1.一种多层芯片基板封装方法，其特征在于，包括：
在可拆分的带有铜箔的承载板的底部和顶部分别制作线路层；
在所述线路层上制作金属柱，并在所述金属柱上制作第一通孔，所述金属柱与所述线路层电互连；
将微凸块芯片和大焊球芯片倒装焊接在所述线路层上，所述微凸块芯片和所述大焊球芯片置于所述第一通孔内，且所述大焊球芯片覆盖所述微凸块芯片的表面，所述金属柱的高度大于所述大焊球芯片的高度；
将所述微凸块芯片和所述大焊球芯片埋置在第一有机树脂层内，得到多层芯片圆片；
切除所述第一有机树脂层，裸露出所述金属柱；
制作覆盖所述第一有机树脂层的金属层，并制作至少一层覆盖所述金属层的第一内层线路层；
制作覆盖所述第一内层线路层的第一阻焊层；
在所述承载板的可拆分处将所述多层芯片圆片与所述承载板拆分，并裸露出所述铜箔；
去除所述铜箔，裸露出所述线路层，得到多层芯片基板。
2.如权利要求1所述的多层芯片基板封装方法，其特征在于，所述在可拆分带有铜箔的基板的底部和顶部分别制作线路层，具体包括：
在所述承载板的底部和顶部分别制作第二内层线路层，并在所述第二内层线路层上制作穿透所述第二内层线路层的第二通孔，并裸露出所述铜箔；
制作覆盖所述第二内层线路层的介质层；
在所述第二通孔对应的位置去除所述介质层形成盲孔；
在所述盲孔对应的位置制作至少一层外层线路层，使所述外层线路层与所述第二内层线路层电互连；
制作覆盖所述外层线路层的第二阻焊层，形成所述线路层。
3.一种多功能芯片封装方法，其特征在于，包括：
将多功能芯片叠加在使用如权利要求1或2所述的多层芯片基板封装方法封装成的所述多层芯片基板的所述线路层上；
制作电互连线，使所述多功能芯片与所述多层芯片基板的所述线路层电连接；
将所述多功能芯片埋置在第二有机树脂层内，得到多功能芯片圆片。
4.如权利要求3所述的多功能芯片封装方法，其特征在于，所述多功能芯片包括专用集成电路芯片或者微机电系统芯片。
5.如权利要求3或4所述的多功能芯片封装方法，其特征在于，所述将所述多功能芯片埋置在第二有机树脂层内，得到多功能芯片圆片，之后还包括：
在所述多层芯片基板的所述第一阻焊层上制作焊球阵列球。
6.一种多层芯片基板，其特征在于，包括基板组件，所述基板组件包括线路层，所述线路层上设置有金属柱，所述金属柱与所述线路层电互连，所述金属柱上设置有第一通孔，所述第一通孔内倒装焊接有埋置在第一有机树脂层内的微凸块芯片和大焊球芯片，所述大焊球芯片覆盖所述微凸块芯片的表面，所述金属柱的高度大于所述大焊球芯片的高度，在所述第一有机树脂层上设置金属层，在所述金属层上设置有至少一层覆盖所述金属层的第一内层线路层，在所述第一内层线路层上设置第一阻焊层。
7.如权利要求6所述的多层芯片基板，其特征在于，所述线路层包括第二内层线路层，所述第二内层线路层上设置有穿透所述第二内层线路层的第二通孔，所述第二内层线路层上设置有覆盖所述第二内层线路层的介质层，所述介质层与所述第二通孔对应的位置设置有盲孔，在所述盲孔对应的位置设置有至少一层与所述第二内层线路层电互连的外层线路层，在所述外层线路层上设置有覆盖所述外层线路层的第二阻焊层。
8.如权利要求6或7所述的多层芯片基板，其特征在于，所述多层芯片基板包括至少两个所述基板组件，相邻所述基板组件通过可拆分的带有铜箔的承载板连接。
9.一种多功能芯片晶圆，其特征在于，包括埋置在第二有机树脂层内的多功能芯片、以及如权利要求6-8任一项所述的多层芯片基板，所述多功能芯片叠加在所述多层芯片基板的所述线路层上，所述多功能芯片通过电互连线与所述多层芯片基板电连接。
10.如权利要求9所述的多功能芯片晶圆，其特征在于，所述多功能芯片包括专用集成电路芯片或者微机电系统芯片。
11.如权利要求9或10所述的多功能芯片晶圆，其特征在于，所述多层芯片基板的所述第一阻焊层上设置有焊球阵列球。