腔室盖、工艺腔室和半导体处理设备的制作方法

文档序号:18905046发布日期:2019-10-18 22:34阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明公开了一种腔室盖、工艺腔室和半导体处理设备。腔室盖用于透光,包括盖本体和吸收层,盖本体具有受光表面,吸收层设置在受光表面的预定区域,用于吸收照射至所述预定区域的部分光,以使预定区域的透光率满足预定值。通过在受光表面上的预定区域所设置的吸收层,改变腔室盖在预定区域的透光率,可以使得晶圆各位置处的介电常数和硬度基本相同,提高片内均匀性,改善晶圆的性能。同时,本发明的腔室盖,结构简单,并不需要为了提高片内均匀性所引入复杂的光路设计的结构,因此,可以有效降低制作成本,提高经济效益。

技术研发人员:白志民;李强;耿宏伟;彭文芳;魏延宝;丁培军;王伟
受保护的技术使用者:北京北方华创微电子装备有限公司
技术研发日:2018.04.08
技术公布日:2019.10.18
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