技术特征：
技术总结
本申请是关于一种薄膜晶体管及其制造方法，涉及薄膜晶体管的技术领域。主要采用的技术方案为：薄膜晶体管制造方法，其包括：在基板上依次形成有源层、栅极绝缘层和栅极层；在栅极层上涂覆光刻胶并光刻，对栅极层和栅极绝缘层进行图形化处理，得到栅极；剥离光刻胶，利用栅极的自对准向栅极图形表面和有源层表面溅射形成导电膜层，并进行图形化处理；最后形成保护膜层，并开接触孔。本申请解决了栅极容易发生氧化以及有源层导体化困难的问题。
技术研发人员：宋振;王国英
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：2018.03.30
技术公布日：2018.09.14