技术特征：
技术总结
本发明涉及具有单扩散中断的鳍式场效应晶体管及方法，揭示一种包括至少一个鳍式场效应晶体管及至少一个单扩散中断(SDB)型隔离区的半导体结构，以及形成该半导体结构的方法。在该方法中，在半导体鳍片内的隔离区上方形成隔离凸块并在该凸块上形成侧间隙壁。在用以降低该凸块的高度并自该鳍片的侧壁移除隔离材料的蚀刻工艺期间，该侧间隙壁防止横向蚀刻该凸块。在用以在该鳍片中形成源/漏凹槽的蚀刻工艺期间，该侧间隙壁保护邻近该隔离区的该半导体材料。因此，各凹槽的侧及底部包括半导体表面并最大限度地降低其中所形成的外延源/漏区的顶部表面的角度，从而最大限度地降低未着陆源/漏接触的风险。
技术研发人员：王海艇;赵薇;宇宏;吴旭升;臧辉;胡振宇
受保护的技术使用者：格芯公司
技术研发日：2018.02.08
技术公布日：2018.08.14