技术特征：
技术总结
本发明公开了一种沟槽栅超结器件，包括：场氧化层形成于有源区外的超结的顶部并隔离出有源区，沟槽栅的栅极沟槽形成于有源区中的超结的N型薄层表面，栅极沟槽还延伸到有源区边界外，栅极沟槽在所述场氧化层之前形成，栅介质层和多晶硅栅在场氧化层刻蚀之后形成，在栅极沟槽终端侧面内侧的栅极沟槽中形成有场氧化层；各多晶硅栅还延伸到对应的场氧化层的表面并组成各多晶硅栅的多晶硅延伸段；在栅极沟槽终端侧面处，多晶硅延伸段具有爬坡结构并通过位于栅极沟槽终端侧面内侧的场氧化层和栅极沟槽终端侧面隔离。本发明还公开了一种沟槽栅超结器件的制造方法。本发明能提高器件的可靠性。
技术研发人员：李昊
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2018.06.29
技术公布日：2018.11.23