技术总结
本发明提供了一种SOI晶圆的制备方法，提供第一基底；在所述第一基底上形成第一半导体层，在所述第一半导体层上形成第一介电质层；提供第二基底；在所述第二基底上形成过渡层，在所述过渡层上形成第二半导体层，在所述第二半导体层上形成第二介电质层；将所述第一基底与所述第二基底自所述第一介电质层和所述第二介电质层键合，形成初始SOI晶圆；以及将所述初始SOI晶圆薄化，获得SOI晶圆。本发明所提供的方法可以替代现有的Trap‑rich型SOI(Silicon on Insulator)晶圆形成方法，同时与现有的方法相比，键合更加容易，同时利用一过渡层代替采用离子注入形成的剥离层，使得工艺操作变得更加简单，也使生产成本降低。
技术研发人员：刘张李;莘海维;蒙飞;孙玉红
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2018.05.18
技术公布日：2018.09.18