本实用新型涉及半导体技术领域，特别是涉及一种有机发光二极管器件。
背景技术：
现行多数有机发光二极管一般由阴极层、发光层、阳极层和玻璃层依次层叠组成，电子和空穴分别从阴极和阳极注入，在发光层形成激子并激发发光层材料发光。在这一模式中，由于折射率的固有属性，部分光从发光层入射至阳极层后，在阳极层发生折射，使得阳极层光的折射角大于入射角，由于阳极层的折射角等于玻璃层的入射角，使得玻璃层的入射角大于阳极层的入射角，甚至大于或等于玻璃层的临界角度，从而使得部分光在玻璃层和空气层之间发生了全反射，导致出光的效率较低。
技术实现要素：
本实用新型主要解决的技术问题是提供一种有机发光二极管器件，能够提高出光效率。
为解决上述技术问题，本实用新型采用的一个技术方案是：提供一种有机发光二极管器件，包括依次层叠的碳化硅衬底、氮化铝缓冲层、阴极层、发光层、阳极层、介质层和玻璃面板，所述阳极层的折射率大于所述玻璃面板的折射率，所述介质层的折射率大于所述发光层的折射率，所述阳极层具有多个贯通的通孔，所述多个通孔相互之间的间距由所述阳极层的中间向两侧逐渐减小，所述发光层由多个氮化镓层和多个氮化镓铝层交错层叠而成，所述多个氮化镓层中的至少一个氮化镓层中插入有应力缓冲层，所述应力缓冲层的晶格常数大于所述氮化镓层和氮化镓铝层的晶格常数。
优选的，所述通孔的形状为圆锥台形，且所述通孔下方的开口直径大于上方的开口直径。
优选的，所述应力缓冲层的材料为GaInAs。
优选的，所述应力缓冲层的厚度为0.6nm。
优选的，所述应力缓冲层与所述氮化镓层形成共格界面。
优选的，所述氮化镓铝层中铝的组分为20-25％。
本实用新型的有益效果是：区别于现有技术的情况，本实用新型中的阳极层具有贯通的通孔以使得由发光层所出射的部分光得以通过通孔直接入射至玻璃面板，以降低阳极层与玻璃面板接触面的全反射现象，并且在发光层的至少一个氮化镓层中插入应力缓冲层，以增强量子阱的张应力作用，使得发光效率明显提升，从而能够提高出光效率。
附图说明
图1是本实用新型实施例提供的有机发光二极管器件的结构示意图。
图2是图1所示的有机发光二极管器件的阳极层的俯视示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
参阅图1，是本实用新型实施例提供的有机发光二极管器件的结构示意图。本实施例的有机发光二极管器件包括依次层叠的碳化硅衬底10、氮化铝缓冲层20、阴极层30、发光层40、阳极层50、介质层60和玻璃面板70。
阳极层50的折射率大于玻璃面板70的折射率，介质层60的折射率大于发光层40的折射率，阳极层50具有多个贯通的通孔51，多个通孔51相互之间的间距由阳极层50的中间向两侧逐渐减小。如图2所示，通孔51的形状为圆锥台形，且通孔51下方的开口直径大于上方的开口直径，多个通孔51在阳极层50上均匀分布，通孔51的开孔形状例如为圆形，通孔51的开孔直径优选为20mm。
在本实施例中，电子从阴极层30注入，空穴从阳极层50注入，在发光层40形成激子并激发发光层40的材料发光，从发光层40激发的光穿过阳极层50，再从玻璃面板70出射。由于阳极层50具有通孔51，可以使得由该发光层40所出射的部分光得以通过通孔51直接入射至玻璃面板70，因而可以降低阳极层50与玻璃面板70接触面的全反射现象。
本实施例中的阴极层30可以采用氮化物材料制成，而阳极层50采用透明电极材料(例如为氧化铟锡)制成。
发光层40作为有机电致发光来源，发光层40由多个氮化镓层41和多个氮化镓铝层42交错层叠而成，多个氮化镓层41中的至少一个氮化镓层41中插入有应力缓冲层43，应力缓冲层43的晶格常数大于氮化镓层41和氮化镓铝层42的晶格常数。也就是说，多个氮化镓层41和多个氮化镓铝层42构成多量子阱结构，通过晶格失配，可以增强量子阱的张应力作用，使得发光效率明显提升，进而提升出光效率。其中，氮化镓铝层42中铝的组分为20-25％。
在本实施例中，为了缓解晶格失配造成的晶体缺陷问题，应力缓冲层43与氮化镓层41形成共格界面，应力缓冲层43的厚度优选为0.6nm。应力缓冲层43的材料优选为GaInAs。
通过上述方式，本实用新型实施例的有机发光二极管器件通过在阳极层上设置贯通的通孔以使得由发光层所出射的部分光得以通过通孔直接入射至玻璃面板，以降低阳极层与玻璃面板接触面的全反射现象，并且在发光层的至少一个氮化镓层中插入应力缓冲层，以增强量子阱的张应力作用，使得发光效率明显提升，从而能够提高出光效率。
以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。