本发明实施例涉及一种磁性薄膜电感器结构。
背景技术：
半导体制作工艺的不断发展已使得制造商及设计者能够创造更小且更强大的电子装置。半导体装置制作已由1971年左右达到的10微米半导体制作工艺发展到2012年左右达到的22纳米半导体制作工艺。预期半导体装置制作将在2019左右进一步发展到5纳米半导体制作工艺。随着半导体制作工艺的每次进展，集成电路的组件已变得更小以使得能够在半导体衬底上制作更多组件。然而，随着半导体制作工艺的每次进展，在创造集成电路方面已发现了新的挑战。
一种此类挑战涉及以更新的半导体工艺技术来制作电感器。对于半导体制作工艺的每次更新的进展而言，电感器的制造商及设计者在半导体衬底上具有更少的可用衬底面积来制作电感器。这些制造商及设计者已开始探索适用于新的半导体工艺技术的其他方法，以构建与以较传统的半导体工艺技术构建的电感器类似的方式运作而不牺牲其集成电路的性能的电感器。
技术实现要素：
本发明实施例的一种磁性薄膜电感器结构包括：磁性薄膜芯体结构，包括磁性薄膜芯体、第一磁性薄膜芯体延伸及第二磁性薄膜芯体延伸，所述第一磁性薄膜芯体延伸及所述第二磁性薄膜芯体延伸位于所述磁性薄膜芯体的周边周围；以及导电线圈，围绕所述磁性薄膜芯体缠绕，以形成所述磁性薄膜电感器结构的一个或多个线圈。
本发明实施例的一种磁性薄膜电感器结构包括：彼此电连接且机械连接的多个磁性薄膜芯体结构，所述多个磁性薄膜芯体结构包括多个磁性薄膜芯体、多个第一磁性薄膜芯体延伸以及多个第二磁性薄膜芯体延伸，所述多个第一磁性薄膜芯体延伸及所述多个第二磁性薄膜芯体延伸位于所述多个磁性薄膜芯体中的对应磁性薄膜芯体的周边周围；以及导电线圈，围绕所述多个磁性薄膜芯体中的至少一个磁性薄膜芯体缠绕，以形成所述磁性薄膜电感器结构的一个或多个线圈。
本发明实施例的一种磁性薄膜电感器结构包括：磁性薄膜芯体结构，包括磁性薄膜芯体、第一磁性薄膜芯体延伸及第二磁性薄膜芯体延伸；以及导电线圈，围绕所述磁性薄膜芯体缠绕，以形成所述磁性薄膜电感器结构的一个或多个线圈，其中所述第一磁性薄膜芯体延伸及所述第二磁性薄膜芯体延伸被配置成吸引磁场的多条磁通量线，所述磁场是通过使电流穿过所述导电线圈而产生。
附图说明
在阅读附图时，本发明实施例的各方面将通过以下具体实施方式被最好地理解。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，为论述清晰起见，各种特征的尺寸可被任意增加或减少。
图1a根据本发明示例性实施例绘示第一示例性磁性薄膜电感器结构的三维表示图；且/或中间介电区114可被表征为被空气填充。
图1b根据本发明示例性实施例绘示第一示例性磁性薄膜电感器结构的运作的俯视图。
图1c根据本发明示例性实施例绘示第一示例性磁性薄膜电感器结构的第一示例性实施的三维表示图。
图1d及图1e根据本发明示例性实施例分别绘示第一示例性磁性薄膜电感器结构的第二示例性实施及第三示例性实施的三维表示图。
图2a根据本发明示例性实施例绘示第二示例性磁性薄膜电感器结构的三维表示图。
图2b根据本发明示例性实施例绘示第二示例性磁性薄膜电感器结构的运作。
图2c根据本发明示例性实施例绘示第二示例性磁性薄膜电感器结构的第一示例性实施。
图2d根据本发明示例性实施例绘示第二示例性磁性薄膜电感器结构的第二示例性实施。
图2e及图2f根据本发明示例性实施例分别绘示第二示例性磁性薄膜电感器结构的第三示例性实施及第四示例性实施的三维表示图。
图3a根据本发明示例性实施例绘示具有磁性薄膜材料的第三示例性磁性薄膜电感器结构的三维表示图。
图3b根据本发明示例性实施例绘示第三示例性磁性薄膜电感器结构的第一示例性实施的三维表示图。
图3c及图3d根据本发明示例性实施例绘示第三示例性磁性薄膜电感器结构的第二示例性实施及第三示例性实施的三维表示图。
具体实施方式
以下公开内容提供许多不同的实施例或实例，用于实施所提供主题的不同特征。以下阐述组件及排列的具体实例以简化本公开内容。当然，所述具体实例仅为实例且不旨在进行限制。举例来说，在以下说明中在第二特征之上或第二特征上形成第一特征可包括其中第一特征及第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中可在第一特征与第二特征之间形成额外的特征以使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。此外，本公开内容可在各种实例中重复参考编号及/或字母。此种重复是出于简洁及清晰目的，而其自身并不表示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。
〈概述〉
本发明实施例公开包含一种或多种磁性薄膜(magneticthinfilm，mtf)材料的各种磁性薄膜电感器结构。在运作期间，电场穿过一个或多个导电线圈，此继而产生磁场，以在这些磁性薄膜电感器结构内存储能量。在这些磁性薄膜电感器结构内的磁性薄膜(mtf)材料有效地吸引此磁场的磁通量线。结果，相较于不具有所述一种或多种磁性薄膜材料的其他电感器结构产生的磁场所导致的磁泄漏，由这些具有所述一种或多种磁性薄膜材料的磁性薄膜电感器结构产生的磁场所导致的任何朝向周围电装置、机械装置及/或电机械装置的磁泄漏减少。
〈第一示例性磁性薄膜电感器结构〉
图1a根据本发明示例性实施例绘示第一示例性磁性薄膜电感器结构的三维表示图。磁性薄膜电感器结构100表示在存在电流的情况下将电能存储在磁场中的被动电能存储装置。在图1a所示的示例性实施例中，磁性薄膜电感器结构100包括导电线圈102及磁性薄膜芯体结构104。在示例性实施例中，可利用被称为“芯片上(on-chip)”半导体制作技术的半导体制作技术而将磁性薄膜电感器结构100制作于半导体衬底上。在此示例性实施例中，磁性薄膜电感器结构100位于半导体层堆叠的一个或多个导电层及/或一个或多个非导电层内。所述一个或多个导电层包含一种或多种导电材料，例如举例来说钨(w)、铝(al)、铜(cu)、金(au)、银(ag)或铂(pt)。所述一个或多个非导电层包含一种或多种非导电材料，例如举例来说二氧化硅(sio2)或氮化物(n3-)。此外，在此示例性实施例中，半导体层堆叠的一个或多个导电层及/或一个或多个非导电层位于所述半导体层堆叠的半导体衬底之上，例如设置于所述半导体衬底上。所述半导体衬底通常是半导体材料(例如，硅晶体)的薄片，但在不背离本发明实施例的精神及范围的条件下也可包含其他材料或材料的组合，例如蓝宝石或对所属领域中的技术人员显而易见的任何其他适当材料。
如图1a所说明，导电线圈102围绕磁性薄膜芯体结构104而缠绕，从而形成磁性薄膜电感器结构100的多个线圈。如图1a所示的围绕磁性薄膜芯体结构104的导电线圈102的线圈数及/或围绕磁性薄膜芯体结构104的导电线圈102的线圈之间的间隔仅用于说明目的。所属领域中的技术人员将认识到，在不背离本发明实施例的精神及范围的条件下，可达成围绕磁性薄膜芯体结构104的导电线圈102的其他线圈数及/或导电线圈102的线圈之间的其他间隔。在示例性实施例中，导电线圈102利用以下一种或多种导电材料来实施：例如举例来说钨(w)、铝(al)、铜(cu)、金(au)、银(ag)或铂(pt)；然而，所属领域中的技术人员将认识到，在不背离本发明实施例的精神及范围的条件下可使用任意适当的导电材料及/或导电材料的组合。
在图1a所示的示例性实施例中，磁性薄膜芯体结构104利用磁性薄膜(mtf)材料(例如举例来说，铁磁金属、合金、或磁性氧化物的多晶层或单晶层)来实施。在示例性实施例中，磁性薄膜芯体结构104可利用平行磁性薄膜材料来实施，其中磁性薄膜材料的构成离子的磁矩沿实质上类似的方向排列。在一些情形中，磁性薄膜材料可沉积在一种或多种铁磁、亚铁磁(ferrimagnetic)、及/或顺磁材料上，例如举例来说：一种或多种铁磁、亚铁磁、及/或顺磁元素，例如铝(al)、钴(co)、铁(fe)、锰(mn)、镍(ni)、钆(gd)、镝(dy)、锌(zn)；一种或多种铁磁、亚铁磁、及/或顺磁化合物，例如氧化铁(feo)、氧化铬(cro2)、砷化锰(mnas)、铋化锰(mnbi)、氧化铕(euo)、氧化镍(nio)、钇铁石榴石(y3fe5o12)；及/或所述一种或多种元素及/或所述一种或多种铁磁化合物的一种或多种铁磁、亚铁磁、及/或顺磁混合物。所述一种或多种铁磁、亚铁磁、及/或顺磁材料还可包括：一种或多种固体金属，例如举例来说硬铁或软铁、硅钢、高导磁合金(mu-metal)、导磁合金(permalloy)、及超导磁合金(supermalloy)；一种或多种粉末金属，例如举例来说羰基铁或铁粉末；及/或一种或多种陶瓷材料，例如举例来说铁氧体(ferrite)。
如图1a另外所示，磁性薄膜芯体结构104包括磁性薄膜芯体106、第一磁性薄膜芯体延伸108、以及第二磁性薄膜芯体延伸110。磁性薄膜芯体106、第一磁性薄膜芯体延伸108、以及第二磁性薄膜芯体延伸110彼此电连接且机械连接以形成磁性薄膜芯体结构104。在图1a所示的示例性实施例中，第一磁性薄膜芯体延伸108及第二磁性薄膜芯体延伸110位于磁性薄膜芯体结构104的周边周围。尽管在图1a中将磁性薄膜芯体106说明为矩形平行六面体，但所属领域中的技术人员将认识到，在不背离本发明实施例的精神及范围的条件下可达成其他实施方式，例如举例来说直圆柱杆、“i”形芯体、“c”形或“u”形芯体、“e”形芯体、及/或连续回环(loopring)或珠(bead)。虽然在图1a中将第一磁性薄膜芯体延伸108及第二磁性薄膜芯体延伸110说明为呈“c”形，但所属领域中的技术人员将认识到，在不背离本发明实施例的精神及范围的条件下可达成其他实施方式，例如一种或多种三维规则闭合几何结构、及/或一种或多种三维不规则闭合结构。
如图1a进一步所示，磁性薄膜芯体结构104另外包括分别位于磁性薄膜芯体106与第一磁性薄膜芯体延伸108之间、以及磁性薄膜芯体106与第二磁性薄膜芯体延伸110之间的中间介电区112及中间介电区114。在示例性实施例中，中间介电区112及中间介电区114举例来说可包含：一种或多种介电材料，例如二氧化硅(sio2)、氮化物(n3-)；相对于二氧化硅具有大的介电常数的高介电常数(high-k)材料，例如氧化铝(al2o3)、二氧化铪(hfo2)、硅酸铪(hfsio4)、氧化镧(la2o3)、氮化硅(sin)、氧化锶(sro)、二氧化钛(tio2)、五氧化二钽(ta2o5)、氧化钇(y2o3)、二氧化锆(zro2)、硅酸锆(zrsio4)；及/或相对于二氧化硅具有小的介电常数的低介电常数材料。作为另一选择，在另一示例性实施例中，中间介电区112及/或中间介电区114可不包含介电材料。在此另一示例性实施例中，中间介电区112及/或中间介电区114可被表征为被空气填充。
图1b根据本发明示例性实施例绘示第一示例性磁性薄膜电感器结构的运作的俯视图。在磁性薄膜电感器结构100的运作期间，电流116(在图1b中利用箭头的路径进行说明)穿过导电线圈102，此继而产生磁场，以用于在磁性薄膜电感器结构100内存储能量。如图1b所示，第一磁性薄膜芯体延伸108及第二磁性薄膜芯体延伸110有效地吸引此磁场的磁通量线118。举例来说，第一磁性薄膜芯体延伸108的磁性薄膜材料及第二磁性薄膜芯体延伸110的磁性薄膜材料可被表征为吸引磁通量线118，以有效地例如沿平面表面(planarsurface)将磁通量线118集中到与磁性薄膜芯体106处于相同的平面中。结果，磁通量线118少于不包括第一磁性薄膜芯体延伸108及第二磁性薄膜芯体延伸110的其他电感器结构的磁通量线(图1b中未示出)。因此，相较于不包括第一磁性薄膜芯体延伸108及第二磁性薄膜芯体延伸110的其他电感器结构产生的磁场所导致的磁泄漏，由磁性薄膜电感器结构100产生的磁场所导致的任何朝向周围电装置、机械装置及/或电机械装置的磁泄漏减少。
图1c根据本发明示例性实施例绘示第一示例性磁性薄膜电感器结构的第一示例性实施的三维表示图。在图1c所示的示例性实施例中，磁性薄膜电感器结构150包括：磁性薄膜电感器结构100、以及第一磁性薄膜平面结构152及/或第二磁性薄膜平面结构154。
第一磁性薄膜平面结构152及/或第二磁性薄膜平面结构154可被表征为进一步吸引磁场的磁通量线118，如以上在图1b中所论述所述磁场是由穿过磁性薄膜电感器结构100的导电线圈102的电流116产生。如图1c所示，第一磁性薄膜平面结构152及/或第二磁性薄膜平面结构154分别位于磁性薄膜电感器结构100之上与之下。在示例性实施例中，可利用如上所述的被称为“芯片上”半导体制作技术的半导体制作技术而将磁性薄膜电感器结构150制作于半导体衬底上。在此示例性实施例中，磁性薄膜电感器结构150位于半导体层堆叠的一个或多个导电层及/或一个或多个非导电层内。此外，在此示例性实施例中，半导体层堆叠的一个或多个导电层及/或一个或多个非导电层位于所述半导体层堆叠的半导体衬底之上，例如设置于所述半导体衬底上。此外，在此示例性实施例中，第一磁性薄膜平面结构152及/或第二磁性薄膜平面结构154可在层堆叠的一个或多个导电层及/或一个或多个非导电层中，且分别位于磁性薄膜电感器结构100之上与之下。
尽管在图1c中将第一磁性薄膜平面结构152及第二磁性薄膜平面结构154说明为矩形平行六面体，但所属领域中的技术人员将认识到，在不背离本发明实施例的精神及范围的条件下可达成其他实施方式：例如一种或多种三维规则闭合几何结构，例如举例来说一种或多种三维规则多边形；一种或多种三维不规则闭合结构，例如举例来说一种或多种三维不规则多边形；及/或这些闭合结构的任何适当的组合。在示例性实施例中，第一磁性薄膜平面结构152及/或第二磁性薄膜平面结构154可利用如以上在图1a中所述的磁性薄膜材料及/或平行磁性薄膜材料来实施。在某些情形中，磁性薄膜材料可如以上在图1a中所述沉积在一种或多种铁磁、亚铁磁、及/或顺磁材料上。
如图1c所示，第一磁性薄膜平面结构152包括第一薄膜平面结构156、第二薄膜平面结构158及/或第三薄膜平面结构160，且第二磁性薄膜平面结构154类似地包括第一薄膜平面结构162、第二薄膜平面结构164及/或第三薄膜平面结构166。在图1c所示的示例性实施例中，第一薄膜平面结构156及第一薄膜平面结构162具有与如以上在图1a中所论述的第一磁性薄膜芯体延伸108的第一纵向部分的宽度类似的宽度。类似地，在此示例性实施例中，第二薄膜平面结构158及第二薄膜平面结构164具有与磁性薄膜芯体106的宽度类似的宽度。同样地在此示例性实施例中，第三薄膜平面结构160及第三薄膜平面结构166具有与如以上在图1a中所论述的第二磁性薄膜芯体延伸110的第二纵向部分的宽度类似的宽度。尽管在图1c中将第一薄膜平面结构156、第二薄膜平面结构158、第三薄膜平面结构160、第一薄膜平面结构162、第二薄膜平面结构164及第三薄膜平面结构166说明为矩形平行六面体，但所属领域中的技术人员将认识到，在不背离本发明实施例的精神及范围的条件下可达成其他实施方式：例如一种或多种三维规则闭合几何结构，例如举例来说一种或多种三维规则多边形；一种或多种三维不规则闭合结构，例如举例来说一种或多种三维不规则多边形；及/或这些闭合结构的任何适当的组合。
图1d及图1e根据本发明示例性实施例分别绘示第一示例性磁性薄膜电感器结构的第二示例性实施及第三示例性实施的三维表示图。如图1d所示，磁性薄膜电感器结构170包括磁性薄膜电感器结构172.1到磁性薄膜电感器结构172.5，所述磁性薄膜电感器结构中的每一者可表示磁性薄膜电感器结构100的示例性实施例，如以上在图1a中所论述，磁性薄膜电感器结构100具有至少导电线圈102及磁性薄膜芯体结构104，磁性薄膜芯体结构104包括第一磁性薄膜芯体延伸108及第二磁性薄膜芯体延伸110。磁性薄膜电感器结构172.1到磁性薄膜电感器结构172.5彼此电连接且机械连接以形成磁性薄膜电感器结构170。尽管在图1d中将磁性薄膜电感器结构170说明为包括磁性薄膜电感器结构172.1到磁性薄膜电感器结构172.5，但此仅用于说明目的。所属领域中的技术人员将认识到，在不背离本发明实施例的精神及范围的条件下可达成其他数目的磁性薄膜电感器结构172.1到磁性薄膜电感器结构172.5。
此外，如图1d所示，磁性薄膜电感器结构172.1到磁性薄膜电感器结构172.5中的一者或多者的导电线圈102可彼此电连接且机械连接，以形成比磁性薄膜电感器结构100具有更多线圈数目的其他磁性薄膜电感器结构。举例来说，磁性薄膜电感器结构172.1、磁性薄膜电感器结构172.3及磁性薄膜电感器结构172.5的导电线圈102电连接且机械连接，以形成比分别由磁性薄膜电感器结构172.2及磁性薄膜电感器结构172.4形成的第二磁性薄膜电感器结构及第三磁性薄膜电感器结构具有更多线圈数目的第一磁性薄膜电感器结构。
在第一磁性薄膜电感器(即，磁性薄膜电感器结构172.1、磁性薄膜电感器结构172.3及磁性薄膜电感器结构172.5)的运作期间，电流116穿过磁性薄膜电感器结构172.1、磁性薄膜电感器结构172.3及磁性薄膜电感器结构172.5的导电线圈102，此继而产生磁场，进而如以上在图1b中所述存储能量在第一磁性薄膜电感器内。磁性薄膜电感器结构172.2及产生磁场172.4进一步吸引磁场的磁通量线118，如以上在图1b中所论述所述磁场是由穿过第一磁性薄膜电感器的导电线圈102的电流116产生。对磁通量线的此种吸引减少由第一磁性薄膜电感器产生的磁场所导致的朝向第二磁性薄膜电感器结构及第三磁性薄膜电感器结构(即磁性薄膜电感器结构172.2及磁性薄膜电感器结构172.4)的磁泄漏。
在图1e所示的示例性实施例中，磁性薄膜电感器结构180包括位于第一磁性薄膜芯体结构182.1与第二磁性薄膜芯体结构182.2之间的磁性薄膜电感器结构100。在示例性实施例中，第一磁性薄膜芯体结构182.1与第二磁性薄膜芯体结构182.2可表示如以上在图1a中所论述的磁性薄膜芯体结构104的示例性实施例。磁性薄膜电感器结构100、第一磁性薄膜芯体结构182.1及第二磁性薄膜芯体结构182.2彼此电连接且机械连接，以形成磁性薄膜电感器结构180。尽管在图1e中将磁性薄膜电感器结构180说明为包括第一磁性薄膜芯体结构182.1及第二磁性薄膜芯体结构182.2，但此仅用于说明目的。所属领域中的技术人员将认识到，在不背离本发明实施例的精神及范围的条件下，磁性薄膜电感器结构180可具有更多或更少的磁性薄膜芯体结构。
在磁性薄膜电感器结构100的运作期间，电流116穿过磁性薄膜电感器结构100的导电线圈102，此继而产生磁场，进而如以上在图1b中所述存储能量在磁性薄膜电感器结构100内。第一磁性薄膜芯体结构182.1及第二磁性薄膜芯体结构182.2进一步吸引磁场的磁通量线118，如以上在图1b中所论述所述磁场是由穿过磁性薄膜电感器结构100的导电线圈102的电流116产生。对磁通量线的此种吸引减少由磁性薄膜电感器结构180产生的磁场所导致的朝向周围电装置、机械装置、及/或电机械装置的磁泄漏。
〈第二示例性磁性薄膜电感器结构〉
图2a根据本发明示例性实施例绘示第二示例性磁性薄膜电感器结构的三维表示图。磁性薄膜电感器结构200表示在存在电流的情况下将电能存储在磁场中的被动电能存储装置。在图2a所示的示例性实施例中，磁性薄膜电感器结构200包括导电线圈202.1到导电线圈202.n及磁性薄膜芯体结构204。在示例性实施例中，磁性薄膜电感器结构200可利用半导体制作技术以与如以上在图1a中所论述的磁性薄膜电感器结构100实质上类似的方式制作于半导体衬底上。
如图2a所示，导电线圈202.1到导电线圈202.n围绕磁性薄膜芯体结构204缠绕，从而形成围绕磁性薄膜芯体结构204的导电线圈202.1到导电线圈202.n的多个线圈以提供电感器l1到电感器ln。在示例性实施例中，导电线圈202.1到导电线圈202.n利用以下一种或多种导电材料来实施：例如举例来说钨(w)、铝(al)、铜(cu)、金(au)、银(ag)或铂(pt)；然而，所属领域中的技术人员将认识到，在不背离本发明实施例的精神及范围的条件下可使用任意适当的导电材料及/或导电材料的组合。在图2a所示的示例性实施例中，导电线圈202.1到导电线圈202.n围绕磁性薄膜芯体结构204的周边的至少两条平行的侧边缠绕。如图2a所示的围绕磁性薄膜芯体结构204的导电线圈202.1到导电线圈202.n的线圈数及/或围绕磁性薄膜芯体结构204的导电线圈202.1到导电线圈202.n的线圈之间的间隔仅用于说明目的。所属领域中的技术人员将认识到，在不背离本发明实施例的精神及范围的条件下，可达成围绕磁性薄膜芯体结构204的导电线圈202.1到导电线圈202.n的其他线圈数及/或导电线圈202.1到导电线圈202.n的线圈之间的其他间隔。
如上所述，导电线圈202.1到导电线圈202.n围绕磁性薄膜芯体结构204缠绕。尽管在图2a中将磁性薄膜芯体结构204说明为直的环形线圈，但所属领域中的技术人员将认识到，在不背离本发明实施例的精神及范围的条件下可达成其他实施方式，例如举例来说直圆柱杆、“i”形芯体、“c”形或“u”形芯体、“e”形芯体、及/或连续回环或珠。在图2a所示的示例性实施例中，磁性薄膜芯体结构204是利用如以上在图1a中所述的磁性薄膜(mtf)材料来实施。在示例性实施例中，磁性薄膜芯体结构204可利用如以上在图1a中所述的平行磁性薄膜材料来实施。在一些情形中，磁性薄膜材料可如以上在图1a中所述沉积在一种或多种铁磁、亚铁磁、及/或顺磁材料上。
如图2a进一步所示，磁性薄膜芯体结构204另外包括位于磁性薄膜芯体结构204中的介电区206。在示例性实施例中，磁性薄膜芯体结构204举例来说可包括：一种或多种介电材料，例如二氧化硅(sio2)、氮化物(n3-)；相对于二氧化硅具有大的介电常数的高介电常数(high-k)材料，例如氧化铝(al2o3)、二氧化铪(hfo2)、硅酸铪(hfsio4)、氧化镧(la2o3)、氮化硅(sin)、氧化锶(sro)、二氧化钛(tio2)、五氧化二钽(ta2o5)、氧化钇(y2o3)、二氧化锆(zro2)、硅酸锆(zrsio4)；及/或相对于二氧化硅具有小的介电常数的低介电常数材料。作为另一选择，在另一示例性实施例中，磁性薄膜芯体结构204可不包含介电材料。在此另一示例性实施例中，磁性薄膜芯体结构204可被表征为被空气填充。
图2b根据本发明示例性实施例绘示第二示例性磁性薄膜电感器结构的运作。如图2b所示，磁性薄膜电感器结构200产生磁场，所述磁场是利用在电流208.1到电流208.n穿过导电线圈202.1到导电线圈202.n时自磁性薄膜芯体结构204的北极流向磁性薄膜芯体结构204的南极的磁通量线210进行说明。在图2b所示的示例性实施例中，磁通量线210被操纵朝向磁性薄膜芯体结构204。举例来说，磁性薄膜芯体结构204的磁性薄膜材料可被表征为吸引磁通量线210，以有效地例如沿平面表面将磁通量线210集中到与磁性薄膜芯体结构204处于相同的平面中。结果，由包括磁性薄膜芯体结构204的磁性薄膜电感器结构200产生的磁场小于由不包括磁性薄膜芯体结构204的磁性薄膜电感器结构产生的磁场。因此，相较于不包括磁性薄膜芯体结构204的磁性薄膜电感器结构产生的磁场所导致的磁泄漏，由磁性薄膜电感器结构200产生的磁场所导致的朝向周围电装置、机械装置及/或电机械装置的任意磁泄漏减少。
图2c根据本发明示例性实施例绘示第二示例性磁性薄膜电感器结构的第一示例性实施。在图2c所示的示例性实施例中，磁性薄膜芯体结构204利用以下磁各向异性(magneticanisotropic)材料来实施：例如举例来说，元素铁(fe)、钴(co)、铽(tb)、锰(mn)、包含这些元素的化合物、及/或包括这些元素的混合物。磁各向异性材料可被表征为具有磁性性质的优选方向依赖性。一般来说，如图2c所示的“易轴(easyaxis)”表示磁化的能量优势方向，而如图2c所示的“难轴(hardaxis)”表示磁化的能量劣势方向。举例来说，磁性薄膜芯体结构204的磁各向异性材料的磁矩具有与“易轴”对齐而与“难轴”相对(oppose)的趋势。
在图2c所示的示例性实施例中，磁性薄膜电感器结构200可被表征为沿具有电感器l1到电感器ln的磁性薄膜芯体结构204的周边的至少两条平行的侧边具有“易轴”。如图2c所示，电感器l1到电感器ln被定位成沿着(即，平行于)磁性薄膜芯体结构204的“易轴”且垂直于磁性薄膜芯体结构204的“难轴”。尽管图2c中未示出，但如果电感器l1到电感器ln中的一些电感器将被定位成沿着(即，平行于)磁性薄膜芯体结构204的“难轴”且垂直于磁性薄膜芯体结构204的“易轴”，那么磁性薄膜芯体结构204的磁矩与磁性薄膜芯体结构204的“易轴”对齐的趋势可使这些电感器的性能降低。举例来说，相较于沿“难轴”定位的电感器的导电线圈102，需要较少的电流穿过沿“易轴”定位的电感器l1到电感器ln，以在这些电感器中产生磁场，而用来存储能量。
在一些情形中，磁性薄膜电感器结构200可利用半导体制作技术以与如以上在图1a中所论述的磁性薄膜电感器结构100实质上类似的方式制作于半导体衬底上。在这些情形中，所述半导体制作技术可使用沉积技术(例如举例来说，化学沉积或物理沉积)来将磁各向异性材料沉积于半导体衬底上，从而表现出如图2c所示的磁化分布曲线(magnetizationprofile)。然而，如果用于沉积磁各向异性材料的半导体衬底及/或机构被旋转沉积角度，那么可产生如将在图2d中所论述的不同的磁化分布曲线。
图2d根据本发明示例性实施例绘示第二示例性磁性薄膜电感器结构的第二示例性实施。在图2d所示的示例性实施例中，磁性薄膜芯体结构204如以上在图2c中所论述是利用磁各向异性材料来实施。相较于以上在图2c中所论述的“易轴”及“难轴”，如图2d所示的“易轴”及“难轴”偏移沉积角度φ。举例来说，电感器l1到电感器ln沿自“易轴”及“难轴”偏移沉积角度φ的轴a1及轴a2定位。在示例性实施例中，当薄膜磁性材料通过半导体制作技术而沉积在半导体衬底上时，用于沉积磁各向异性材料的半导体衬底及/或机构排列成偏移沉积角度φ。半导体衬底及/或磁性薄膜芯体结构204的此种旋转使得磁性薄膜芯体结构204的“易轴”及“难轴”产生大约类似的旋转，如图2d所示。作为“易轴”及“难轴”旋转此沉积角度φ的结果，导电线圈可被放置于磁性薄膜芯体结构204的整个周边周围，如以下将在图2e及图2f中阐述。
图2e及图2f根据本发明示例性实施例分别绘示第二示例性磁性薄膜电感器结构的第三示例性实施及第四示例性实施的三维表示图。具体来说，图2e说明围绕磁性薄膜芯体结构224缠绕的多个电感器l1到电感器lk，且图2f说明围绕磁性薄膜芯体结构224缠绕的单个电感器l。如图2e所示，磁性薄膜电感器结构220表示在存在电流的情况下将电能存储在磁场中的被动电能存储装置。在图2e所示的示例性实施例中，磁性薄膜电感器结构220包括导电线圈222.1到导电线圈222.k及磁性薄膜芯体结构224。在示例性实施例中，磁性薄膜电感器结构220可利用半导体制作技术以与如以上在图1a中所论述的磁性薄膜电感器结构100实质上类似的方式制作于半导体衬底上。
如图2e所示，导电线圈222.1到导电线圈222.k围绕磁性薄膜芯体结构224缠绕，从而形成围绕磁性薄膜芯体结构224的导电线圈222.1到导电线圈222.k的多个线圈以提供电感器l1到电感器lk。在示例性实施例中，导电线圈222.1到导电线圈222.k利用以下一种或多种导电材料来实施：例如举例来说，钨(w)、铝(al)、铜(cu)、金(au)、银(ag)或铂(pt)；然而，所属领域中的技术人员将认识到，在不背离本发明实施例的精神及范围的条件下可使用任意适当的导电材料及/或导电材料的组合。在图2e所示的示例性实施例中，磁性薄膜芯体结构224包含如以上在图2a中所论述的磁各向异性材料，所述磁各向异性材料如以上在图2c中所述具有偏移沉积角度φ的“易轴”及“难轴”。此使得导电线圈222.1到导电线圈222.k能够围绕磁性薄膜芯体结构224的周边缠绕。尽管在图2e中将磁性薄膜芯体结构224说明为直的环形线圈，但所属领域中的技术人员将认识到，在不背离本发明实施例的精神及范围的条件下可达成其他实施方式，例如举例来说直圆柱杆、“i”形芯体、“c”形或“u”形芯体、“e”形芯体、及/或连续回环或珠。此外，如图2e所示的围绕磁性薄膜芯体结构224的导电线圈222.1到导电线圈222.k的线圈数及/或围绕磁性薄膜芯体结构224的导电线圈222.1到导电线圈222.k的线圈之间的间隔仅用于说明目的。所属领域中的技术人员将认识到，在不背离本发明实施例的精神及范围的条件下，可达成围绕磁性薄膜芯体结构224的导电线圈222.1到导电线圈222.k的其他线圈数及/或导电线圈222.1到导电线圈222.k的线圈之间的其他间隔。
如图2e进一步所示，磁性薄膜芯体结构224另外包括如以上在图2a中所论述的介电区206。
如图2f所示，磁性薄膜电感器结构230表示在存在电流的情况下将电能存储在磁场中的被动电能存储装置。在图2f所示的示例性实施例中，磁性薄膜电感器结构230包括导电线圈232及磁性薄膜芯体结构224。在示例性实施例中，磁性薄膜电感器结构230可利用半导体制作技术以与如以上在图1a中所论述的磁性薄膜电感器结构100实质上类似的方式制作于半导体衬底上。
如图2f所示，导电线圈232围绕磁性薄膜芯体结构224缠绕，从而形成围绕磁性薄膜芯体结构224的导电线圈232的多个线圈以提供电感器l。在示例性实施例中，导电线圈232利用以下一种或多种导电材料来实施：例如举例来说，钨(w)、铝(al)、铜(cu)、金(au)、银(ag)或铂(pt)；然而，所属领域中的技术人员将认识到，在不背离本发明实施例的精神及范围的条件下可使用任意适当的导电材料及/或导电材料的组合。在图2f所示的示例性实施例中，磁性薄膜芯体结构224包含如以上在图2a中所论述的磁各向异性材料，所述磁各向异性材料如以上在图2c中所述具有偏移沉积角度φ的“易轴”及“难轴”。此使得导电线圈232能够围绕磁性薄膜芯体结构224的周边缠绕。尽管在图2f中将磁性薄膜芯体结构224说明为直的环形线圈，但所属领域中的技术人员将认识到，在不背离本发明实施例的精神及范围的条件下可达成其他实施方式，例如举例来说直圆柱杆、“i”形芯体、“c”形或“u”形芯体、“e”形芯体、及/或连续回环或珠。此外，如图2f所示的围绕磁性薄膜芯体结构224的导电线圈232的线圈数及/或围绕磁性薄膜芯体结构224的导电线圈232的线圈之间的间隔仅用于说明目的。所属领域中的技术人员将认识到，在不背离本发明实施例的精神及范围的条件下，可达成围绕磁性薄膜芯体结构224的导电线圈232的其他线圈数及/或导电线圈232的线圈之间的其他间隔。
〈第三示例性磁性薄膜电感器结构〉
图3a根据本发明示例性实施例绘示具有磁性薄膜材料的第三示例性磁性薄膜电感器结构的三维表示图。磁性薄膜电感器结构300表示在存在电流的情况下将电能存储在磁场中的被动电能存储装置。在图3a所示的示例性实施例中，磁性薄膜电感器结构300包括导电线圈302、第一磁性薄膜芯体结构304、第二磁性薄膜芯体结构306及介电区308。在示例性实施例中，磁性薄膜电感器结构300可利用半导体制作技术以与如以上在图1a中所论述的磁性薄膜电感器结构100实质上类似的方式制作于半导体衬底上。
如图3a所示，导电线圈302在介电区308内缠绕，从而在介电区308内形成导电线圈302的多个线圈。如图3a所示的在介电区308内的导电线圈302的线圈数及/或在介电区308内的导电线圈302的线圈之间的间隔仅用于说明目的。所属领域中的技术人员将认识到，在不背离本发明实施例的精神及范围的条件下，可达成围绕在介电区308内的导电线圈302的其他线圈数及/或导电线圈302的线圈之间的其他间隔。在示例性实施例中，导电线圈302利用以下一种或多种导电材料来实施：例如举例来说，钨(w)、铝(al)、铜(cu)、金(au)、银(ag)或铂(pt)；然而，所属领域中的技术人员将认识到，在不背离本发明实施例的精神及范围的条件下可使用任意适当的导电材料及/或导电材料的组合。
如图3a另外所示，第一磁性薄膜芯体结构304及第二磁性薄膜芯体结构306分别位于导电线圈302之上与之下。在一些情形中，第一磁性薄膜芯体结构304及/或第二磁性薄膜芯体结构306可接触介电区308。在图3a所示的示例性实施例中，第一磁性薄膜芯体结构304及第二磁性薄膜芯体结构306利用如以上在图1a中所述的磁性薄膜(mtf)材料来实施。在示例性实施例中，第一磁性薄膜芯体结构304及第二磁性薄膜芯体结构306可利用如以上在图1a中所述的平行磁性薄膜材料来实施。在磁性薄膜电感器结构300的运作期间，第一磁性薄膜芯体结构304及第二磁性薄膜芯体结构306可被表征为吸引由穿过导电线圈302的电流310产生的磁通量线。对磁通量线的此种吸引使得由磁性薄膜电感器结构300产生的磁场所导致的朝向周围电装置、机械装置及/或电机械装置的磁泄漏减少。
在示例性实施例中，介电区308举例来说可包含：一种或多种介电材料，例如二氧化硅(sio2)、氮化物(n3-)；相对于二氧化硅具有大的介电常数的高介电常数(high-k)材料，例如氧化铝(al2o3)、二氧化铪(hfo2)、硅酸铪(hfsio4)、氧化镧(la2o3)、氮化硅(sin)、氧化锶(sro)、二氧化钛(tio2)、五氧化二钽(ta2o5)、氧化钇(y2o3)、二氧化锆(zro2)、硅酸锆(zrsio4)；及/或相对于二氧化硅具有小的介电常数的低介电常数材料。作为另一选择，在另一示例性实施例中，介电区308可不包含介电材料。在此另一示例性实施例中，介电区308可被表征为被空气填充。
图3b根据本发明示例性实施例绘示第三示例性磁性薄膜电感器结构的第一示例性实施的三维表示图。磁性薄膜电感器结构320表示在存在电流的情况下将电能存储在磁场中的被动电能存储装置。在图3b所示的示例性实施例中，磁性薄膜电感器结构320包括介电区308、第一组金属导体322.1到第一组金属导体322.a、第二组金属导体324.1到第二组金属导体324.b、以及互连件326.1到互连件326.c。磁性薄膜电感器结构320可表示磁性薄膜电感器结构300的示例性实施例。
如图3b所示，第一组金属导体322.1到第一组金属导体322.a、第二组金属导体324.1到第二组金属导体324.b、以及互连件326.1到互连件326.c电连接且机械连接以形成磁性薄膜电感器结构320的导电线圈，例如举例来说导电线圈302。此导电线圈在介电区308内缠绕，从而在介电区308内形成导电线圈的多个线圈。如图3b所示的在介电区308内的导电线圈的线圈数及/或在介电区308内的导电线圈的线圈之间的间隔仅用于说明目的。所属领域中的技术人员将认识到，在不背离本发明实施例的精神及范围的条件下，可达成围绕在介电区308内的导电线圈的其他线圈数及/或导电线圈302的线圈之间的其他间隔。在示例性实施例中，第一组金属导体322.1到第一组金属导体322.a位于半导体层堆叠的一个或多个导电层中的第一导电层内，且第二组金属导体324.1到第二组金属导体324.b位于半导体层堆叠的一个或多个导电层中的第二导电层内。在此示例性实施例中，互连件326.1到互连件326.c将第一导电层内的第一组金属导体322.1到第一组金属导体322.a与第二导电层内的对应的第二组金属导体324.1到第二组金属导体324.b电连接且机械连接。然而，所属领域中的技术人员将认识到，在不背离本发明实施例的精神及范围的条件下，第一组金属导体322.1到第一组金属导体322.a以及第二组金属导体324.1到第二组金属导体324.b作为另一选择可被实施为：一种或多种三维规则闭合几何结构，例如举例来说一种或多种三维规则多边形；一种或多种三维不规则闭合结构，例如举例来说一种或多种三维不规则多边形；及/或这些闭合结构的任何适当的组合。在示例性实施例中，第一组金属导体322.1到第一组金属导体322.a以及第二组金属导体324.1到第二组金属导体324.b的配置及排列通过半导体技术节点而被预先确定。举例来说，如图3b所示的第一组金属导体322.1到第一组金属导体322.a以及第二组金属导体324.1到第二组金属导体324.b包括三维矩形结构。相较于例如如上所述的一种或多种三维不规则闭合结构等其他结构，这些三维矩形结构更易于利用半导体技术节点进行制作。
在图3b所示的示例性实施例中，第一组金属导体322.1到第一组金属导体322.a以及第二组金属导体324.1到第二组金属导体324.b被配置且排列成吸引磁场的磁通量线，所述磁场是通过使电流328穿过磁性薄膜电感器结构320而产生。举例来说，如图3b所示，电流328沿笛卡尔坐标系的正“x”方向穿过金属导体322.1。随后，电流328沿笛卡尔坐标系的负“z”方向穿过互连件326.1。接着，电流328通过笛卡尔坐标系的负“y”方向、笛卡尔坐标系的正“x”方向及正“y”方向穿过金属导体324.1到达互连件326.1上。电流328如图3b所示穿过磁性薄膜电感器结构320的剩余部分。如图3b所示，第二组金属导体324.1到第二组金属导体324.b中相邻的金属导体之间的电流(例如举例来说，第二组金属导体324.1与第二组金属导体324.2之间的电流328、以及第二组金属导体324.2与第二组金属导体324.3之间的电流328)沿实质上相反的方向流动。电流328的此种相反方向的流动吸引磁场的磁通量线。
图3c及图3d根据本发明示例性实施例绘示第三示例性磁性薄膜电感器结构的第二示例性实施及第三示例性实施的三维表示图。如图3c所示，磁性薄膜电感器结构330表示在存在电流的情况下将电能存储在磁场中的被动电能存储装置。在图3c所示的示例性实施例中，磁性薄膜电感器结构330包括磁性薄膜电感器结构320及磁性薄膜平面结构332。在示例性实施例中，磁性薄膜电感器结构330可利用半导体制作技术以与如以上在图1a中所论述的磁性薄膜电感器结构100实质上类似的方式制作于半导体衬底上。
磁性薄膜平面结构332可被表征为进一步吸引由穿过磁性薄膜电感器结构320的电流产生的磁场的磁通量线。如图3c所示，磁性薄膜平面结构332位于磁性薄膜电感器结构320之下。尽管图3c中未示出，但所属领域中的技术人员将认识到，在不背离本发明实施例的精神及范围的条件下，类似于磁性薄膜平面结构332的另一磁性薄膜平面结构可作为另一选择或另外地位于磁性薄膜电感器结构320之上。尽管在图3c中将磁性薄膜平面结构332说明为矩形平行六面体，但所属领域中的技术人员将认识到，在不背离本发明实施例的精神及范围的条件下可达成其他实施方式：例如一种或多种三维规则闭合几何结构，例如举例来说一种或多种三维规则多边形；一种或多种三维不规则闭合结构，例如举例来说一种或多种三维不规则多边形；及/或这些闭合结构的任何适当的组合。在示例性实施例中，磁性薄膜平面结构332可利用如以上在图1a中所述的磁性薄膜材料及/或平行磁性薄膜材料来实施。在一些情形中，磁性薄膜材料可如以上在图1a中所述沉积在一种或多种铁磁、亚铁磁、及/或顺磁材料上。在一些情形中，在磁性薄膜电感器结构320的运作期间，可在磁性薄膜平面结构322的一个或多个表面上形成一个或多个涡电流(eddycurrent)。为减少这些涡电流，如图3c所示的磁性薄膜平面结构332可被划分成磁性薄膜平面结构342.1到磁性薄膜平面结构342.k，以下将在图3d中对此进行更详细地论述。
如图3d所示，磁性薄膜电感器结构340表示在存在电流的情况下将电能存储在磁场中的被动电能存储装置。在图3d所示的示例性实施例中，磁性薄膜电感器结构340包括磁性薄膜电感器结构320及磁性薄膜平面结构342.1到磁性薄膜平面结构342.k。在示例性实施例中，磁性薄膜电感器结构340可利用半导体制作技术以与如以上在图1a中所论述的磁性薄膜电感器结构100实质上类似的方式制作于半导体衬底上。
磁性薄膜平面结构342.1到磁性薄膜平面结构342.k可被表征为进一步吸引由穿过磁性薄膜电感器结构320的电流产生的磁场的磁通量线。如图3d所示，磁性薄膜平面结构342.1到磁性薄膜平面结构342.k位于磁性薄膜电感器结构320之下。尽管图3d中未示出，但所属领域中的技术人员将认识到，在不背离本发明实施例的精神及范围的条件下，类似于磁性薄膜平面结构342.1到磁性薄膜平面结构342.k的其他磁性薄膜平面结构可作为另一选择或另外地位于磁性薄膜电感器结构320之上。尽管在图3d中将磁性薄膜平面结构342.1到磁性薄膜平面结构342.k说明为矩形平行六面体，但所属领域的技术人员将认识到，在不背离本发明实施例的精神及范围的条件下可达成其他实施方式：例如一种或多种三维规则闭合几何结构，例如举例来说一种或多种三维规则多边形；一种或多种三维不规则闭合结构，例如举例来说一种或多种三维不规则多边形；及/或这些闭合结构的任何适当的组合。在示例性实施例中，磁性薄膜平面结构342.1到磁性薄膜平面结构342.k可利用如以上在图1a中所述的磁性薄膜材料及/或平行磁性薄膜材料来实施。在一些情形中，磁性薄膜材料可如以上在图1a中所述沉积在一种或多种铁磁、亚铁磁、及/或顺磁材料上。
〈结论〉
上述具体实施方式公开第一磁性薄膜电感器结构。所述第一磁性薄膜电感器结构包括磁性薄膜芯体结构及导电线圈。所述磁性薄膜芯体结构包括磁性薄膜芯体、第一磁性薄膜芯体延伸及第二磁性薄膜芯体延伸，所述第一磁性薄膜芯体延伸及所述第二磁性薄膜芯体延伸位于所述磁性薄膜芯体结构的周边周围。所述导电线圈围绕所述磁性薄膜芯体缠绕，以形成所述磁性薄膜电感器结构的多个线圈。
在一些实施例中，所述磁性薄膜芯体、所述第一磁性薄膜芯体延伸及所述第二磁性薄膜芯体延伸包括磁性薄膜(mtf)材料。
在一些实施例中，所述磁性薄膜材料包括平行磁性薄膜材料。
在一些实施例中，所述第一磁性薄膜芯体延伸及所述第二磁性薄膜芯体延伸呈c形。
在一些实施例中，所述第一磁性薄膜电感器结构还包括：第一中间介电区，位于所述第一磁性薄膜芯体延伸与所述磁性薄膜芯体之间；以及第二中间介电区，位于所述第二磁性薄膜芯体延伸与所述磁性薄膜芯体之间。
在一些实施例中，所述第一中间介电区及所述第二中间介电区中的至少一者包括空气。
在一些实施例中，所述第一磁性薄膜电感器结构还包括：第一磁性薄膜结构，位于所述磁性薄膜芯体结构之上；以及第二磁性薄膜结构，位于所述磁性薄膜芯体结构之下。
在一些实施例中，所述第一磁性薄膜结构及所述第二磁性薄膜结构中的至少一者包括磁性薄膜(mtf)材料。
在一些实施例中，所述第一磁性薄膜结构及所述第二磁性薄膜结构中的至少一者包括：多个薄膜结构中的第一薄膜结构，具有与所述第一磁性薄膜芯体延伸的宽度实质上类似的宽度；所述多个薄膜结构中的第二薄膜结构，具有与所述磁性薄膜芯体结构的宽度实质上类似的宽度；以及所述多个薄膜结构中的第三薄膜结构，具有与所述第二磁性薄膜芯体延伸的宽度实质上类似的宽度。
上述具体实施方式还公开第二磁性薄膜电感器结构。所述第二磁性薄膜电感器结构包括磁性薄膜芯体结构及导电线圈。所述磁性薄膜芯体结构彼此电连接且机械连接并包括磁性薄膜芯体、第一磁性薄膜芯体延伸以及第二磁性薄膜芯体延伸，所述第一磁性薄膜芯体延伸及所述第二磁性薄膜芯体延伸位于所述磁性薄膜芯体中的对应磁性薄膜芯体的周边周围。导电线圈围绕所述磁性薄膜芯中的至少一个磁性薄膜芯体缠绕，以形成所述第二磁性薄膜电感器结构的一个或多个线圈。
在一些实施例中，所述多个磁性薄膜芯体、所述多个第一磁性薄膜芯体延伸及所述多个第二磁性薄膜芯体延伸包括磁性薄膜(mtf)材料。
在一些实施例中，所述磁性薄膜材料包括平行磁性薄膜材料。
在一些实施例中，所述第二磁性薄膜电感器结构还包括：第二导电线圈，围绕所述多个磁性薄膜芯体中的至少一个第二磁性薄膜芯体缠绕，所述第二导电线圈与所述导电线圈电连接且机械连接，以形成所述磁性薄膜电感器结构的所述一个或多个线圈。
在一些实施例中，所述第二磁性薄膜电感器结构还包括：第二导电线圈，围绕所述多个磁性薄膜芯体中的至少一个第二磁性薄膜芯体缠绕，以形成第二磁性薄膜电感器结构的一个或多个线圈。
在一些实施例中，所述第二磁性薄膜电感器结构还包括：多个第一中间介电区，位于所述多个第一磁性薄膜芯体延伸中的对应第一磁性薄膜芯体延伸与所述多个磁性薄膜芯体中的对应磁性薄膜芯体之间；以及多个第二中间介电区，位于所述多个第二磁性薄膜芯体延伸中的对应第二磁性薄膜芯体延伸与所述对应的磁性薄膜芯体之间。
上述具体实施方式还进一步公开第三磁性薄膜电感器结构。所述第三磁性薄膜电感器结构包括磁性薄膜芯体结构及导电线圈。所述磁性薄膜芯体结构包括磁性薄膜芯体、第一磁性薄膜芯体延伸以及第二磁性薄膜芯体延伸。导电线圈围绕所述磁性薄膜芯体缠绕，以形成所述第三磁性薄膜电感器结构的一个或多个线圈。所述第一磁性薄膜芯体延伸及所述第二磁性薄膜芯体延伸吸引磁场的磁通量线，所述磁场是通过使电流穿过所述导电线圈而产生。
在一些实施例中，所述磁性薄膜芯体、所述第一磁性薄膜芯体延伸及所述第二磁性薄膜芯体延伸包括磁性薄膜(mtf)材料。
在一些实施例中，所述磁性薄膜材料包括平行磁性薄膜材料。
在一些实施例中，所述第三磁性薄膜电感器结构还包括：第一中间介电区，位于所述第一磁性薄膜芯体延伸与所述磁性薄膜芯体之间；以及第二中间介电区，位于所述第二磁性薄膜芯体延伸与所述磁性薄膜芯体之间。
在一些实施例中，所述第三磁性薄膜电感器结构还包括：第一磁性薄膜结构，位于所述磁性薄膜芯体结构之上；以及第二磁性薄膜结构，位于所述磁性薄膜芯体结构之下。
以上概述了若干实施例的特征，以使所属领域中的技术人员可更好地理解本发明实施例的各个方面。所属领域中的技术人员应知，其可容易地使用本发明实施例作为设计或修改其他工艺及结构的基础来施行与本文中所介绍的实施例相同的目的及/或实现与本文中所介绍的实施例相同的优点。所属领域中的技术人员还应认识到，这些等效构造并不背离本发明实施例的精神及范围，而且他们可在不背离本发明实施例的精神及范围的条件下对其作出各种改变、代替、及变更。