1.一种多芯片扇出型封装结构，其特征在于，其包括正面设置若干个A芯片金属凸块的A芯片、A芯片包覆膜和带有若干个B芯片金属凸块的B芯片、B芯片包覆膜，所述B芯片设置在A芯片的垂直上方区域，所述A芯片有若干个，所述B芯片有若干个；
所述A芯片金属凸块一侧设置布线层，所述布线层水平延展并选择性不连续并选择性不连续并选择性不连续，A芯片通过A芯片金属凸块与布线层连接；
所述A芯片包覆膜将A芯片及其A芯片金属凸块、布线层包覆保护，布线层的上表面与A芯片包覆膜的上表面齐平；
所述布线层的上表面与A芯片包覆膜的上表面覆盖包覆膜，
所述B芯片下方设置装片膜，B芯片通过装片膜完成与包覆膜的固定连接；
所述B芯片包覆膜包覆B芯片及其B芯片金属凸块，露出B芯片金属凸块的顶部；
所述B芯片的外侧区域设置包覆穿孔，包覆穿孔的底部直达布线层的上表面，包覆穿孔内填充金属焊料，所述B芯片金属凸块顶部与包覆穿孔填充的金属焊料顶部齐平，
所述B芯片包覆膜、B芯片金属凸块与包覆穿孔填充的金属焊料上方设置再布线层，所述再布线层水平延展并选择性不连续并选择性不连续并选择性不连续，所述A芯片与B芯片通过包覆穿孔内填充的金属焊料、布线层、再布线层完成信号互联；
所述再布线层上方设置钝化保护层和金属连接件。
2.根据权利要求1所述的多芯片扇出型封装结构，其特征在于，所述A芯片金属凸块材料为Sn或CuSn或CuNiSn或CuNiSnAg。
3.根据权利要求1所述的多芯片扇出型封装结构，其特征在于，所述B芯片金属凸块的材料为Cu或CuSn或CuNiSn或CuNiSnAg。
4.根据权利要求1所述的多芯片扇出型封装结构，其特征在于，所述B芯片金属凸块的厚度为5～100um。
5.根据权利要求1所述的多芯片扇出型封装结构，其特征在于，所述B芯片的厚度为50～200um。
6.根据权利要求1所述的多芯片扇出型封装结构，其特征在于，所述包覆穿孔填充的金属焊料的材料为Sn或CuSn或CuSnAg。
7.根据权利要求1所述的多芯片扇出型封装结构，其特征在于，所述包覆穿孔的深度为150～400um。
8.根据权利要求1所述的多芯片扇出型封装结构，其特征在于，所述金属连接件包括但不限于焊球、焊块。
9.根据权利要求1所述的多芯片扇出型封装结构，其特征在于，所述A芯片底部为底填料。