一种基于真空灭弧的涡流驱动断路器的制作方法

文档序号:15526494发布日期:2018-09-25 20:40阅读:380来源:国知局

本实用新型涉及真空断路器技术领域,具体涉及一种基于真空灭弧的涡流驱动断路器。



背景技术:

在现有的真空断路器产品中,断路器的分合闸速度都不高,分合闸时间都有几十个毫秒。如此长的时间,在一些特殊的场合中已经很难起到保护的效果。在快速切换装置、开关型串联补偿装置等保护装置中,急需一种高速的真空断路器。



技术实现要素:

本实用新型的目的在于提供一种基于真空灭弧的涡流驱动断路器,该断路器能够解决现有技术中存在的不足,有效提高断路器的合分闸速度及稳定性。

为实现上述目的,本实用新型采用了以下技术方案:

一种基于真空灭弧的涡流驱动断路器,包括固定壳体以及依次嵌入安装在固定壳体内的真空灭弧室、超行程安装体、隔离绝缘子和涡流驱动机构;所述涡流驱动机构包括自上向下依次设置的合闸磁轭、吸板、分闸磁轭、分闸线圈固定板、涡流盘和合闸线圈固定板;所述分闸线圈固定板上设有分闸线圈;所述合闸线圈固定板上设有合闸线圈。

进一步的,所述真空灭弧室、超行程安装体、隔离绝缘子包括从左向右依次设置的三组,且每组隔离绝缘子的下方均设有连接杆,其中,左右两组隔离绝缘子下方的连接杆的下端均连接在吸板上,中间一组隔离绝缘子下方的连接杆的下端依次穿过合闸磁轭、吸板、分闸磁轭、分闸线圈固定板、涡流盘后和合闸线圈固定板相连。

进一步的,所述超行程安装体包括若干组碟簧。

进一步的,所述合闸磁轭和分闸磁轭均包括强磁性磁铁。

进一步的,所述涡流盘为铝盘。

由以上技术方案可知,本实用新型通过涡流感应磁场及控制电路控制驱动真空灭弧室上下运动,实现真空灭弧室的合分闸动作。本实用新型能够实现2ms分闸、6ms合闸,能够有效提高断路器的合分闸速度及稳定性。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

其中:

1、固定壳体,2、真空灭弧室,3、超行程安装体,4、隔离绝缘子,5、合闸磁轭,6、吸板,7、分闸磁轭,8、分闸线圈固定板,9、涡流盘,10、合闸线圈固定板,11、连接杆。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型做进一步说明:

如图1所示的一种基于真空灭弧的涡流驱动断路器,包括固定壳体1以及依次嵌入安装在固定壳体1内的真空灭弧室2、超行程安装体3、隔离绝缘子4和涡流驱动机构。所述涡流驱动机构包括自上向下依次设置的合闸磁轭5、吸板6、分闸磁轭7、分闸线圈固定板8、涡流盘9和合闸线圈固定板10。所述分闸线圈固定板8上设有分闸线圈。所述合闸线圈固定板10上设有合闸线圈。所述固定壳体,用于固定真空灭弧室和涡流驱动机构。所述隔离绝缘子,用于实现相间的电气隔离。所述合闸磁轭、分闸磁轭,用于保持吸板动作后的合、分闸状态。所述吸板,用于在涡流盘的带动下,拖动真空灭弧室上下运动,实现真空灭弧室的合、分闸。所述合闸线圈和分闸线圈,通电后可以驱动涡流盘上下运动。

进一步的,所述真空灭弧室2、超行程安装体3、隔离绝缘子4包括从左向右依次设置的三组,且每组隔离绝缘子4的下方均设有连接杆11,其中,左右两组隔离绝缘子4下方的连接杆11的下端均连接在吸板6上,中间一组隔离绝缘子下方的连接杆11的下端依次穿过合闸磁轭5、吸板6、分闸磁轭7、分闸线圈固定板8、涡流盘9后和合闸线圈固定板10相连。当涡流盘向上或向下运动时,会带动连杆及与连杆相连的各部件同向运动。

进一步的,所述超行程安装体包括若干组碟簧,用于抵消真空灭弧室内动、静触头碰撞引起的间隙。

进一步的,所述合闸磁轭和分闸磁轭均包括强磁性磁铁。

进一步的,所述涡流盘9为铝盘。

本实用新型的工作原理为:

当真空灭弧室2处于合闸状态时,通过对分闸线圈固定板8上的分闸线圈施加一定的大电流,大电流在分闸线圈固定板8上的分闸线圈产生变化磁场涡流,变化磁场涡流对涡流盘9产生斥力,推动涡流盘9向下运动,涡流盘9通过吸板6带动真空灭弧室2内的动触头向下运动,使真空灭弧室2内的动、静触头产生间隙,线路电流在真空灭弧室2完成灭弧,完成线路的电压、电流的开断。此时,分闸磁轭7内含强磁性磁铁对吸板6产生吸力,使真空灭弧室2一直处于分闸状态。

当真空灭弧室2处于分闸状态时,通过对合闸线圈固定板10内的合闸线圈施加一定的大电流,大电流在合闸线圈固定板10内的合闸线圈产生变化磁场涡流,变化磁场涡流对涡流盘9产生斥力,推动涡流盘9向上运动,涡流盘9通过吸板6带动真空灭弧室2内动触头进行向上运动,使真空灭弧室2内的动、静触头接触,完成线路的电压、电流的导通。此时,合闸磁轭5内含强磁性磁铁对吸板6产生吸力,使真空灭弧室2一直处于合闸状态。

以上所述的实施例仅仅是对本实用新型的优选实施方式进行描述,并非对本实用新型的范围进行限定,在不脱离本实用新型设计精神的前提下,本领域普通技术人员对本实用新型的技术方案作出的各种变形和改进,均应落入本实用新型权利要求书确定的保护范围内。

当前第1页1 2 3 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1