技术特征：
技术总结
本发明公开了一种半导体器件的结构，使用常规半导体衬底进行半导体器件的制造，通过堆叠工艺和背面沟槽工艺，使得无需使用SOI衬底，就可制造出全隔离的NMOS和PMOS器件；同时，通过背面N+注入和P+注入、背面接触孔和背面金属层工艺，实现了NMOS的P阱接地，PMOS的N阱接电源；并且，背面接触孔在硅衬底上进行密集排布，可以减小串联电阻和增加导热性，从而避免了SOI器件的浮体效应和自加热效应，防止了器件性能的劣化。本发明还公开了一种半导体器件的结构的形成方法。
技术研发人员：顾学强;范春晖;王言虹;奚鹏程
受保护的技术使用者：上海集成电路研发中心有限公司
技术研发日：2018.10.30
技术公布日：2019.03.26