技术特征：
技术总结
本发明公开了一种沟槽型MOS晶体管的制备方法，包括：提供一衬底，在所述衬底正面上生长一外延层，所述外延层上包括预定的终端区域和元胞区域；在所述外延层上形成沟槽，其中在所述终端区域和所述元胞区域均有沟槽；在所述沟槽里形成栅极，其中在栅极材料层沉积后，对所述栅极材料层用化学机械研磨工艺进行平整化处理，再对所述栅极材料层进行回刻，去除所述外延层上方的所述栅极材料层并使所述沟槽内所述栅极材料层的顶面低于所述外延层的顶面；在所述外延层中形成体区和源区；在所述衬底正面形成源区金属和栅极金属；在所述衬底背面形成漏极金属。本发明实施例，通过CMP工艺的使用，提高器件的性能。
技术研发人员：吴冬冬
受保护的技术使用者：七色堇电子科技（上海）有限公司
技术研发日：2018.05.18
技术公布日：2018.09.21