技术总结
本实用新型一种多芯片扇出型封装结构，属于半导体封装技术领域。其包括带有A芯片金属凸块的A芯片、布线层、A芯片包覆膜和带有B芯片金属凸块的B芯片、再布线层、B芯片包覆膜，B芯片设置于A芯片垂直上方区域，B芯片外侧区域设置穿孔，填充金属料，A芯片与B芯片通过包覆穿孔填充金属料、布线层、再布线层完成信号互联。所述再布线层上方设置钝化保护层和金属连接件，生成最终的封装体。本实用新型提高了产品的可靠性,提升了产品的力学性能。
技术研发人员：张爱兵;陈栋;孙超;张黎;陈锦辉;赖志明
受保护的技术使用者：江阴长电先进封装有限公司
技术研发日：2017.12.28
技术公布日：2018.09.07