技术特征：
技术总结
本发明提供了一种半导体功率器件及其制作方法，涉及半导体集成电路技术领域，包括：N型衬底、N+区、P‑体区、PN交替超结区、N+源区、栅极氧化层、多晶硅栅极、介质层隔离、器件源极金属和器件漏极金属。其中，PN交替超结区由P+层与N+层纵向间隔交替排列，且N+区中央区的同侧的每相邻两个N+源区之间的P‑体区的侧面设置有第一N+层和第二N+层；以及N+区的中央区与侧边区之间设置有第三N+层。该技术方案缓解了现有技术存在的结构可靠性差的技术问题，保证了器件导通性能，提高了半导体功率器件的纵向变形的承受强度，增加了半导体功率器件的弯曲程度耐受能力，使其在承受机械变形时免遭破坏，提高了器件结构的可靠性，且制作工艺简单，制作成本低。
技术研发人员：储团结;王海韵;丛艳欣;李亚娜
受保护的技术使用者：储团结;王海韵;丛艳欣;李亚娜;汇佳网（天津）科技有限公司
技术研发日：2018.02.13
技术公布日：2018.07.27