技术特征：
技术总结
本发明涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。使用氮化物半导体的半导体器件的特性得到改善。本发明的半导体器件包括缓冲层、沟道层、势垒层、台面型2DEG溶解层、源电极、漏电极、形成在台面型2DEG溶解层上的栅极绝缘膜、以及上覆栅电极。半导体器件的栅极绝缘膜包括形成在台面型2DEG溶解层上的溅射膜以及形成在溅射膜上的CVD膜。溅射膜是通过使用包括绝缘体的靶材的溅射处理在非氧化气氛中形成的。这使得可以降低MOS界面处和栅极绝缘膜中的正电荷量并且增加阈值电压，并且从而改善常关特性。
技术研发人员：宫本广信;中山达峰;冈本康宏;壶井笃司
受保护的技术使用者：瑞萨电子株式会社
技术研发日：2018.05.24
技术公布日：2018.12.04