技术特征：
技术总结
本发明涉及一种含亚乙氧基化合物的钙钛矿发光二极管，包括衬底、空穴传输层、活性发光层、电子传输层、电极修饰层和电极，活性发光层的厚度为5‑100nm，活性发光层包括钙钛矿以及掺杂于其中的含亚乙氧基化合物；钙钛矿的分子式为MAPbX3、FAPbX3或CsPbX3，其中，X为Cl、Br和I中的一种或两种；含亚乙氧基化合物为12‑冠醚‑4、15‑冠醚‑5、苯并‑15‑冠醚‑5、18‑冠醚‑6等。本发明还提供了其制备方法：在衬底上形成空穴传输层或电子传输层；在空穴传输层或电子传输层上修饰含亚乙氧基化合物的钙钛矿前驱体溶液，形成活性发光层；在活性发光层上方依次形成电子传输层、阴极修饰层和阴极或在活性发光层上方依次形成空穴传输层、阳极修饰层和阳极；封装。
技术研发人员：孙宝全;宋涛;班沐阳
受保护的技术使用者：苏州大学
技术研发日：2018.01.22
技术公布日：2018.07.13