一种新型结构的石墨舟片的制作方法

本实用新型涉及石墨舟片技术领域，特别涉及到一种新型结构的石墨舟片。

背景技术：

晶体硅太阳电池片的生产加工中有一道程序叫做PECVD镀膜，其作用是在硅片上沉积一层介质薄膜，一般是氮化硅薄膜，提高硅片的太阳能转化率。这个工序用石墨舟装载硅片。把硅片放到石墨舟中，经过一定的条件产生化学反应，在硅片表面沉积上一层薄膜。

石墨舟作为硅片沉积介质薄膜时的一种载体，其结构和大小直接影响硅片的转换效率和生产效率，其工作原理为：将未镀膜的硅片放在石墨舟片的卡点上，每个石墨舟片上可放固定数量的硅片，然后将石墨舟放置在PECVD真空镀膜设备的腔体内，采用PECVD工艺进行放电镀膜。镀膜结束后，取出石墨舟，将硅片从石墨舟片上卸取下来。

现有技术中用于放置未镀膜的硅片的卡点绝大部分为圆形卡点，采用此种卡点增大了硅片与卡点的接触面积，在对硅片镀膜过程中，极易使硅片与卡点接触处产生黑点，不但影响了硅片的镀膜效果，并且提高了硅片的镀膜成本，给硅片的镀膜工作带来了较大的不便；另一个，现有的硅片定位腔体的上边缘绝大部分与石墨舟片本体的上边缘平行，采用此种结构的硅片定位腔体不便于硅片的放置和抽取，给硅片的放置以及抽取工作带来了较大的不便。

然而针对现有技术的不足，研发者有必要研制一种设计合理、结构简单、操作方便、减小了硅片与卡点的接触面积，使硅片在镀膜过程中，不易在接触处出现黑点，不但提高了硅片的镀膜效果，并且降低了硅片的镀膜成本，便于硅片的放置和抽取的新型结构的石墨舟片。

技术实现要素：

为解决现有技术存在的问题，本实用新型目的提供了一种设计合理、结构简单、操作方便、减小了硅片与卡点的接触面积，使硅片在镀膜过程中，不易在接触处出现黑点，不但提高了硅片的镀膜效果，并且降低了硅片的镀膜成本，便于硅片的放置和抽取的新型结构的石墨舟片。

为解决以上技术问题，本实用新型采用以下技术方案来实现的：

一种新型结构的石墨舟片，包括石墨舟片本体，其特征在于，在所述石墨舟片本体的正反两面上沿其长度方向对称设有多个硅片定位腔体，在所述硅片定位腔体的周围设有多个用于将硅片卡接在硅片定位腔体上的卡点，所述卡点的横截面为扇形结构，所述硅片定位腔体的上边缘与石墨舟片本体的上边缘之间的夹角为2-4°。

在本实用新型的一个优选实施例中，所述硅片定位腔体的上边缘与石墨舟片本体的上边缘之间的夹角为3°。

在本实用新型的一个优选实施例中，所述卡点的数量为3个，分别为第一卡点、第二卡点和第三卡点，所述第一卡点设置在硅片定位腔体一侧的下部上，所述第二卡点设置在硅片定位腔体另一侧的上部上，所述第三卡点设置在硅片定位腔体下侧且靠近第一卡点的一侧上。

在本实用新型的一个优选实施例中，所述硅片定位腔体的横截面为正方形。

与现有技术相比，本实用新型在硅片定位腔体的周围设有三个横截面为扇形结构的卡点，采用此种结构减小了硅片与卡点的接触面积，使硅片在镀膜过程中，不易在接触处出现黑点，不但提高了硅片的镀膜效果，并且降低了硅片的镀膜成本；另一个，硅片定位腔体的上边缘与石墨舟片本体的上边缘之间的夹角为2-4°，采用此种结构便于硅片的放置和抽取，给硅片的放置以及抽取工作带来了较大的便利。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型的结构示意图。

图2为图1的A处放大图。

图3为图2的B处放大图。

具体实施方式

为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。

参照图1-图3所示，图中给出的一种新型结构的石墨舟片，包括石墨舟片本体100。

在石墨舟片本体100的正反两面上沿其长度方向对称设有多个硅片定位腔体110，在硅片定位腔体110的周围设有多个用于将硅片200卡接在硅片定位腔体110上的卡点，在本实施例中硅片定位腔体110的横截面为正方形。

在本实施例中卡点的数量为3个，分别为第一卡点111、第二卡点112和第三卡点113，第一卡点111设置在硅片定位腔体110左侧的下部上，第二卡点112设置在硅片定位腔体110右侧的上部上，第三卡点113设置在硅片定位腔体110下侧且靠近第一卡点111的一侧上。

卡点的横截面为扇形结构，采用此种结构减小了硅片200与卡点的接触面积，使硅片200在镀膜过程中，不易在接触处出现黑点，不但提高了硅片200的镀膜效果，并且降低了硅片200的镀膜成本。

硅片定位腔体110的上边缘与石墨舟片本体100的上边缘之间的夹角C为2-4°，采用此种结构便于硅片200的放置和抽取，给硅片200的放置以及抽取工作带来了较大的便利，在本实施例中硅片定位腔体110的上边缘与石墨舟片本体100的上边缘之间的夹角C为3°。

综上所述本实用新型在硅片定位腔体的周围设有三个横截面为扇形结构的卡点，采用此种结构减小了硅片与卡点的接触面积，使硅片在镀膜过程中，不易在接触处出现黑点，不但提高了硅片的镀膜效果，并且降低了硅片的镀膜成本；另一个，硅片定位腔体的上边缘与石墨舟片本体的上边缘之间的夹角为2-4°，采用此种结构便于硅片的放置和抽取，给硅片的放置以及抽取工作带来了较大的便利。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。