1.一种漏极共用的沟槽式双MOS管器件，包括衬底（19）以及衬底（19）上方的漂移区（18），在漂移区（18）的表面开设有若干沟槽（13），在沟槽（13）的侧壁以及底部分别设置有沟槽侧壁绝缘层（15）和沟槽底部绝缘层（11），在沟槽（13）内还填充有多晶硅，其特征在于：在所述的沟槽（13）内中部还竖直设置有沟槽中部绝缘层（10），所述的多晶硅包括分别位于沟槽中部绝缘层（10）两侧的第一多晶硅（12）和第二多晶硅（14），自第一多晶硅（12）和第二多晶硅（14）分别引出双MOS管的两个栅极；
在相邻两个沟槽（13）之间自上而下依次形成源区（16）和基区（17），在两个沟槽（13）之间还开设有底层接触孔（6），底层接触孔（6）填充导电材料并自上而下穿过源区（16）进入基区（17）形成MOS结构，在MOS结构的表面设有连接层，连接层与MOS结构连接分别引出双MOS管的两个源极。
2.根据权利要求1所述的漏极共用的沟槽式双MOS管器件，其特征在于：在相邻的两个所述沟槽（13）内，第一多晶硅（12）和第二多晶硅（14）的设置位置相反。
3.根据权利要求2所述的漏极共用的沟槽式双MOS管器件，其特征在于：在相邻的两个所述沟槽（13）中，相对设置的第一多晶硅（12）或第二多晶硅（14）相连。
4.根据权利要求1所述的漏极共用的沟槽式双MOS管器件，其特征在于：所述的连接层包括位于MOS结构表面的底层绝缘层（4）和位于底层绝缘层（4）表面的底层金属层，所述的底层接触孔（6）同时穿过底层绝缘层（4），底层金属层通过底层接触孔（6）接入相对应的MOS结构，并分别引出双MOS管的源极。
5.根据权利要求4所述的漏极共用的沟槽式双MOS管器件，其特征在于：所述的底层金属层包括与底层接触孔（6）一一对应的多段第一底层金属（5）和多段第二底层金属（7），第一底层金属（5）和第二底层金属（7）间隔设置，多段第一底层金属（5）和多段第二底层金属（7）分别引出双MOS管的两个源极。
6.根据权利要求5所述的漏极共用的沟槽式双MOS管器件，其特征在于：所述的连接层还包括顶层金属层，在所述的第一底层金属（5）和第二底层金属（7）之间以及上部填充有顶层绝缘层（3），顶层金属层位于顶层绝缘层（3）的表面，顶层金属层包括第一顶层金属（1）和第二顶层金属（9），第一顶层金属（1）和第二顶层金属（9）通过贯穿顶层绝缘层（3）的顶层接触孔（2）分别与第一底层金属（5）和第二底层金属（7）相连。