1.一种SOI晶圆的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供第一基底；
在所述第一基底上形成第一半导体层，在所述第一半导体层上形成第一介电质层；
提供第二基底；
在所述第二基底上形成过渡层，在所述过渡层上形成第二半导体层，在所述第二半导体层上形成第二介电质层，所述第一介电质层和所述第二介电质层的材质相同；
将所述第一基底与所述第二基底自所述第一介电质层和所述第二介电质层键合，形成初始SOI晶圆；以及
将所述初始SOI晶圆薄化，获得SOI晶圆。
2.如权利要求1所述的SOI晶圆的制备方法，其特征在于，所述第一介电质层和所述第二介电质层皆为氧化层。
3.如权利要求1所述的SOI晶圆的制备方法，其特征在于，所述过渡层为锗硅层。
4.如权利要求1所述的SOI晶圆的制备方法，其特征在于，所述第一半导体层为多晶硅层。
5.如权利要求4所述的SOI晶圆的制备方法，其特征在于，所述多晶硅层为陷阱中心层。
6.如权利要求1所述的SOI晶圆的制备方法，其特征在于，所述第二半导体层为单晶硅层。
7.如权利要求1所述的SOI晶圆的制备方法，其特征在于，所述第一基底和所述第二基底由单晶硅构成。
8.如权利要求1所述的SOI晶圆的制备方法，其特征在于，所述初始SOI晶圆薄化的步骤包括：依次去除所述第二基底和所述过渡层。
9.如权利要求8所述的SOI晶圆的制备方法，其特征在于，采用化学机械研磨的方法去除所述第二基底和部分所述过渡层。
10.如权利要求9所述的SOI晶圆的制备方法，其特征在于，采用干法刻蚀的方法使剩余的所述过渡层全部去除。
11.如权利要求10所述的SOI晶圆的制备方法，其特征在于，采用CF4气体使剩余的所述过渡层全部去除。