面从而形成水对硅片表面的完整覆盖，本实用新型的优势在于一是减少了水膜装置耗水量，原有的喷射方式覆盖水膜，有大量的水未附着在硅片表面从硅片上流失；二是硅片表面附着水量少，原有的喷射方式覆盖水膜，硅片表面水覆盖较多，硅片在刻蚀槽经过时，硅片上残留的水会流到槽体内稀释药液，从而增加了化学品耗用，采用本实用新型利于降低生产成本；三是水膜覆盖均匀，微孔滚轮和硅片整面均匀接触，水膜覆盖整片无死角，原有的喷射方式覆盖水膜，硅片表面的水容易覆盖不均匀甚至边角部位未覆盖到水膜。

附图说明

图1是现有技术中的刻蚀水膜装置示意图；

图2是本实用新型的正视图；

图3是本实用新型的侧视图。

附图中标记含义，1-喷嘴；2-硅片；3-传动滚轮；4-微孔；5-进水口；6-微孔滚轮。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步描述，以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案，而不能以此来限制本实用新型的保护范围。

一种太阳能电池湿法刻蚀水膜装置，包括两个微孔滚轮6，两个所述微孔滚轮6转动设置在传动滚轮3上方，硅片2位于所述微孔滚轮6与传动滚轮3之间，所述微孔滚轮6为上下底面贯通的圆柱体，所述微孔滚轮6侧壁上开设多个用于使所述微孔滚轮6内部连接外界环境的微孔4。

进一步地，本实用新型中多个所述微孔4等间距均匀分布在所述微孔滚轮6上。

进一步地，本实用新型中所述微孔滚轮6上底面和所述微孔滚轮6下底面均为进水口。

进一步地，本实用新型中所述微孔4直径为 10nm-10um，本实施例中所述微孔4直径为 20nm或1um。

进一步地，包括电机，所述电机输出轴固定连接所述微孔滚轮（6）的轴心。

本实用新型所提供的一种太阳能电池湿法刻蚀水膜装置，如图2所示，硅片在传动滚轮上向前传动，硅片上方安装微孔滚轮。微孔滚轮为中空设计，内腔和滚轮外壁由许多均匀分布的微孔导通，微孔的直径10nm-10um。从微孔两端通入水，水经过微孔滚轮内腔进入，由微孔渗透并附着到微孔滚轮外表面。当硅片从微孔滚轮下面经过时，电机带动微孔滚轮匀速转动，微孔滚轮表面附着的水均匀沾到整个硅片表面，从而形成水对硅片表面的完整覆盖。此种微孔滚轮可按照1根、2根或多根的形式平行排列，增强水膜覆盖效果。此种设计可通过调整微孔直径大小、微孔滚轮与传动滚轮之间的高度及通入微孔滚轮水压来控制水膜效果。

本实用新型的优势在于一是减少水膜装置耗水量，原有的喷射方式覆盖水膜，有大量的水未附着在硅片表面从硅片上流失。二是硅片表面附着水量少，原有的喷射方式覆盖水膜，硅片表面水覆盖较多，硅片在刻蚀槽经过时，硅片上残留的水会流到槽体内稀释药液，从而增加了化学品耗用。三是水膜覆盖均匀，微孔滚轮和硅片整面均匀接触，水膜覆盖整片无死角。原有的喷射方式覆盖水膜，硅片表面的水容易覆盖不均匀，甚至边角部位未覆盖到水膜。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，这些改进和变形也应视为本实用新型的保护范围。