技术特征：
技术总结
一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包含半导体基板、控制栅极、选择栅极、电荷捕陷结构以及介电结构。半导体基板具有漏极区、源极区以及位于漏极区与源极区之间的通道区。控制栅极位于半导体基板的通道区上。选择栅极位于半导体基板的通道区上且与控制栅极分隔开来。电荷捕陷结构位于控制栅极以及半导体基板之间。介电结构位于选择栅极以及半导体基板之间。介电结构具有第一部分以及第二部分，第一部分位于电荷捕陷结构与第二部分之间，且第二部分厚于第一部分。
技术研发人员：林孟汉;吴伟成;邱德馨
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2018.11.29
技术公布日：2019.06.07