本技术涉及一种半导体装置及制造方法、成像装置、以及电子设备，并且更具体地，涉及一种可以以高平坦性、低成本实现部件安装的半导体装置及制造方法、成像装置、以及电子设备。
背景技术：
例如，应用半导体微制造技术的诸如电荷耦合器件(ccd)和互补金属氧化物半导体(cmos)图像传感器的成像元件已经被数码相机、移动电话等广泛采用。
附接有透镜结构的这些成像元件作为相机模块安装在电子设备上。同时，为了降低这种相机模块的尺寸和重量，已经提议了一种用于图像传感器的安装封装结构。在该安装封装结构中，通过倒装安装将传感器芯片或成像元件安装在玻璃布线板上。
通过将积层布线层堆叠在核心基板的两个表面上并且通过电极使得积层布线层形成在核心基板中使得前布线层和后布线层导电而形成包括这样的玻璃布线板的、用于常规倒装安装的布线板。
作为这种技术的示例，提议了这样一种方法：将积层布线层堆叠在核心基板的两个表面上，通过电极使得积层布线层形成在核心基板中以使前布线层和后布线层导电，并且然后移除积层布线层中的元件的安装部(例如，参见专利文献1)。
利用这种技术，为了以低剖面方式将元件安装在基板上，预先在用作元件安装部的积层布线层的下层部分中形成分离片(releasesheet)，在将积层布线层堆叠在分离片上之后，利用分离片移除积层布线层的一部分。
因此，可以在基板厚度方向上靠近核心基板的位置中执行元件的低剖面安装。进一步地，利用核心基板的材料的物理性质的优势，可以通过减少元件的平坦安装与元件的线性膨胀系数失配来提高可靠性。
引用列表
专利文献
专利文献1：日本专利号4820388
技术实现要素：
发明要解决的问题
同时，在将成像元件安装在诸如玻璃布线板的基板上的情况下，要求具有高平坦性的元件安装，使得可以实现优选的成像特性。
例如，如果成像元件以倾斜状态安装在基板上，或安装的成像元件中出现翘曲，则入射在成像元件上的光出现散焦，或通过成像形成的图像的质量变得更低。
然而，通过上述技术，以高平坦性和低成本安装诸如成像元件的部件是困难的。
例如，如在专利文献1中描述的技术，在利用分离片移除积层布线层的一部分、以使得成像元件安装在靠近核心基板的绝缘层上的方法中，向常规制造过程中添加了移除布线层的步骤，并且制造成本将相应地增加。此外，因为积层布线层的被移除的部分不能被再利用并且被丢弃，所以材料成本也将上升。
已鉴于这种情形提出了本技术，并且本技术旨在以高平坦性、低成本实现部件安装。
问题的解决方案
根据本技术的第一方面的制造方法是制造半导体装置的方法，包括：核心基板；多层布线层，包括多个导电层和多个绝缘层，并且形成在核心基板的表面上；开口，形成在多层布线层中并且至少穿透多个绝缘层之中的距离核心基板最远的最外层绝缘层；以及安装元件，连接至开口中的设置在预定的导电层上的垫片部，预定的导电层定位成比在多个导电层之中的距离核心基板最远的最外层导电层更靠近核心基板。制造方法包括以下步骤：向形成在相邻于预定的导电层的相邻绝缘层中的开口部涂布抗蚀剂，在形成于相邻绝缘层上的籽晶金属上形成抗蚀剂图案；在执行电镀并且移除抗蚀剂之后，通过移除位于包括开口部的相邻绝缘层上的籽晶金属而形成与预定的导电层相邻的导电层；并且在形成最外层绝缘层之后，形成开口。
制造方法可以进一步包括在开口中的、安装元件与垫片之间的连接部处形成保护该连接部的保护性树脂的步骤。
凹槽状的开口可以形成在多层布线层中，以包围面向安装元件的区域。
多个开口可以形成在多层布线层中以包围面向安装元件的区域，并且空气通道可以形成在彼此相邻的开口之间，由开口包围并且面向安装元件的区域通过空气通道连接至外部。
可以利用与保护性树脂不同的另一种树脂密封空气通道。
安装元件可以是成像元件，可以用具有透光性质的材料形成核心基板，成像元件可以连接至垫片部，使成像元件的光接收部面向核心基板，并且将从外部进入并且穿过核心基板的光引导至成像元件的光接收部的透光开口可以形成在多层布线层的面向成像元件的部分处。
面向成像元件的由开口包围的区域可以填充有透明树脂。
安装元件与垫片可以通过凸点连接相连。
形成多层布线层的绝缘层中的一个绝缘层的厚度可以比形成多层布线层的其他绝缘层的厚度大。
在根据本技术的第一方面的制造方法中，制造包括以下部件的半导体装置：核心基板；多层布线层，包括多个导电层和多个绝缘层，并且形成在核心基板的表面上；开口，形成在多层布线层中并且至少穿透多个绝缘层之中的距离核心基板最远的最外层绝缘层；以及安装元件，连接至开口中的设置在预定的导电层上的垫片部，预定的导电层定位成比在多个导电层之中的距离核心基板最远的最外层导电层更靠近核心基板；向形成在与预定的导电层相邻的相邻绝缘层中的开口部涂布抗蚀剂，在形成于相邻绝缘层上的籽晶金属上形成抗蚀剂图案；在电镀并且移除抗蚀剂之后，通过移除位于包括开口部的相邻绝缘层上的籽晶金属而形成与预定的导电层相邻的导电层；并且在形成最外层绝缘层之后，形成开口。
根据本技术的第一方面的半导体装置包括：核心基板；多层布线层，包括多个导电层和多个绝缘层并且形成在核心基板的表面上；开口，形成在多层布线层中并且至少穿透多个绝缘层之中的距离核心基板最远的最外层绝缘层；以及安装元件，连接至开口中的设置在预定的导电层上的垫片部，预定的导电层定位成比在多个导电层之中的距离核心基板最远的最外层导电层更靠近核心基板。
可以在开口中的、安装元件与垫片之间的连接部处形成保护该连接部的保护性树脂。
凹槽状的开口可以形成在多层布线层中，以包围面向安装元件的区域。
多个开口可以形成在多层布线层中以包围面向安装元件的区域，并且空气通道可以形成在彼此相邻的开口之间，由开口包围并且面向安装元件的区域通过空气通道连接至外部。
可以利用与保护性树脂不同的另一种树脂密封空气通道。
安装元件可以是成像元件。
可以用具有透光性质的材料形成核心基板，成像元件可以连接至垫片部，使成像元件的光接收部面向核心基板，并且将从外部进入并且穿过核心基板的光引导至成像元件的光接收部的透光开口可以形成在多层布线层的面向成像元件的部分处。
面向成像元件的由开口包围的区域可以填充有透明树脂。
安装元件与垫片可以通过凸点连接相连。
形成多层布线层的绝缘层中的一个绝缘层的厚度可以比形成多层布线层的其他绝缘层的厚度大。
在根据本技术的第一方面的半导体装置中，设置了：核心基板；多层布线层，包括多个导电层和多个绝缘层并且形成在核心基板的表面上；开口，形成在多层布线层中并且至少穿透多个绝缘层之中的距离核心基板最远的最外层绝缘层；以及安装元件，连接至开口中的设置在预定的导电层上的垫片部，预定的导电层定位成比在多个导电层之中的距离核心基板最远的最外层导电层更靠近核心基板。
根据本技术的第二方面的电子设备可以是具有与根据本技术的第一方面的半导体装置相似的结构的电子设备。
根据本技术的第三方面的成像装置包括：成像元件；核心基板；多层布线层，包括多个导电层和多个绝缘层并且形成在核心基板的表面上；开口，形成在多层布线层中并且至少穿透多个绝缘层之中的距离核心基板最远的最外层绝缘层；以及透镜系统，将入射光引导至成像元件并且在开口中的一部分处固定至核心基板。
在本技术的第三方面中，提供了：成像元件；核心基板；多层布线层，包括多个导电层和多个绝缘层并且形成在核心基板的表面上；开口，形成在多层布线层中并且至少穿透多个绝缘层之中的距离核心基板最远的最外层绝缘层；以及透镜系统，将入射光引导至成像元件并且在开口中的一部分处固定至核心基板。
发明效果
根据本技术的第一至第三方面，可以以低成本实现高平坦性的部件安装。
附图说明
图1是用于说明常规成像装置的结构的图。
图2是用于说明本技术的图。
图3是示出应用了本技术的成像装置的示例性结构的图。
图4是示出开口的示例性结构的图。
图5是用于说明制造过程的流程图。
图6是用于说明成像装置的制造的图。
图7是用于说明成像装置的制造的图。
图8是是用于说明成像装置的制造的图。
图9是用于说明成像装置的制造的图。
图10是用于说明导电层形成过程的流程图。
图11是用于说明导电层的形成的图。
图12是用于说明导电层的形成的图。
图13是示出垫片结构的示例的图。
图14是示出垫片结构的示例的图。
图15是用于说明导电层的形成的图。
图16是用于说明导电层的形成的图。
图17是示出垫片结构的示例的图。
图18是示出垫片结构的示例的图。
图19是示出成像装置的另一示例性结构的图。
图20是示出成像装置的另一示例性结构的图。
图21是用于说明成像元件的安装的图。
图22是示出开口的另一示例性结构的图。
图23是示出成像装置的另一示例性结构的图。
图24是示出成像装置的另一示例性结构的图。
图25是示出成像装置的另一示例性结构的图。
图26是示出应用了本技术的电子设备的示例性结构的图。
图27是示出成像装置的另一示例性结构的图。
图28是示出成像装置的另一示例性结构的图。
图29是示出成像装置的另一示例性结构的图。
图30是示出成像装置的另一示例性结构的图。
图31是示出应用了本技术的成像装置的示例性结构的图。
图32是示出固态成像装置的使用示例的图。
具体实施方式
下面是参考附图的对应用本技术的实施方式的描述。
<第一实施方式>
<本技术的概况>
本技术使能实现具有高平坦性和低成本的安装元件(部件)(或具体地，诸如成像元件的半导体元件)在基板上的安装。
首先，对本技术进行说明。例如，如图1所示的包括安装了成像元件11的玻璃布线板12和附接至玻璃布线板12的透镜结构13的相机模块14通常是已知的。
还提议了一种安装封装结构。在安装封装结构中，玻璃布线板12由玻璃基板21、堆叠在玻璃基板21的两个表面上的积层布线层22及23形成，并且成像元件11通过倒装安装而安装在布线层23上。
在成像元件11安装在玻璃布线板12上的情况下，成像元件11需要维持平坦性来实现上述优选的成像特性。具体地，例如，必须防止成像元件11出现翘曲及玻璃布线板12出现翘曲。此外，在成像元件11的安装中，优选将成本最小化。
鉴于此，例如，如图2所示，本技术通过将成像元件52经由穿透开口直接凸点连接至位于玻璃布线板51的最外层导电层的内层侧上的导电层而使能实现具有高平坦性的低成本部件安装。
在该示例中，玻璃布线板51由包括玻璃的透明核心基板61、以及布线层62和63形成，布线层62和63是形成在核心基板61的两个表面上的积层多层布线层。布线层62和63中的每个包括多个绝缘层和多个导电层。
此外，微透镜64形成在成像元件52(即，图像传感器)的光接收部上。成像元件52利用面向玻璃布线板51的一侧的光接收部而安装在玻璃布线板51上。即，成像元件52安装成使得成像元件52的光接收部面向玻璃布线板51。
布线层62具有位于最内层侧(即，核心基板61的一侧)上的第一绝缘层71、形成在绝缘层71的外侧上的第二绝缘层72、以及形成在最外侧(即，距离核心基板61最远的一侧)上的第三绝缘层73。
进一步地，第一导电层74形成在布线层62的绝缘层71和绝缘层72的部分中，并且第二导电层75形成在绝缘层72和绝缘层73的部分中。
在该示例中，位于最靠近核心基板61的第一导电层74由金属布线76、金属布线77等形成，并且位于最外侧(即，距离核心基板61最远的一侧)上的第二导电层75由金属布线78、金属布线79等形成。
类似地，布线层63包括第一绝缘层81、形成在绝缘层81的外侧上的第二绝缘层82、以及形成在最外侧上的第三绝缘层83。
同样，第一导电层84形成在布线层63的绝缘层81和绝缘层82的部分中，并且第二导电层85形成在绝缘层82和绝缘层83的部分中。
在该示例中，位于最靠近核心基板61的第一导电层84由金属布线86、金属布线87等形成，并且位于最外侧上的第二导电层85由金属布线88、金属布线89等形成。
进一步地，在布线层62中，形成有穿透整个绝缘层73(即，最外层)及绝缘层72的一部分的开口90。应注意，开口90至少应穿透最外层绝缘层73并且可连接至定位成比最外层导电层更靠近核心基板61的导电层。
具体地，在该示例中，开口90形成为包围成像元件52的光接收部，并且突出部91是相对于布线层62中的开口90在核心基板61的中心侧上的部分，并且在附图中突出部91的上部比开口90的部分高。
换言之，无任何空隙地包围玻璃布线板51的面向成像元件52的一部分的凹槽形成在布线层62中，从而形成开口90。布线层62中的开口90的部分具有其高度比相邻于开口90的部分(诸如突出部91等)的高度小的坝结构。即，随着凹槽状的开口90形成在布线层62中，形成了相邻于开口90的突出部91。
在布线层62中，垫片92与垫片93也形成在位于开口90内的金属布线76和金属布线77的部分中，并且垫片92与垫片93经由凸点94与凸点95电并且物理地连接至成像元件52。
在本技术中，开口90形成在玻璃布线板51中，并且成像元件52直接凸点连接至在最外层导电层75的内侧上的导电层74。因此，诸如成像元件52的部件可以以高平坦性、低成本安装在玻璃布线板51上。进一步地，由于可以缩短成像元件52与核心基板61之间的距离，因此还可以实现成像元件52的低剖面安装。
即，在安装成像元件52时通过凸点连接形成开口90、垫片92以及垫片93的情况下，通过如同制造常规积层布线板的情况的相同数量的步骤形成开口90、垫片92等。
相应地，可以在步骤数量不增加的情况下以低成本实现部件安装。而且，不同于将部件安装在移除了积层布线层的部分中的技术，该技术不增加被移除的布线层的部分并且不会使材料成本增加。
此外，由于形成开口90，变得可以将成像元件52连接至导电层74，导电层74位于更靠近包括具有高刚性的材料(诸如玻璃)的平坦核心基板61的内层侧上。因此，可以减少成像元件52中的翘曲，并且可以实现高平坦性的安装。
进一步地，由于形成核心基板61的玻璃的线性膨胀系数与形成成像元件52的硅的线性膨胀系数彼此接近，当热等施加至其时，成像元件52与核心基板61在附图中的横向方向上大致以相同的方式膨胀/收缩，并且几乎不对凸点94和凸点95施加应力。即，可以缓解安装凸点部分上的温度循环应力。因此，可以防止成像元件52的光接收表面变形至更低的平坦度，或防止成像元件52经受负载而降低成像特性。
应注意，例如，核心基板61的材料可以选择为使得形成核心基板61的材料的线性膨胀系数与形成成像元件52(即，待安装的半导体元件)的材料的线性膨胀系数之差变得等于或小于预定的阈值。
进一步地，在该示例中，由与成像元件52连接的金属布线76等形成的导电层74不直接形成在包含玻璃的核心基板61上，而是由高度可拉伸的树脂或无机膜形成的绝缘层71设置在导电层74与核心基板61之间。
例如，在包括诸如铜(cu)的金属的金属布线76等直接形成在核心基板61上的情况下，金属布线76等与核心基板61之间的线性膨胀系数之差大，并且因此，当热施加至其时，核心基板61、凸点94、凸点95等被施加负载。在这种情况下，核心基板61、凸点部分等可能被损坏。
因此，如在本技术中，高度可拉伸的绝缘层71设置在导电层74与核心基板61之间，使得减小了在核心基板61、导电层74、凸点94等之中产生的应力，并且可以维持高平坦性和高成像特性。
此外，在玻璃布线板51上要安装的部件是诸如成像元件52的半导体元件的情况下，安装部件与玻璃布线板51之间的部分可被密封，以保护安装部件的表面粘着灰尘等。在图2所示的示例中，通过配料器(dispenser)或喷墨(inkjet)向凸点94和凸点95的部分涂布诸如树脂的底层填料，以密封成像元件52的光接收部。
在如上所述密封成像元件52的光接收部等的情况下，流入成像元件52的光接收部等中的底层填料导致成像特性下降或引起缺陷。
用于防止底层填料的这种流入的技术的示例包括所提议的技术，通过这种技术，当通过倒装安装将成像元件安装在玻璃布线板上时，环形密封结构设置在凸点的内侧上，以密封成像元件的光接收部，并且因此防止底层填料流入(例如，参见日本专利号5397037)。
通过这种技术，成像元件的光接收部与玻璃布线板之间的空间由密封结构密封，并且在使可以从玻璃布线板中的密封空间的外部释放空气的这样的位置处形成玻璃通孔。当通过这种方式形成玻璃通孔时，变得可以防止由于在安装成像元件时的温度上升引起的密封部分的内部压力的上升而导致的成像元件的倾斜与缺陷性安装。
然而，通过这种技术，如果玻璃通孔处于打开状态，则玻璃通孔变成玻璃裂纹等的起始点，从而导致更低的可靠性。
为此，在组装之后，玻璃通孔可以填充有树脂等，但是，成本将相应地增加。进一步地，在这种情况下，必须在安装成像元件之后填充玻璃通孔，并且还必须分别形成用于在前后积层层中从通孔进行传导的通孔，作为用于释放内部压力的空气通道。因此，制造过程变得非常复杂。
此外，在填充玻璃通孔过程中，由于树脂的硬化收缩等，在厚度方向的平面内向玻璃布线板施加不均匀的应力。因此，变得极其难以控制整个封装的翘曲，并且玻璃布线板的翘曲引起成像元件的翘曲。在这种情况下，存在图像质量等下降的可能性很高。
进一步地，用于防止底层填料流入的另一种提议的技术是这样一种技术：在通过倒装安装将成像元件安装在玻璃布线板上的情况下，通过在玻璃布线板和成像元件上设置堤部(bankportion)来防止密封树脂流入光接收部中或底层填料流入(例如，参见日本专利申请公开号2003-78121)。在该示例中，在安装成像元件时，通过底层填料密封光接收部，但是，形成堤部使得此时底层填料并不流入光接收部中。
然而，在该技术中，需要通过树脂印刷额外形成堤部。因此，步骤数量增加，并且制造成本上升。此外，堤部仅形成在玻璃布线板和成像元件的一个表面侧上。因此，由于堤部的温度等引起的树脂的收缩，在厚度方向上的平面内向玻璃布线板和成像元件施加不均匀的应力，并且引起两个部件的翘曲。在这种情况下，存在图像质量等下降的可能性很高。
为此，在本技术中，通过在布线层62中形成凹槽而设置开口90，以包围成像元件52的光接收部，垫片92等设置在开口90中，并且成像元件52通过凸点连接而安装，从而防止底层填料流入光接收部中。
如图2中的示例所示，在用底层填料执行密封的情况下，底层填料被涂布至凸点94和凸点95的部分。
此处，开口90设置成使得连接至成像元件52的凸点部分转变成如上所述的坝结构。以这种方式，可以防止作为密封树脂的底层填料越过开口90流入成像元件52的光接收部侧。即，通过突出部91(形成在开口90的光接收部侧上的绝缘层的部分)可以防止向开口90中的凸点94等涂布的底层填料流入成像元件52的光接收部中。
在形成构成积层布线层62的绝缘层和导电层的层堆叠步骤中，可以统一形成这种坝结构。因此，根据本技术，可以以低成本形成用于如密封树脂的底层填料的坝结构。
此外，在本技术中，不需要形成用于拦堵玻璃布线板51或成像元件52中的底层填料的专用堤部，并且因此，不会向玻璃布线板51和成像元件52施加不均匀的应力。相应地，玻璃布线层51与成像元件52中不会出现翘曲，并且图像质量不会下降。
应注意，已经描述了仅在核心基板61的位于成像元件52的一侧上的布线层62中形成包括开口90和突出部91的坝结构的示例。然而，也可以在核心基板61的布线层63的一侧上形成相似的坝结构。在这种情况下，在布线层62的一侧上的坝结构的位置与在布线层63的一侧上的坝结构的位置位于图2中的横向方向上的相同位置处，或者坝结构形成在核心基板61的前后的对称位置中。以这种方式，在玻璃布线板51的平面内的厚度方向上的膜应力可以变得均匀。利用该布置，可以进一步防止玻璃布线板51与成像元件52发生翘曲。
<成像装置的示例性结构>
接着，描述应用本技术的具体实施方式。
图3是示出应用了本技术的成像装置的实施方式的示例性结构的图。应注意，在图3中，与图2中示出的这些部件等同的部件以与图2中使用的相同参考标号表示，并且将没有必要重复其说明。
图3所示的成像装置121包括玻璃布线板51和安装在玻璃布线板51上的成像元件52。在图3中，显示了成像装置121的截面。
在该示例的成像元件52中，微透镜64还设置在接收来自外部的光的光接收部上，并且成像元件52通过凸点连接而固定在玻璃布线板51上，在其上具有微透镜64或光接收部的表面面向玻璃布线板51。
玻璃布线板51还包括核心基板61、堆叠在核心基板61上的布线层62和布线层63。进一步地，如图2所示的情况，从绝缘层71至导电层75的多个层形成在布线层62中，并且从绝缘层81至导电层85的多个层形成在布线层63中。
例如，通过包含玻璃制成核心基板61，并且穿透核心基板61且将形成在一侧上的导电层74电连接至形成在另一侧上的导电层84的贯通电极131和贯通电极132设置在核心基板61中。
例如，形成导电层74的金属布线76连接至贯通电极131的一端，并且形成导电层84的金属布线86连接至贯通电极131的另一端。同样，核心基板61的前后表面通过贯通电极131和贯通电极132彼此电连接。
此外，尽管本文描述了核心基板61包含玻璃的示例性情况，然而，核心基板61不必须包含玻璃，而是可以通过包含具有某种程度的刚性和透光性质的透明材料而制成。
进一步地，在布线层62和布线层63的面向成像元件52的光接收部的部分中，形成开口133和开口134，使得核心基板61被曝光。通过开口133和开口134，成像元件52可以接收来自外部(对象)的光。
即，开口134用作将从外部进入的光引导至核心基板61的透光开口。开口133也用作将从外部进入并且穿过开口134和透光的核心基板61的光引导至成像元件52的光接收部的透光开口。
相应地，从外部进入开口134的光穿过核心基板61和开口133，并且然后，进入成像元件52的光接收部。在这个阶段，微透镜64集聚入射光并且使入射光进入形成在成像元件52的光接收部中的每个像素。然后，每个像素对入射光进行光电转换，并且因此捕获图像。
同时，将各个部件连接至作为布线层63的最外层导电层的第二导电层85。例如，经由垫片将预定的部件135连接至形成导电层85的金属布线89。
同样，还将各个部件连接至作为布线层62的最外层导电层的第二导电层75。例如，经由垫片136和垫片137将预定的部件138连接至形成导电层75的金属布线78。
具有坝结构的开口90也形成在布线层62中，并且成像元件52通过凸点94和凸点95凸点连接至开口90内的导电层74。此处，用于通过凸点连接安装成像元件52的垫片(诸如垫片92和垫片93)全部形成在同一导电层74上。
如上所述，由于成像元件52安装在定位成比最外层导电层更靠近核心基板61的第一导电层74上，因此可以以高平坦性和低成本执行成像元件52的安装。
进一步地，在该示例中，向凸点94和凸点95的部分涂布底层填料139(即，密封树脂)，并且开口133的该部分由底层填料139密封。在该示例中，开口133的被密封的部分填充有空气。
在成像元件52与玻璃布线板51的一侧上的诸如垫片92之间的凸点94和垫片92等凸点连接部也由底层填料139覆盖，并且底层填料139还用作保护凸点连接部的保护性树脂。
在成像装置121中，即使在以这种方式利用底层填料139密封开口133的情况下，通过具有坝结构的凹槽形式的开口90与相对于开口90定位成与成像元件52的光接收部侧相邻并且在附图中向上突出的突出部91防止底层填料139流入光接收部中。
例如，当从垂直于玻璃布线板51和成像元件52的方向上观看时，坝结构的开口90与突出部91如图4所示。应注意，在图4中，与图3所示的这些部件等同的部件由与图3中使用的相同参考标号表示，并且将不需要重复其说明。
在图4所示的示例中，形成矩形的凹槽作为开口90，以包围要被密封在成像元件52的光接收部与核心基板61之间的空间中的部分。开口90的底表面是第二绝缘层72，并且形成在导电层74(埋设在绝缘层72中)的表面上的垫片92和垫片93设置在绝缘层72的部分中。
而且，开口90的外侧与内侧是绝缘层73，在附图中，绝缘层73位于绝缘72的前侧上，或比成像元件52的一侧更高。具体地，在图4中，绝缘层73的与开口90的内侧相邻的部分是上述突出部91，并且底层填料139被突出部91拦堵并且被防止流入成像元件52的光接收部中。
由于可以在不增加制造步骤的数量的情况下，容易并且廉价地形成具有这种坝结构的开口90，因此通过开口90可以以低成本防止流入底层填料。
<制造过程的描述>
现参考图5及图6至图9所示的流程图，描述制造过程，即，根据本技术制造成像装置的过程。应注意，在图6至图9中，由相同的参考标号表示彼此对应的部件，并且与图3所示的这些部件等同的部件由与图3中使用的相同参考标号表示。因此，将不需要重复对这些部件的说明。进一步地，在图6至图9中，为了更易于观看附图，将不以任何参考标号表示彼此对应的部件中的一些。
将参考图5描述的制造过程是形成曝光和显影通孔从而形成与开口90等同的开口的示例。
在步骤s11中，在透光核心基板中形成贯通电极。
具体地，如由图6中的箭头q11指示的，例如，穿透核心基板61的贯通电极131和贯通电极132形成在包含玻璃的核心基板61上。此处，例如，利用诸如铜(cu)或导电膏的材料形成贯通电极131和贯通电极132。
在步骤s12中，在核心基板的两个表面上形成第一绝缘层。
如由图6中的箭头q12指示的，例如，绝缘层膜161形成在核心基板61的一个表面上，并且绝缘层膜161的这个部分转变成绝缘层71。绝缘层膜162形成在核心基板61的另一表面上，并且绝缘层膜162的这个部分转变成绝缘层81。
此处，例如，绝缘层膜161和绝缘层膜162包括诸如聚酰亚胺或聚苯并噁唑等树脂，或由诸如sio2膜或sin膜等无机膜形成。具体地，如上所述，绝缘层71和绝缘层81用作减小核心基板61、与金属布线层及凸点等之间产生的应力的层。
进一步地，在步骤s12中，在形成绝缘层之后，通过在绝缘层膜161和绝缘层膜162上曝光和显影等来形成用于连接至贯通电极131和贯通电极132的开口。
在该示例中，用于连接至贯通电极131的开口163与用于连接至贯通电极132的开口164形成在绝缘层膜161中。同样，用于连接至贯通电极131的开口165和用于连接至贯通电极132的开口166形成在绝缘层膜162中。
应注意，在该示例中，由于核心基板61包含玻璃，所以执行用于形成第一绝缘层的处理。然而，在核心基板61包含树脂等的情况下，不需要在核心基板61的表面上形成第一绝缘层。因此，在核心基板61包含树脂等的情况下，可以不执行步骤s12中的过程。
在步骤s13中，通过半叠加方法(semi-additivemethod)等在第一绝缘层的表面上形成金属膜的布线图案，从而形成第一导电层。
例如，如由图6中的箭头q13指示的，在绝缘层71的表面上利用cu等形成金属布线171、金属布线172等，并且由这些金属布线构成的层转变成第一导电层74。在该示例中，金属布线171直接连接至贯通电极131，并且该金属布线171与图3所示的金属布线76等同。
同样，在绝缘层81的表面上利用cu等形成金属布线173、金属布线174等，并且由这些金属布线构成的层转变成第一导电层84。在该示例中，金属布线173直接连接至贯通电极131、并且该金属布线173与图3所示的金属布线86等同。
在步骤s14中，通过涂覆、层压等在第一导电层的表面上形成第二绝缘层。
例如，如由图7中的箭头q21指示的，绝缘层膜181形成在形成于核心基板61的一个表面上的绝缘层71和导电层74的表面上，并且绝缘层膜181的这个部分转变成第二绝缘层72。同样，绝缘层膜182形成在绝缘层81和导电层84的表面上，并且绝缘层膜182的这个部分转变成第二绝缘层82。
在步骤s15中，通过在第二绝缘层上曝光和显影等形成用于连接至第一导电层的开口。在这个阶段，还形成了用于形成穿透若干绝缘层以将半导体元件安装到玻璃布线板51上的开口。
例如，如由图7中的箭头q22指示的，在绝缘层膜181上执行曝光和显影，从而形成用于连接至形成在第一导电层74中的金属布线的开口191、用于形成穿透若干绝缘层的开口的开口192。同样，还在绝缘层膜182上执行曝光和显影，从而还形成用于连接至形成在第一导电层84中的金属布线的开口193等。
此处，例如，开口192用于形成与图3所示的开口90等同的开口。因此，在该示例中，半导体元件通过凸点连接等连接至形成在第一导电层74中的金属布线171。
在步骤s16中，通过半叠加方法等在第二绝缘层的表面上形成金属膜的布线图案，从而形成第二导电层。
例如，如由图7中的箭头q23指示的，在绝缘层72的表面上利用cu等形成金属布线201、金属布线202等，并且由这些金属布线构成的层转变成第二导电层75。在该示例中，金属布线201经由开口191连接至设置在第一导电层74中的金属布线。
同样，在绝缘层82的表面上利用cu等形成金属布线203等，并且由这些金属布线构成的层转变成第二导电层85。
在步骤s17中，通过涂覆、层压等在第二导电层的表面上形成第三绝缘层。
例如，如由图8中的箭头q31指示的，绝缘层膜211形成在形成于核心基板61的一个表面上的绝缘层72和导电层75的表面上，并且绝缘层膜211的这个部分转变成第三绝缘层73。同样，绝缘层膜212形成在绝缘层82与导电层85的表面上，并且绝缘层膜212的这个部分转变成第三绝缘层83。
在步骤s18中，通过在第三绝缘层上曝光和显影等同时形成用于连接至第一导电层的开口和用于连接至第二导电层的开口。
例如，如由图8中的箭头q32指示的，在绝缘层膜211上执行曝光和显影，从而形成用于连接至形成在第一导电层74中的金属布线的开口221。同样，还在绝缘层膜212上执行曝光和显影，从而还形成用于连接至形成在第二导电层85中的金属布线的开口222。
此处，例如，开口221是与图3所示的开口90等同的开口，并且该开口221是具有形成以包围图3所示的开口133的部分(即，核心基板61通过其曝光以用于透光的部分)的坝结构的开口。即，类似图4所示的开口90，开口221形成凹槽状的形状，以包围安装成像元件52的部分。
在绝缘层83中，还形成了用于连接至设置在第二导电层85中的金属布线203的开口222等。
应注意，在该示例中，尽管在绝缘层膜211中不形成用于连接至位于第二导电层75中的金属布线的开口，然而，可以形成该开口。
在步骤s19中，例如，通过电解电镀、无电解电镀等形成用于安装诸如半导体元件的部件的垫片。
如由图8中的箭头q33指示的，例如，诸如垫片231和垫片232的垫片形成在位于开口221内的第一导电层74中的金属布线的表面上。诸如垫片233的垫片还形成在第二导电层85中的金属布线的表面上。
在该示例中，例如，垫片231形成在开口221内的金属布线171的表面上，并且垫片231与图3所示的垫片92等同。
此外，例如，垫片233形成在开口222内的第二导电层85中的金属布线203的表面上，并且诸如图3所示的部件135的部件安装在垫片233上。
例如，利用诸如镍(ni)和金(au)等电镀材料形成诸如垫片231至垫片233的相应垫片。具体地，例如，在利用ni执行电镀之后，在同一部分上利用au进一步执行电镀，从而通过电镀堆叠形成垫片。当以这种方式形成垫片231等时，获得玻璃布线板51。
在步骤s20中，诸如成像元件的部件安装在通过步骤s11至s19中的过程而获得的玻璃布线板上，从而形成成像装置。
例如，如由图9中的箭头q41指示的，凸点241和凸点242形成在待安装的成像元件52上。应注意，在图9中，为了更易于观看附图，成像元件52与玻璃布线板51通过简化方式绘制。
例如，凸点241与凸点242是金属立柱凸点、电镀凸点等。可替代地，凸点241与凸点242可以是通过按顺序堆叠电镀的ni和au而获得的岸面栅格阵列(landgridarray)。
如由箭头q42指示的，在成像元件52上形成凸点之后，成像元件52是通过与安装头243的热压接合等而倒装地安装在玻璃布线板51上。
在该示例中，凸点241与凸点242物理并且电连接(凸点式连接)至形成在玻璃布线板51的开口221内的垫片231与垫片232(未示出)。
然后，如由箭头q43指示的，利用树脂涂覆头244向位于开口221内的凸点241和凸点242的部分涂布底层填料245(即，凸点保护树脂)。之后，底层填料245被热硬化。该底层填料245与图3所示的底层填料139等同。
在这个阶段，向开口221(即，具有形成在玻璃布线板51上的坝结构的凹槽)的部分涂布底层填料245，使得底层填料245被绝缘层膜211和绝缘层膜181中的开口221与成像元件52的光接收部之间的部分拦堵。因此，可以防止底层填料245流入成像元件52的光接收部中。
部件还通过凸点连接等安装在图8所示的垫片233等上，并且成像装置完成。然后，制造过程结束。由此获得的成像装置与上述成像装置121等同。
以上述方式，在制造成像装置时，在玻璃布线板51中形成具有坝结构的开口221，设置在开口221中的垫片凸点连接至成像元件52，并且向连接部涂布底层填料245。因此，可以以低成本形成底层填料245的坝结构。
而且，由于成像元件52安装在定位于玻璃布线板51的最外表面的内侧上的导电层上，因此可以以更高的平坦性和更低的成本安装成像元件52。
出于上述原因，利用应用本技术的成像装置，可以以低成本实现高平坦性的部件安装。
<导电层形成过程的描述>
现参考图10和图11及图12所示的流程图，更为详细地描述图5所示的制造过程中的步骤s16中的过程。即，现参考图10中的流程图，描述与图5中的步骤s16的过程对应的导电层形成过程。
应注意，尽管本文描述了通过半叠加方法形成第二导电层的过程，然而，更具体地，在通过步骤s13中的半叠加方法形成第一导电层的情况下，还执行与参考图10描述的过程相似的过程。此外，在图11和图12中，与图7所示的部件等同的部件以与图7使用的参考标号表示，并且将不需要重复其说明。
在图10所示的导电层形成过程中，在步骤s51中，在第二绝缘层上形成籽晶金属。
即，如由图11中的箭头q51指示的，例如，在与连接到成像元件52的第一导电层74相邻的第二绝缘层72上形成籽晶金属271。具体地，例如，通过溅射等在形成绝缘层72的绝缘层膜181的表面上形成籽晶金属271。应注意，图11是玻璃布线板51的位于图7的金属布线171的附近的部分的放大图。
例如，通过溅射在绝缘层膜181的表面上通过顺次堆叠钛(ti)和cu而形成籽晶金属271。更具体地，在绝缘层膜181的表面上形成ti膜之后，例如，进一步在其上形成cu膜，并且ti膜与cu膜转变成籽晶金属271。以这种方式形成的籽晶金属271用作电镀的基础层。
在步骤s52中，通过曝光和显影在籽晶金属表面上形成抗蚀剂图案。
如由图11中的箭头q52指示的，例如，在包括开口192的一部分的籽晶金属271的期望区域上涂布抗蚀剂272，从而形成抗蚀剂图案。在抗蚀剂图案中，在后面过程中要经受电镀的部分处于敞开状态并且在其中并不具有抗蚀剂272。
在该示例中，籽晶金属271与抗蚀剂272还形成(涂布)在用于形成开口221而形成(敞开)的开口192的部分上，从而在后面阶段中，安装成像元件52。
在步骤s53中，通过电镀在抗蚀剂图案的开口部中形成用于形成第二导电层75的金属布线。
如由图12中的箭头q61指示的，例如，通过cu电镀在抗蚀剂图案的开口部中形成金属布线201和金属布线202。
在步骤s54中，利用抗蚀剂清洁液移除籽晶金属上的抗蚀剂图案或抗蚀剂。例如，如由图12中的箭头q62指示的，移除抗蚀剂272。
在步骤s55中，通过湿蚀刻移除籽晶金属，形成第二导电层，并且导电层形成过程结束。
例如，如由图12中的箭头q63指示的，移除籽晶金属271，并且实现由图7中的箭头q23指示的状态。应注意，在由图7中的箭头s23指示的示例中，未示出籽晶金属271，并且由图12中的箭头q63指示的图是由图7中的箭头q23指示的图的更具体的图。
在由图12中的箭头q63指示的示例中，仅留下金属布线201和202与籽晶金属271中的绝缘层膜181之间的部分，并且完全移除形成在绝缘层72上的籽晶金属271的其他部分，诸如开口192的部分。因此，在开口192的部分处，曝光形成第一导电层74的金属布线171的一部分。
由于以这种方式移除了籽晶金属271，因此形成与第一导电层74相邻的第二导电层75。
在该示例中，当移除籽晶金属271时，还可以利用几乎不会损坏cu的ti移除解决方案选择性地移除位于开口192内的籽晶金属271的部分。由于使用相对于cu具有选择比的ti移除解决方案，可以在几乎不损坏诸如cu的曝光金属布线171的第一导电层74的同时移除籽晶金属271。即，可以执行几乎不损坏必需的金属布线的处理。因此，在要形成用于安装成像元件52的开口221的部分中可以形成开口192。
以上述方式，在形成第二导电层时，通过半叠加方法形成金属布线。
<垫片结构的示例>
同时，诸如图3所示的垫片92和垫片93相应垫片，或用于安装成像元件52(即，作为安装在玻璃布线板51上的部件的半导体元件)的垫片结构可以具有任意结构，并且例如可以具有图13所示的结构。应注意，在图13中，与图3所示的这些部件等同的部件由与图13使用的相同参考标号表示，并且将不需要重复其说明。
在由箭头q71指示的示例中，在通过开口90曝光的形成在导电层74中的金属布线301的部分是形成用于安装成像元件52的垫片(垫片结构)的岸面。
而且，在由箭头q72指示的示例中，通过开口90曝光的金属布线301的部分是如箭头q71指示的该示例中的岸面。然而，在该示例中，金属布线301的端部位于开口90内。
进一步地，与由箭头q71指示的示例相似，在由箭头q73指示的示例中，形成第二导电层75的金属布线302形成在金属布线301的岸面部的表面上，并且该金属布线302还用作岸面。即，在该示例中，由包括金属布线301的岸面部和作为岸面的金属布线302的两层岸面形成垫片。
应注意，只要将金属布线302设置在导电层74之上，或更具体地，设置在形成导电层74的金属布线301之上，金属布线302就可以是形成导电层75的金属布线。可替代地，金属布线302可以是形成开口90之后、形成在金属布线301的表面上的岸面(垫片)。
进一步地，在由箭头q73指示的垫片结构中，凸点303可以进一步形成在由箭头q74指示的金属布线302上，并且成像元件52可以与凸点303凸点连接。例如，可以利用诸如不含铅(pb)的snagcu、snag等焊料形成凸点303。
应注意，在凸点303的形成过程中，可以使用cu芯焊料调整成像元件52与玻璃布线板51之间的间隙。还可以使用包括au或cu的支柱凸点作为凸点303。在这种情况下，用作岸面的金属布线302的表面可以是au、焊料等。
进一步地，例如，在由箭头q71至q74指示的示例中，金属布线301与金属布线302仅可以由经过有机可焊性防腐剂(osp)处理的cu制成。可替代地，通过按顺序堆叠金属(诸如堆叠cu、ni、以及au，堆叠cu、ni、pd(钯)、以及au，堆叠cu和ag(银)，或堆叠cu和sn(tin))可以形成金属布线301与金属布线302。
此外，在由箭头q74指示的垫片结构的情况下，例如，当成像元件52凸点连接至玻璃布线板51时，例如，由图14中的箭头q81指示每个连接部。应注意，在图14中，与图13所示的这些部件等同的部件由与图13使用的相同参考标号表示，并且将不需要重复其说明。
在由箭头q81指示的示例中，位于玻璃布线板51的一侧上的金属布线302和形成在成像元件52上的岸面311与凸点303连接，因此，成像元件52安装在玻璃布线板51上。
可替代地，如由箭头q82指示的，cu柱状物凸点312可以进一步形成在位于成像元件52的一侧上的岸面311上，并且cu柱状物凸点312与凸点303可以连接成使得成像元件52安装在玻璃布线板51上。
<第一实施方式的第一变形>
<制造过程>
应注意，如上面参考图5描述的示例，在用于制造成像装置的制造过程中，可以不通过曝光和显影等形成穿透绝缘层来安装成像元件52的开口。相反，可以通过激光开孔形成穿透开口。
在这种情况下，直至形成第二绝缘层72和绝缘层82的过程与图5中的步骤s11至s14中的过程相似，并且之后，例如，执行图15和图16所示的过程(步骤)，以制造成像装置。应注意，在图15和图16中，与图7或图8所示的这些部件等同的部件由与图7或图8使用的相同参考标号表示，并且将不需要重复其说明。
如由图15中的箭头q91指示的，在通过激光开孔形成开口的情况下，在完成由图6中的箭头q11至q13指示的步骤及由图7中的箭头q21指示的步骤之后，通过对第二绝缘层进行曝光和显影、激光处理等形成用于连接至第一导电层的开口。
在该示例中，在绝缘层膜181上执行曝光和显影以及激光处理，并且形成用于连接至位于第一导电层74中的金属布线的开口191等。同样，还在绝缘层膜182上执行曝光和显影以及激光处理，从而还形成用于连接至形成在第一导电层84中的金属布线的开口193等。
应注意，在这个阶段，不形成用于形成穿透一些绝缘层的开口(诸如，图7所示的开口192等)以用于安装成像元件52的开口。
如由箭头q92指示的，通过半叠加方法等在绝缘层72的表面上利用cu等形成金属布线201、金属布线202等，并且由这些金属布线构成的层转变成第二导电层75。同样，在绝缘层82的表面上利用cu等形成金属布线203等，并且由这些金属布线构成的层转变成第二导电层85。
进一步地，如由箭头q93指示的，通过涂覆、层压等在绝缘层72与导电层75的表面上形成绝缘层膜211，并且绝缘层膜211的这个部分转变成第三绝缘层73。同样，在绝缘层82与导电层85的表面上形成绝缘层膜212，并且绝缘层膜212的这个部分转变成第三绝缘层83。
之后，如图16中的箭头q94所示，在绝缘层膜212上执行曝光和显影及激光处理，从而形成用于连接至形成在第二导电层85中的金属布线的开口222等。
进一步地，如由箭头q95指示的，在绝缘层膜211和绝缘层膜181上执行激光处理，从而形成用于连接至形成在第一导电层74中的金属布线的开口331。例如，该开口331是与图3所示的开口90等同的开口，并且开口331是具有形成包围图3所示的开口133的部分(即，核心基板61通过其曝光以用于透光的部分)的坝结构的开口。
如由箭头q96指示的，由于以这种方式形成开口331，通过电解电镀、无电解电镀等在位于开口331内的第一导电层74的金属布线的表面上形成诸如垫片231和垫片232的垫片。诸如垫片233的垫片还形成在第二导电层85中的金属布线的表面上。
在通过上述过程获得玻璃布线板51之后，执行与图5中的步骤s20的过程相似的过程，并且然后，制造过程结束。
如上所述，可以采用任意适当的方法作为形成安装成像元件52的开口的方法。
<垫片结构的示例>
同时，例如，诸如图16所示的垫片231和垫片232的相应垫片、或用于将成像元件52安装在玻璃布线板51上的垫片结构可以具有任意结构，并且可以具有图17所示的结构。应注意，在图17中，与图16所示的这些部件等同的部件由与图16中使用的相同参考标号表示，并且将不需要重复其说明。
在由箭头q101指示的示例中，形成在导电层74中的通过开口331曝光的金属布线361的部分是形成用于安装成像元件52的垫片(垫片结构)的岸面。
此外，在由箭头q102指示的示例中，通过开口331曝光的金属布线361的部分是由箭头q101指示的示例中的岸面。然而，在该示例中，金属布线361的端部位于开口331内。
进一步地，与由箭头q101指示的示例相似，在由箭头q103指示的示例中，在金属布线361的岸面部的表面上形成用于形成第二导电层75的金属布线362，并且该金属布线362还用作岸面。即，在该示例中，利用包括金属布线361的岸面部和作为岸面的金属布线362的两层岸面形成垫片。
应注意，只要将金属布线362设置在金属布线361之上，金属布线362就可以是形成导电层75的金属布线。可替代地，金属布线362可以是形成开口331之后形成在金属布线361的表面上的岸面(垫片)。
进一步地，在由箭头q103指示的垫片结构中，凸点363可以进一步形成在由箭头q104指示的金属布线362上，并且成像元件52可以与凸点363凸点连接。例如，可以利用诸如不含pb的snagcu、snag的焊料形成凸点363。
应注意，在凸点363的形成过程中，可以使用cu芯焊料调整成像元件52与玻璃布线板51之间的间隙。还可以使用包括au或cu的支柱凸点用作凸点363。在这种情况下，用作岸面的金属布线362的表面可以是au、焊料等。
进一步地，例如，在由箭头q101至q104指示的示例中，金属布线361与金属布线362仅可以由经过osp处理的cu制成。可替代地，通过堆叠cu、ni、以及au，堆叠cu、ni、pd、以及au，堆叠cu和ag，堆叠cu和sn可以形成金属布线361和金属布线362。
此外，在由箭头q104指示的垫片结构的情况下，例如，当成像元件52凸点连接至玻璃布线板51时，例如，由图18中的箭头q111指示每个连接部。应注意，在图18中，与图17所示的这些部件等同的部件由与图17中使用的相同参考标号表示，并且将不需要重复其说明。
在由箭头q111指示的示例中，位于玻璃布线板51的一侧上的金属布线362和形成在成像元件52上的岸面371与凸点363连接，使得成像元件52安装在玻璃布线板51上。
可替代地，如由箭头q112指示的，cu柱状物凸点372可以进一步形成在位于成像元件52的一侧上的岸面371上，并且柱状物凸点372与凸点363可以连接成使得成像元件52安装在玻璃布线板51上。
<第二实施方式>
<成像装置的示例性结构>
而且，在成像装置121中，在安装诸如成像元件52的部件时，定位成最靠近于部件的绝缘层的部分可以被使得与该部件接触，以进一步增加平坦性或并行性。
例如，在这种情况下，将成像装置121设计成如图19所示。应注意，在图19中，与图3所示的这些部件等同的部件由与图3中使用的相同参考标号表示，并且此处将不重复其说明。
在图19所示的示例中，被设置成相对于在第三绝缘层73中具有坝结构的凹槽状的开口90而与成像元件52的光接收部侧相邻的部分用作用于防止底层填料139流入光接收部中的突出部401。
突出部401与图3所示的突出部91基本相同，朝向成像元件52突出并且具有用于拦堵底层填料139的结构。然而，突出部401与突出部91的不同在于，在安装了成像元件52的状态下，突出部401的表面与成像元件52接触。
在突出部401(即，至少绝缘层73的一部分)与成像元件52的表面接触的状态下，或在可以进一步增加成像元件52的平坦性的接触状态下，成像元件52安装在玻璃布线板51上。
<第三实施方式>
<成像装置的示例性结构>
可替代地，形成成像装置121的玻璃布线板51的材料，或具体地，设置在表面部分上的绝缘层的一部分或全部，可以由抗反射材料、能够阻挡光的材料等形成。利用该布置，可以防止意外的杂散光被反射并且防止杂散光进入成像元件52的光接收部，并且因此，可以减少闪光的发生。
例如，在利用抗反射材料或能够阻挡光的材料形成至少绝缘层的一部分的情况下，将成像装置121设计成如图20所示。应注意，在图20中，与图3所示的这些部件等同的部件由与图3中使用的相同参考标号表示，并且将不需要重复其说明。
图20所示的成像装置121与图3所示的成像装置121的不同在于，利用抗反射材料或能够阻挡光的材料形成形成绝缘层73的绝缘层膜431和形成绝缘层83的绝缘层膜432，并且在其他方面，图20所示的成像装置121与图3所示的成像装置121具有相同的结构。
在该示例中，在图3中曝光的绝缘层71与绝缘层72的表面的部分还覆盖有绝缘层膜431。同样，在图3中曝光的绝缘层81与绝缘层82的表面的部分也覆盖有绝缘层膜432。
在图20所示的示例中，从外部进入开口134的光穿过核心基板61和开口133，并且然后进入成像元件52的光接收部。在这个阶段，来自外部的光可能进入绝缘层83和绝缘层73的表面并且变成杂散光分量。
然而，在该示例中，利用抗反射材料或能够阻挡光的材料形成用于形成绝缘层73的绝缘层膜431和用于形成绝缘层83的绝缘层膜432，因此，可以防止进入这些绝缘层的光被反射并且防止变成杂散光分量。因此，可以减少闪光的发生。
应注意，在此处描述的示例中，整个第三绝缘层73与整个绝缘层83由抗反射材料或能够阻挡光的材料形成。然而，可以仅利用抗反射材料或能够阻挡光的材料形成绝缘层73与绝缘层83的表面部分。
<第四实施方式>
<成像元件的安装>
此外，在成像装置121中，在将成像元件52安装在开口90(即，具有图3或图4所示的坝结构的凹槽部)中之后，涂布底层填料139，并且使底层填料139的树脂硬化。然而，可以在形成底层填料139之后安装成像元件52。
在这种情况下，如由图21中的箭头q121指示的，例如，在制造过程中，在玻璃布线板51的开口221中形成(涂布)非导电膏(ncp)或非导电膜(ncf)作为底层填料245。应注意，在图21中，由与图9中使用的相同参考标号表示与图9所示的这些部件等同的部件，并且将不需要重复其说明。
此处，图21中的开口221是具有坝结构的凹槽并且与图4所示的开口90等同。在图21所示的示例中，在安装成像元件52之前，预先在凹槽状的开口221中形成底层填料245。由于使用该凹槽状的开口221，因此可以容易地形成底层填料245。应注意，在这种情况下，例如，凸点241和凸点242形成在成像元件52的一侧上。
如由箭头q122指示的，成像元件52然后通过与安装头243的压接等而倒装地安装在玻璃布线板51上。因此，不需要在安装成像元件52之后涂布液体底层填料。
可替代地，在成像元件52的光接收部的像素部分处，不仅可以预先形成底层填料245，而且还可以预先形成透明树脂。在这种情况下，在安装成像元件52之后，利用透明树脂密封成像元件52的光接收部与玻璃布线板51之间的空间。
<第五实施方式>
<成像装置的示例性结构>
此外，在上述图4所示的示例中，开口90形成为完全包围开口133的一部分或成像元件52的光接收部，而不留任何空隙。在图4所示的示例中，在安装成像元件52之后，由开口90包围的部分被空气完全密封。
另一方面，如图22所示，例如，可以不是毫无任何空隙地包围成像元件52的光接收部，但是，包围成像元件52的光接收部的多个开口可以形成为使得在结构的一部分中形成空气通道或通风孔。应注意，在图22中，由与图4中使用的相同参考标号表示与图4所示的这些部件等同的部件，并且将不需要重复其说明。
由图22中的箭头q131指示的图示出了从玻璃布线板51的法线方向上观看的玻璃布线板51。在该示例中，四个l形状的开口461-1至461-4形成为包围被密封在成像元件52的光接收部与核心基板61之间的空间中的部分、或包围玻璃布线板51的部分的面向成像元件52的区域。
进一步地，分别在相邻的开口461-1与461-2之间、相邻的开口461-1与461-3之间、相邻的开口461-2与461-4之间、以及相邻的开口461-3与461-4之间形成空气通道462-1至462-4。应注意，在下文中，除非需要明确地区分彼此，否则开口461-1至461-4还被简称为开口461，并且在下文中，除非需要明确区分彼此，否则空气通道462-1至462-4还被简称为空气通道462。
在由箭头q131指示的示例中，玻璃布线板51的部分的面向成像元件52的区域由形成在布线层62中的凹槽状的多个开口461包围。然后，在彼此相邻的开口461之间形成空气通道462，即，用于将玻璃布线板51的部分的面向成像元件52的区域连接至外部区域的通风孔。
此处，每个开口461的底表面是第二绝缘层72，并且诸如形成在埋设在绝缘层72中的导电层74的表面上的垫片92、垫片93、垫片463、以及垫片464的垫片设置在绝缘层72的部分中。
同时，每个空气通道462的底表面是第三绝缘层73，并且空气通道462的部分在厚度方向上或在玻璃布线板51的法线方向朝向成像元件52的方向上比开口461的部分高。
如上所述，即使在形成具有坝结构的开口461的情况下，开口461的外侧与内侧也是绝缘层73，即，在附图中，比位于成像元件52的前侧或一侧上的绝缘层72高。具体地，在图22中，与开口461的内侧相邻的绝缘层73的一部分用作突出部91，并且底层填料被突出部91拦堵并且防止流入成像元件52的光接收部中。
进一步地，例如，如上面参考图9描述的，在将成像元件52安装在玻璃布线板51上时，在安装成像元件52之后，向开口461涂布底层填料并且进行热硬化。可替代地，如上面参考图21描述的，在预先在开口461中形成底层填料之后，安装成像元件52。
在将成像元件52安装在玻璃布线板51上的状态下，例如，当在从下向上方向上观看时，由箭头q131指示的玻璃布线板51如由箭头q132指示的。在该示例中，在开口461-3中形成底层填料465，并且在开口461-4中形成底层填料466。
而且，在位于成像元件52与玻璃布线板51之间的部分中形成空气通道462-4，即，通风空间。从这方面显而易见的是，成像元件52与玻璃布线板51之间的空间(区域)未被完全密封。
例如，在安装成像元件52时，通过热硬化点燃在开口461中形成的底层填料465和底层填料466。然而，在该热硬化过程中，空气通道462用作将来自成像元件52与玻璃布线板51之间的空间的空气释放至外部的空气通道。
相应地，利用这些空气通道462，变得可以防止成像元件52与玻璃布线板51之间的部分或密封部分的内部压力增加。
用于底层填料的热硬化温度通常为约130℃。如果在完全密封成像元件52的光接收部的状态下执行热硬化，则由于密封部分的内部压力的增加而导致诸如成像元件52倾斜或安装的成像元件52脱离的缺陷。
为此，在,该实施方式中，形成空气通道462，因此，防止在底层填料的热硬化过程中的内部压力增加，并且可以改善成像装置121的产量与特性。
应注意，如果在底层填料的热硬化过程中，空气通道462保持原样，则灰尘等从外部进入成像元件52的光接收部并且粘附至光接收部，产生缺陷。因此，在该示例中，在开口461中形成底层填料之后，向空气通道462的部分施加不导致内部压力增加的紫外线可固化树脂或低温可固化树脂等，并且在结束时完全密封成像元件52与玻璃布线板51之间的部分。
例如，利用具有高杨氏模数、但需要热硬化的树脂材料形成在开口461的部分中形成的底层填料。另一方面，不同于在开口461的部分中形成的底层填料，用于密封空气通道462的底层填料包括不需要在高温时点燃的树脂材料。
尽管希望也在结束时密封空气通道462的部分，然而，不一定必须密封空气通道462的部分。此外，尽管此处已经描述了设置有l形状的开口461和空气通道462的示例，然而，这仅是示例，并且可以采用任意设计作为包围成像元件52与玻璃布线板51之间的部分的开口，以及设置成相邻于开口的空气通道。
<第六实施方式>
<成像装置的示例性结构>
此外，在图22所示的示例中，在点燃在开口461中形成(涂布)的底层填料之后，不可以利用树脂等密封空气通道462。确切地，可以经由空气通道462将透明树脂引入至成像元件52与玻璃布线板51之间的部分中，并且然后进行密封。
在这种情况下，从空气通道462将透明树脂注入(埋置)到由开口461包围的部分中，或注入到成像元件52与玻璃布线板51之间的部分中，并且利用透明树脂执行密封。因此，即使在利用透明树脂密封之后向成像装置121(封装)施加热，成像装置52与玻璃布线板51之间的部分的内部压力也不会上升。
例如，在以这种方式将透明树脂埋置在成像元件52与玻璃布线板51之间的部分中的情况下，成像装置121被设计成如图23所示。应注意，在图23中，由与图3或图22使用的相同参考标号表示与图3或图22所示的这些部件等同的部件，并且将不需要重复其说明。
在图23所示的示例中，开口461形成在位于成像元件52的一侧上的玻璃布线板51的积层多层布线层62中，并且成像元件52通过设置在这些开口461中的凸点491和凸点492而安装在玻璃布线板51上。
底层填料465与底层填料466还形成在相应的开口461中。此外，成像装置121的开口133的部分、或由开口461、成像元件52、以及核心基板61包围的空间填充有从空气通道462(未示出)注入的透明树脂493。换言之，成像元件52与玻璃布线板51之间的部分被透明树脂493完全密封。
此处，例如，考虑到对成像元件52的翘曲的影响，透明树脂493是其杨氏模数尽可能地低的树脂等。进一步地，例如，为了防止由于透光核心基板61与透明树脂493之间的界面处的入射光的反射而导致成像特性下降，透明树脂493的材料选择为使得透明树脂493的折射指数变得等于核心基板61的折射指数或大致相同。
<第七实施方式>
<成像装置的示例性结构>
进一步地，关于用于拦堵底层填料的突出部91，仅形成积层多层布线层62和63的绝缘层的一部分可以制造得比其他绝缘层厚。利用这种布置，变得可以改进拦堵底层填料的效果并且便于调整成像元件52的安装高度。另一方面，关于布线，在绝缘层薄的情况下，精细处理更容易。
鉴于此，例如，如图24所示，位于玻璃布线板51的最外侧上的绝缘层73和绝缘层83可以制造得比其他绝缘层(即，绝缘层71、绝缘层72、绝缘层81、以及绝缘层82)厚。应注意，在图24中，由与图3中使用的相同参考标号表示与图3所示的这些部件等同的部件，并且将不需要重复其说明。
在图24所示的示例中，最外层绝缘层73和83在垂直方向上的厚度，即，在玻璃布线板51的法线方向上的厚度，比位于内侧上的绝缘层71、绝缘层72、绝缘层81、以及绝缘层82的厚度大。相应地，不仅可以便于调整成像元件52的安装高度，而且还增加了突出部91的高度，以改善拦堵底层填料139的效果。
此外，因为设置在内层侧上的绝缘层71、绝缘层72、绝缘层81、以及绝缘层82的厚度充分薄，所以可以容易地对导电层执行诸如形成精细的金属布线的精细处理。应注意，例如，通过调整诸如绝缘层71和绝缘层72的相应绝缘层的厚度，可以执行诸如成像元件52的安装部件的安装高度的调整。
当以上述方式适当地调整每个绝缘层的厚度时，可以优化整个玻璃布线板51的结构。应注意，图24所示的示例仅是示例，并且通过增加第一绝缘层71的厚度也可以增加成像元件52的安装高度。进一步地，为了统一向玻璃布线板51的前后表面施加的厚度方向的膜应力，优选使得在前后表面上形成的绝缘层的厚度和结构、或布线层62和布线层63的相应绝缘层的厚度和结构尽可能地对称。
<第八实施方式>
<成像装置的示例性结构>
关于底层填料拦堵结构，还可以对绝缘层73的一部分或全部应用亲水性处理或疏水性处理，以进一步提高底层填料拦堵效果。
在这种情况下，例如，成像装置121被设计成如图25所示。应注意，在图25中，由与图3中使用的相同参考标号表示与图3所示的这些部件等同的部件，并且将不需要重复其说明。
在图25所示的示例中，如由箭头w11指示的，对在绝缘层73中形成的突出部91的表面部分、或面向成像元件52的突出部91的部分执行亲水性处理或疏水性处理。利用该布置，当向开口90涂布底层填料139时，可以防止底层填料139流出开口90之外。即，可以提高拦堵底层填料139的效果。
应注意，不仅可以对突出部91执行亲水性处理或疏水性处理，而且还可以对位于突出部91的一侧上的开口90的斜坡部分的一部分、以及位于绝缘层73的表面上的开口90的外侧、或与玻璃布线板51的中心侧相对的开口90的一侧的一部分等执行亲水性处理或疏水性处理。
此处，例如，通过使目标区域经受等离子体处理或在目标区域上形成诸如金属膜的薄膜，可以执行对突出部91的表面部分等的亲水性处理或疏水性处理。
<第九实施方式>
<电子设备的示例性结构>
应注意，至此已经描述了将本技术应用于成像装置121的示例。然而，本技术可以应用于与成像装置121不同并且具有诸如半导体元件的部件、或具体地具有在部件与基板之间形成并且优选被密封的空间的部件的半导体装置。本技术还可以应用于配备有包括成像装置121的各种各样的半导体装置的任何电子设备。
例如，本技术还可以应用于图26所示的半导体装置。应注意，在图26中，由与图3使用的相同参考标号表示与图3所示的这些部件等同的部件，并且将不需要重复其说明。
在图26所示的示例中，半导体装置521由玻璃布线板51和安装在玻璃布线板51上的微电机械系统(mems)元件形成并且具有机械结构。
在该示例中，在玻璃布线板51中未形成图3中所示的开口133和开口134。进一步地，mems元件531(即，安装元件的示例)是通过设置在开口90内的凸点94和凸点95而倒装地安装在玻璃布线板51上。
此处，如图3所示的情况，凸点94与凸点95形成在垫片92与垫片93上，垫片92与垫片93形成在比设置在最外侧上的导电层75更靠近核心基板61的导电层74上。此外，底层填料139形成在开口90的一部分中，并且因此，mems元件531与玻璃布线板51之间的部分被密封。
具体地，在面向玻璃布线板51的mems元件531的表面的一部分处设置机械结构的情况下，机械结构的该部分被密封，因此，防止灰尘等粘附至机械结构的该部分，并且可以改善特性。
<第十实施方式>
<成像装置的示例性结构>
应注意，已经描述了成像元件与mems元件作为以高平坦性和低成本安装在基板上的安装元件(部件)的示例。然而，例如，在其他情况下，诸如将透镜结构等安装在基板上的情况等，也可以应用本技术。
在这种情况下，例如，将应用本技术的成像装置设计成如图27所示。
图27所示的成像装置561包括利用一个或多个透镜形成的透镜系统571、玻璃布线板572、成像元件573、密封元件574、有源元件575、以及无源元件576。
例如，玻璃布线板572由包括硅硼酸盐玻璃等的核心基板581、以及布线层582和布线层583(即，形成在核心基板581的两个表面上的积层多层布线层)形成。布线层582与布线层583各自包括多个绝缘层和多个导电层。
此外，微透镜与滤色片形成在成像元件573(即，图像传感器)的光接收部584上。利用面向玻璃布线板572的一侧的光接收部584，将成像元件573安装在玻璃布线板572上。即，将成像元件573安装成使得成像元件573的光接收部584面向玻璃布线板572。
进一步地，在玻璃布线板572的中心部分中、或在面向成像元件573的光接收部584的部分中形成开口585，即穿透核心基板581、布线层582、以及布线层583的开口。
在玻璃布线板572上，将成像元件573与密封元件574固定成使得成像元件573与密封元件574经由开口585面向彼此。因此，利用成像元件573和密封元件574密封开口585的一部分中的空间、或开口585和光接收部584，以防止灰尘等从外部进入。
布线层582具有位于最内层侧(即，核心基板581的一侧)上的第一绝缘层591和形成在绝缘层591的外侧上或形成在距离核心基板581最远的一侧上的第二绝缘层592。例如，绝缘层591与绝缘层592是包括聚酰亚胺的绝缘层。
进一步地，第一导电层593形成在布线层582的绝缘层591的一部分中，并且第二导电层594形成在绝缘层591和绝缘层592的部分中。
例如，在该示例中，位于最靠近核心基板581的第一导电层593由包括铜(cu)等的金属布线595、金属布线596、金属布线597等形成。此外，例如，位于最外侧(即，距离核心基板581最远的一侧)上的第二导电层594由包括铜(cu)等的金属布线598和金属布线599形成。
同样，布线层583包括第一绝缘层611和形成在绝缘层611的外侧上并且位于最外侧上的第二绝缘层612，并且例如，绝缘层611和绝缘层612也是包括聚酰亚胺的绝缘层。
此外，第一导电层613形成在布线层583的绝缘层611的一部分中，并且第二导电层614形成在绝缘层611与绝缘层612的部分中。
在该示例中，例如，位于最靠近核心基板581的第一导电层613由包括cu等的金属布线615、金属布线616等形成，并且例如，位于最外侧上的第二导电层614由cu等制成的金属布线617和金属布线618形成。
进一步地，穿透核心基板581并且将形成在一个表面上的导电层593电连接至形成在另一表面上的导电层613的贯通电极621和贯通电极622设置在核心基板581上。
例如，形成导电层593的金属布线596连接至贯通电极621的一端，并且形成导电层613的金属布线615连接至贯通电极621的另一端。同样，核心基板581的前后表面通过贯通电极621和贯通电极622彼此电连接。
此外，成像元件573通过设置在金属布线615上的凸点623、设置在金属布线616上的凸点624等安装在玻璃布线板572上。换言之，成像元件573和玻璃布线板572与凸点623和凸点624电且物理地连接。
此外，在成像装置561中，成像元件573通过上述方式直接凸点连接至位于最外层导电层614的内侧上的导电层613，因此，可以以高平坦性和低成本将成像元件573安装在玻璃布线板572上。进一步地，由于成像元件573与核心基板581之间的距离缩短，也可以实现低剖面安装。
向用于凸点连接至成像元件573的凸点623和凸点624的部分涂布底层填料625(即，密封树脂)，并且利用底层填料625密封开口585的一部分。在该示例中，密封的开口585的部分填充有空气。
进一步地，利用粘合剂626将密封元件574固定(接合)至最外层绝缘层592的表面。
应注意，通过敞开核心基板581或玻璃布线板572，可以采用任意适当的方法作为形成开口585的方法。
形成开口585的方法的示例是在核心基板581的两个表面上形成布线层582和布线层583的方法，例如，敞开位于玻璃布线板572中的开口585的一部分，并且然后，安装成像元件573等。
低反射材料627形成在通过开口585的一部分曝光的玻璃布线板572的内壁部分上、或形成在位于开口585的一侧上的核心基板581、布线层582、以及布线层583的部分上。换言之，低反射材料627形成为使得位于开口585的一侧上的玻璃布线板572的端部覆盖有减少光的反射的低反射材料627。
在成像装置561中，来自外部(对象)的光通过透镜系统571中的透镜、密封元件574、以及开口585进入成像元件573的光接收部584。因此，低反射材料627设置在成像装置561中，使得可以防止来自外部的光被核心基板581反射或进入光接收部584，并且可以减少闪光的发生。
而且，在玻璃布线板572中，有源元件575经由垫片和凸点连接至设置在最外层导电层594中的金属布线599。同样，无源元件576经由垫片和凸点连接至设置在最外层导电层594中的金属布线598。有源元件575和无源元件576设置(安装)在位于透镜系统571的一侧上的布线层582的表面上。
进一步地，在布线层582中，形成至少穿透最外层绝缘层592的开口628。应注意，开口628至少应穿透最外层绝缘层592并且连接至定位成比最外层导电层594更靠近核心基板581的导电层。
具体地，在该示例中，开口628形成为包围玻璃布线板572的中心部分，玻璃布线板572上设置有密封元件574、有源元件575、以及无源元件576。
此外，在布线层582中，垫片629与垫片630形成在位于开口628内的金属布线595和金属布线597的部分上。
此外，将用于保持构成透镜系统571的透镜的保持外壳的一部分插入到在开口628中形成有垫片629与垫片630的部分中、并且通过利用诸如树脂、焊料的粘合剂形成的粘合元件631进行固定。即，虽然将透镜系统571的一部分插入到开口628中，但是，利用粘合元件631将透镜系统571固定至玻璃布线板572或核心基板581。
应注意，例如，透镜系统571的一部分可以经由垫片629、垫片630、焊料等电连接至金属布线595等。即，透镜系统571与玻璃布线板572可以彼此电连接。
在该示例中，由于形成了开口628，透镜系统571直接连接至位于最外层导电层594的内侧侧上的导电层593，并且位于玻璃布线板572的一侧上的透镜系统571的一部分可以设置在靠近位于内层侧上的核心基板581的位置处。因此，如同成像元件573的情况，可以以高平坦性和低成本将透镜系统571安装在玻璃布线板572上。即，可以以低成本提高透镜系统571在玻璃布线板572上的安装准确性。
应注意，此处已经描述了将成像元件573设置在位于与透镜系统571相对的侧上的玻璃布线板572的表面上的示例。然而，成像元件573可以设置在提供密封元件574的位置处。可替代地，不可以形成穿透核心基板581的开口。
<第十一实施方式>
<成像装置的示例性结构>
此外，在图27所示的成像装置561中，将透镜系统571固定至玻璃布线板572。然而，可以不设置透镜系统571。
在这种情况下，例如，成像装置被设计成如图28所示。应注意，在图28中，由与图27中使用的相同参考标号表示与图27所示的这些部件等同的部件，并且此处不重复其说明。
图28中所示的成像装置651包括玻璃布线板572、成像元件573、密封元件574、有源元件575、以及无源元件576。
成像装置651的结构与成像装置561的结构的不同在于包括透镜系统571，但是，在其他方面，与成像装置561的结构大致相同。
即，透镜系统571没有设置在成像装置651中，并且因此，亦不提供用于固定透镜系统571的开口628、垫片629、垫片630、粘合元件631等。
在该成像装置651中，成像元件573还直接凸点连接至位于最外层导电层614的内侧上的导电层613，因此，可以以高平坦性和低成本将成像元件573安装在玻璃布线板572上。进一步地，由于可以缩短成像元件573与核心基板581之间的距离，因此还可以实现低剖面安装。
<第十二实施方式>
<成像装置的示例性结构>
可替代地，散热板可以固定至位于与光接收部侧相对的侧上的成像元件的表面。在这种情况下，例如，应用本技术的成像装置被设计成如图29所示。应注意，在图29中，由与图28中使用的相同参考标号表示与图28所示的这些部件等同的部件，并且将不需要重复其说明。
图29所示的成像装置671的结构与图28所示的成像装置651的不同在于新提供了高散热材料681和散热板682，但是，在其他方面，与成像装置651的结构相同。
即，在成像装置671中，利用热界面材料(tim)等形成的高散热材料681被设置成与位于与光接收部584的一侧上的表面相对的侧上的成像元件573的表面相邻。
此外，例如，散热板682包括cu等并且利用高散热材料681附接至成像元件573。即，在成像装置671中，高散热材料681设置在成像元件573与散热板682之间。
进一步地，在穿透最外层绝缘层612与绝缘层611的一部分的开口683和开口684的部分处，利用焊料、粘合剂等将散热板682固定(连接)至玻璃布线板572。应注意，散热板682的一部分可以经由设置在开口683和开口684的部分处的焊料等电连接至玻璃布线板572。
如上所述，当将高散热材料681与散热板682设置在成像装置671中时，可以有效释放在成像元件573中产生的热。
<第十三实施方式>
<成像装置的示例性结构>
进一步地，在将高散热材料和散热板设置在成像装置中的情况下，不可以在核心基板的一部分中形成任何开口。
在这种情况下，例如，应用本技术的成像装置被设计成如图30所示。应注意，在图30中，由与图29中使用的相同参考标号表示与图29所示的这些部件等同的部件，并且将不需要重复其说明。
图30所示的成像装置711包括玻璃布线板572、成像元件573、有源元件575、无源元件576、高散热材料681、以及散热板682。
即，成像装置711的结构与图29中所示的成像装置671的结构的不同在于不包括密封元件574和开口585，但是，在其他方面，与成像装置671的结构基本相同。
在成像装置711中，不具有开口的核心基板721，而非图29所示的核心基板581，设置在玻璃布线板572中。例如，核心基板721是包括硅硼酸盐玻璃等的透明板状元件并且将从外部进入的光传递至成像元件573的光接收部584。
此外，在面向成像元件573的光接收部584的布线层582和布线层583的部分中，形成开口722和开口723，因此，曝光核心基板721。成像元件573通过开口722和开口723可以接收来自外部的光。
即，开口722用作将从外部进入的光引导至核心基板721的透光开口。开口部723还用作将从外部进入并且穿过开口722和透光核心基板721的光引导至成像元件573的光接收部584的透光开口。
进一步地，在面向位于开口部722的一侧上的光接收部584的核心基板721的表面的部分处，设置由防止入射光发生反射的抗反射膜等形成的抗反射部724。同样，在面向位于开口部723的一侧上的光接收部584的核心基板721的表面的部分处，设置由防止入射光发生反射的抗反射膜等形成的抗反射部725。由于设置了抗反射部724和抗反射部725，可以防止由于从外部进入的光被核心基板721的表面反射而出现闪光。
应注意，可以组合至此描述的实施方式与变形，视情况而定。
<成像装置的示例性结构>
进一步地，本技术可以应用于使用与上述成像装置121等同的固态成像装置作为光电转换器的任何电子设备，诸如类似数码静态摄像机或摄影仪的成像装置、具有成像功能的移动终端设备、或使用固态成像设备作为图像读取器的复印机等。
图31是示出作为应用本技术的电子设备的成像装置的示例性结构的图。
图31所示的成像装置801包括含透镜组等的光学系统811、成像单元812、数字信号处理器(dsp)电路813、帧存储器814、显示单元815、记录单元816、操作单元817、以及电源单元818。进一步地，从dsp电路813至电源单元818的部件经由总线线路819连接至彼此。
光学系统811集聚来自对象的入射光(图像光)并且在成像单元812的成像表面上形成图像。成像单元812将入射光的量(通过光学系统811集聚在成像表面上的图像)转换成每个像素的电信号并且输出电信号作为像素信号。例如，成像单元812与图3所示的成像装置121等同。
dsp电路813处理来自成像单元812的信号。例如，dsp电路813处理来自每个像素(通过成像单元812执行的成像而获得)的信号并且执行处理而将信号加载至帧存储器814中。
显示单元815由液晶面板或有机电致发光(el)面板形成、并且显示通过成像单元812形成的运动图像或静止图像。记录单元816将通过成像单元812形成的运动图像或静止图像记录在诸如数字通用盘(dvd)的记录介质上。
当用户操作时，操作单元817关于成像装置801的各个功能发起操作指令。电源单元818供应各个电源作为dsp电路813、帧存储器814、显示单元815、记录单元816、以及操作单元817的操作电源，视情况而定。
<固态成像装置的使用示例>
如上所述，图32是示出诸如成像装置121的固态成像装置(图像传感器)的使用的示例的图。
如下所述，在感测诸如可见光、红外线光、紫外线光、或x射线等光的各种情况下，可以使用上述固态成像装置，例如：
被配置为拍摄用于鉴赏活动的图像的设备，诸如数码相机和具有相机功能的便携式设备等。
用于交通用途的设备，诸如被配置为拍摄汽车的前面、后面、周围、内部等的图像来执行类似汽车停止的安全驾驶、辨别驾驶员的条件的车载传感器，用于监测运行车辆与道路的监控相机，以及用于测量车辆之间的距离的测距传感器等。
结合家用电器使用的设备，诸如电视机、电冰箱、以及空调等，以拍摄用户的手势的图像并且根据手势操作电器。
用于医疗护理用途和保健用途的设备，诸如内诊镜和用于接收红外光的血管造影术的设备等。
用于安保用途的设备，诸如，用于防止犯罪的监控相机和用于人员验证的相机等。
用于美容护理用途的设备，诸如，被配置为使皮肤成像的皮肤测量设备与用于使头皮成像的显微镜等。
用于运动用途的设备，诸如，用于运动的动作相机和可佩带相机等。
用于农业用途的设备，诸如，用于监测田地与农作物的条件的相机等。
进一步地，本技术的实施方式并不局限于上面描述的实施方式，并且在不背离本技术的范围的情况下，可以做出各种改造。
进一步地，本技术还可以涵盖在下面描述的配置中。
(1)一种制造半导体装置的方法，
半导体装置包括：
核心基板：
多层布线层，包括多个导电层和多个绝缘层，多层布线层形成在核心基板的表面上；
开口，形成在多层布线层中，开口至少穿透多个绝缘层之中的距离核心基板最远的最外层绝缘层；以及
安装元件，安装元件连接至开口中的设置在预定的导电层上的垫片部，预定的导电层定位成比在多个导电层之中的距离核心基板最远的最外层导电层更靠近核心基板；
方法包括下列步骤：
向形成在相邻于预定的导电层的相邻绝缘层中的开口部涂布抗蚀剂，在形成于相邻绝缘层上的籽晶金属上形成抗蚀剂图案；
在执行电镀并且移除抗蚀剂之后，通过移除位于包括开口部的相邻绝缘层上的籽晶金属而形成与预定的导电层相邻的导电层；并且
在形成最外层绝缘层之后，形成开口。
(2)根据(1)所述的方法，进一步包括步骤：在开口中的、安装元件与垫片之间的连接部处形成保护性树脂，保护性树脂保护连接部。
(3)根据(2)所述的方法，其中，凹槽状的开口形成在多层布线层中，以包围面向安装元件的区域。
(4)根据(3)所述的方法，其中，多个开口形成在多层布线层中，以包围面向安装元件的区域，并且空气通道形成在彼此相邻的开口之间，区域由开口包围并且面向通过空气通道连接至外部的安装元件。
(5)根据(4)所述的方法，其中，利用与保护性树脂不同的另一种树脂密封空气通道。
(6)根据(4)所述的方法，其中，
安装元件是成像元件；
利用具有透光性质的材料形成核心基板，成像元件连接至垫片部，使成像元件的光接收部面向核心基板；并且
将从外部进入并且穿过核心基板的光引导至成像元件的光接收部的透光开口形成在多层布线层的一部分处，该部分面向成像元件。
(7)根据(6)所述的方法，其中，面向成像元件的由开口包围的区域填充有透明树脂。
(8)根据(1)至(7)中任一项所述的方法，其中，安装元件与垫片通过凸点连接相连。
(9)根据(1)至(8)中任一项所述的方法，其中，形成多层布线层的绝缘层中的一个绝缘层的厚度比形成多层布线层的其他绝缘层的厚度大。
(10)一种半导体装置，包括：
核心基板；
多层布线层，包括多个导电层和多个绝缘层，多层布线层形成在核心基板的表面上；
开口，形成在多层布线层中，开口至少穿透多个绝缘层之中的距离核心基板最远的最外层绝缘层；以及
安装元件，安装元件连接至开口中的设置在预定的导电层上的垫片部，预定的导电层定位成比在多个导电层之中的距离核心基板最远的最外层导电层更靠近核心基板。
(11)根据(10)所述的半导体装置，其中，在开口中的、安装元件与垫片之间的连接部处形成保护该连接部的保护性树脂。
(12)根据(11)所述的半导体装置，其中，凹槽状的开口形成在多层布线层中，以包围面向安装元件的区域。
(13)根据(12)所述的半导体装置，其中，多个开口形成在多层布线层中，以包围面向安装元件的区域，并且将由开口包围并且面向安装元件的区域连接至外部的空气通道形成在彼此相邻的开口之间。
(14)根据(13)所述的半导体装置，其中，利用与保护性树脂不同的另一种树脂密封空气通道。
(15)根据(13)所述的半导体装置，其中，安装元件是成像元件。
(16)根据(15)所述的半导体装置，其中，
利用具有透光性质的材料形成核心基板，成像元件连接至垫片部，使成像元件的光接收部面向核心基板；
将从外部进入并且穿过核心基板的光引导至成像元件的光接收部的透光开口形成在多层布线层的一部分处，该部分面向成像元件。
(17)根据(16)所述的半导体装置，其中，面向成像元件的由开口包围的区域填充有透明树脂。
(18)根据(10)至(17)中任一项所述的半导体装置，其中，安装元件与垫片通过凸点连接相连。
(19)根据(10)至(18)中任一项所述的半导体装置，其中，形成多层布线层的绝缘层中的一个绝缘层的厚度比形成多层布线层的其他绝缘层的厚度大。
(20)一种电子设备，包括：
核心基板；
多层布线层，包括多个导电层和多个绝缘层，多层布线层形成在核心基板的表面上；
开口，形成在多层布线层中，开口至少穿透多个绝缘层之中的距离核心基板最远的最外层绝缘层；以及
安装元件，安装元件连接至开口中的设置在预定的导电层上的垫片部，预定的导电层定位成比在多个导电层之中的距离核心基板最远的最外层导电层更靠近核心基板。
(21)一种成像装置，包括：
成像元件；
核心基板；
多层布线层，包括多个导电层和多个绝缘层，多层布线层形成在核心基板的表面上；
开口，形成在多层布线层中，开口至少穿透多个绝缘层之中的距离核心基板最远的最外层绝缘层；以及
透镜系统，将入射光引导至成像元件，透镜系统在开口中的一部分处固定至核心基板。
参考标号列表
51玻璃布线板
52成像元件
61核心基板
62布线层
64微透镜
71绝缘层
72绝缘层
73绝缘层
74导电层
75导电层
90开口
91突出部
94凸点
95凸点
121成像装置
133开口
134开口
139底层填料
401突出部
431绝缘层膜
461-1至461-4，461开口
462-1至462-4，462空气通道
493透明树脂。