有机发光二极管阵列基板及电子装置的制作方法

本实用新型的实施例涉及一种有机发光二极管阵列基板及电子装置。

背景技术：

在显示领域，有机发光二极管(OLED)显示面板具有自发光、对比度高、能耗低、视角广、响应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、制造简单等特点，具有广阔的发展前景。如何优化显示面板的制作工艺是本领域关注的问题。

技术实现要素：

本公开实施例提供一种有机发光二极管阵列基板，包括显示区以及位于所述显示区以外的第一封装测试电极、第一封装测试引线，所述显示区包括第一电源线和第一信号线；所述第一封装测试引线连接所述第一封装测试电极与所述第一电源线，以向所述显示区提供第一电源电压，所述第一信号线配置为向所述显示区提供第一电信号，所述第一封装测试引线的导热率高于所述第一信号线。

在至少一个示例中，所述显示区还包括第二信号线，所述第二信号线配置为向所述显示区提供第二电信号，第一封装测试引线与第二信号线同层设置且材料相同。

在至少一个示例中，所述第一信号线为扫描线，所述第二信号线为数据线。

在至少一个示例中，所述显示区包括像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源漏电极层，所述源漏电极层与所述第二信号线同层设置且材料相同。

在至少一个示例中，所述薄膜晶体管包括栅电极层，所述栅电极层与所述第一信号线同层设置且材料相同。

在至少一个示例中，所述第一封装测试引线的导热率大于138W/(m·K)。

在至少一个示例中，所述第一封装测试引线的材料为金、银、铜、铝、镁或它们的合金材料。

在至少一个示例中，所述有机发光二极管阵列基板还包括位于所述显示区以外的第二封装测试电极和第二封装测试引线，所述显示区包括公共电极线；所述第二封装测试引线连接所述第二封装测试电极与所述公共电极线，以提供与所述第一电源电压对应的第二电源电压，所述第二电源电压低于所述第一电源电压。

在至少一个示例中，所述有机发光二极管阵列基板还包括位于所述显示区以外的第一模组邦定电极和第一模组邦定引线，所述第一模组邦定引线连接所述第一模组邦定电极与所述第一电源线，以向所述显示区提供第三电源电压。

在至少一个示例中，所述第一模组邦定电极为梳状结构。

在至少一个示例中，所述第一模组邦定电极与所述第一封装测试电极位于所述显示区的不同侧。

在至少一个示例中，所述有机发光二极管阵列基板还包括位于所述显示区以外的第二模组邦定电极和第二模组邦定引线，所述显示区包括公共电极线；所述第二模组邦定引线连接所述第二模组邦定电极与所述公共电极线以提供与所述第三电源电压对应的第四电源电压。

在至少一个示例中，所述有机发光二极管阵列基板还包括在所述第一封装测试引线上的平坦化层和像素界定层。

本公开实施例还提供一种电子装置，包括上述有机发光二极管阵列基板。

在至少一个示例中，所述第一封装测试电极悬空。

在至少一个示例中，所述电子装置还包括柔性电路板，在所述有机发光二极管阵列基板包括所述第一模组邦定电极的情形下，所述第一模组邦定电极与所述柔性电路板邦定。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本实用新型的一些实施例，而非对本实用新型的限制。

图1为一种OLED显示面板的平面示意图。

图2A为本实用新型一实施例提供的阵列基板的平面示意图。

图2B示出了图2A中阵列基板沿剖面线A-A’的剖视图。

图3为本实用新型另一实施例提供的阵列基板的平面示意图。

图4为本实用新型一实施例提供的电子装置的平面示意图。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例的附图，对本实用新型实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本实用新型的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本实用新型所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

有机发光二极管(OLED)显示面板在制作过程中通常会依次经历三个工艺阶段：薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)阵列(Array)工艺阶段、面板(Cell)工艺阶段及模组(Module)工艺阶段。例如，在薄膜晶体管阵列工艺阶段，首先，在衬底基板上进行半导体工艺形成TFT驱动电路阵列；然后进行喷墨打印、蒸镀等工艺形成有机发光元件；再进行封装工艺形成有机发光二极管显示面板。例如，在面板工艺阶段，对OLED显示面板进行老化(Aging)处理以使得TFT性能稳定，以使得OLED的发光亮度达到稳定，以及对OLED显示面板进行封装测试以检测显示面板中显示区的显示不良。例如，在模组工艺阶段，对显示面板进行芯片(各种驱动芯片等)邦定(Bonding)形成显示模组，以及对显示模组进行测试以检测显示模组的不良。

在上述显示面板测试以及显示模组测试中，分别是通过显示面板的显示区外的周边区中的邦定电极(Bonding Pad)对显示面板输入测试信号。图1示出了一种OLED显示面板的平面示意图。该显示面板包括显示区100以及位于显示区域外的周边区101，显示区域包括像素单元的阵列以及为该阵列提供扫描信号的扫描线(栅线)、提供数据信号的数据线、提供电源电压的电源线等，每个像素单元与栅线、数据线和电源线连接以接收相应的电信号以进行发光，实现显示操作。

图1中主要示意出了显示面板的周边区101中为显示面板提供电源电压信号的邦定电极以及与该邦定电极连接的邦定引线。如图所示，封装测试电极11和模组邦定电极13分别通过封装测试引线15、模组邦定引线17连接至显示区中的电源线(未示出)，封装测试电极12和模组邦定电极14分别通过封装测试引线16、模组邦定引线18连接至显示区中的公共电极线(未示出)。封装测试电极11、12分别配置为在面板工艺阶段为显示区提供高电压信号VDD和低电压信号VSS，模组邦定电极13、14分别配置为在模组工艺阶段为显示区提供高电压信号ELVDD和低电压信号ELVSS。

为了节省工艺步骤，例如，显示区周边的邦定引线要么与显示区中的数据线在同一构图工艺中形成，要么与显示区中的扫描线在同一构图工艺中形成。如图1所示，为了进一步优化布线，模组邦定引线17、18与显示区中的数据线同层形成；为了防止封装测试引线15与模组邦定引线18之间短路，封装测试引线15与显示区中的扫描线同层形成于另一层中。相应地，在封装测试引线15、16和模组邦定引线17、18之上形成有各种绝缘层(例如栅绝缘层、钝化层、平坦化层、像素界定层等)、封装层等，这些绝缘层包括无机绝缘层或有机绝缘层。封装测试电极11、12例如与扫描线同层形成，模组邦定电极13、14例如与数据线同层形成，并与相应的引线直接连接或通过过孔连接。

在OLED显示面板的面板工艺中，由于工艺条件、使用的材料等多种因素的影响，作为像素单元的驱动部件或开关部件的TFT器件内部，尤其是有源层内存在可移动的杂散电荷，这可造成TFT漏电和翘尾现象，相对应地影响显示面板的显示质量。有必要对显示面板进行老化工艺以调整器件内的杂散电荷，改善TFT器件漏电和翘尾现象。例如，在老化工艺中向显示面板中输入较高的电压信号以调整器件内的杂散电荷。

发明人发现，在面板工艺阶段对显示面板进行老化处理时，需要对显示区的像素单元阵列提供较高的高电压信号VDD，例如15V，因而封装测试引线15可能在瞬间产生较高的热量，如果封装测试引线15的材料导热率较低，被覆盖的绝缘层又较多，那么热量不容易消散，容易灼伤引线上方的有机材料层而使其剥落，造成不良。例如，在显示领域，钼因其优良性能常常被选择作为晶体管的栅极金属材料，在扫描线与栅极同层形成的情形下，扫描线的材料也为金属钼，那么同层形成的封装测试引线15的材料也为钼，由于钼的导热率为138W/(m·K)，比较低，封装测试引线15中的输入高电压产生较大的热量在短时间内不易消散，致使封装测试引线15上方的有机材料层被灼伤而发生脱落。

本公开的一些实施例提供一种阵列基板，包括显示区以及位于所述显示区以外的第一封装测试电极、第一封装测试引线，所述显示区包括第一电源线和第一信号线；所述第一封装测试引线连接所述第一封装测试电极与所述第一电源线，以向所述显示区提供第一电源电压，所述第一信号线配置为向所述显示区提供第一电信号，所述第一封装测试引线的导热率高于所述第一信号线。

本公开的一些实施例通过设置第一封装测试引线的导热率高于第一信号线，避免了第一封装测试引线的材料与导热率较低的信号线的材料相同，使得第一封装测试引线的导热率相对较高，从而避免第一封装测试引线在传输第一电源电压时出现热量不易消散而引起该第一封装测试引线上方的有机材料层(如平坦化层和像素界定层)灼伤的情形。

图2A示出了本公开一实施例提供的一种阵列基板的平面示意图。例如，该阵列基板20为有机发光二极管阵列基板，然而本公开实施例对此不作限制。

如图2A所示，阵列基板20包括显示区210以及位于显示区210以外周边区中的第一封装测试电极21、第一封装测试引线25，所述显示区包括第一电源线31和第一信号线33；第一封装测试引线25连接第一封装测试电极21与第一电源线31，以向显示区210提供第一电源电压，第一信号线33配置为向显示区210提供第一电信号，第一封装测试引线的导热率高于第一信号线。第一电源电压为高电压信号，例如为VDD。

例如，阵列基板20还包括第二信号线34，第二信号线34配置为向显示区210提供第二电信号，第一封装测试引线25和第二信号线34同层设置且材料相同。

需要说明的是，本公开中的“同层设置”是指多个结构由相同的材料经同一构图工艺形成，由此相对于衬底基板形成在同一层结构之中，但位于“同层”的结构可以相对于同一平面具有相同的高度，也可以具有不同的高度；可以具有相同的厚度，也可以具有不同的厚度。

多条第一信号线33和多条第二信号线34彼此交叉定义出多个像素区；阵列基板包括多个像素单元200，一一对应设置于多个像素区中。例如，阵列基板20为有机发光二极管(OLED)阵列基板，每个像素单元包括发光元件OLED以及驱动该OLED发光的像素电路。例如，该像素电路可以包括常规的2T1C、3T1C或进一步包括补偿功能、复位功能等的OLED像素电路等，本公开的实施例对此不作限制。

例如，第一信号线33为扫描线(栅线)，第二信号线34为数据线；第一电信号和第二电信号分别为扫描信号和数据信号。每个像素单元200与第一信号线33、第二信号线34和第一电源线31连接以接收相应的电信号以进行发光，实现显示操作。

例如，第一封装测试电极21的形状为块状。

例如，在显示装置的面板工艺阶段，测试设备的引脚或探针与第一封装测试电极21对位接触建立电连接，并向第一封装电极21输入测试信号，例如该测试信号包括该第一电源电压。例如，该第一电源电压为5V、10V或更高。

例如，在OLED显示装置的老化工艺中，老化设备(例如夹具)的引脚与第一封装测试电极21对位接触建立电连接，并向第一封装电极21输入老化信号，例如该老化信号包括该第一电源电压，由此该第一电源电压通过第一电源线被施加至像素电压。例如，该第一电源电压为15V或更高。

例如，第一电源线31与第二信号线34的延伸方向相同。

例如，第一封装测试引线25的导热率大于金属钼的导热率(138W/(m·K))。

例如，第一封装测试引线25的材料为金、银、铜、铝、镁或它们的合金材料；第一信号线的材料为钼、镍、铬或它们的合金材料。

图2B示出了图2A中阵列基板的一个示例的沿剖面线A-A’的剖视图。为了清楚起见，该剖视图中仅示出了发光元件160以及与该发光元件直接连接的薄膜晶体管150。该薄膜晶体管150例如为驱动该发光元件160发光的驱动晶体管，也可以为控制驱动发光元件160发光的电流是否流过的发光控制晶体管等，本公开实施例对此不作限制。

例如，薄膜晶体管150包括栅极151、有源层152、源漏电极层(包括源极153和漏极154)。本公开的实施例对于薄膜晶体管150的类型、材料、结构不作限制，例如其可以为顶栅型、底栅型等，薄膜晶体管150的有源层可以为非晶硅、多晶硅(例如低温多晶硅或高温多晶硅)、氧化物半导体(例如IGZO)等，且薄膜晶体管150可以为N型或P型。

例如，薄膜晶体管150的源漏电极层与第二信号线34同层设置且材料相同，例如通过金属铝形成。

例如，薄膜晶体管150的栅极151与第一信号线33同层设置且材料相同，例如通过金属钼形成。

如图2B所示，发光元件160包括第一电极161、发光层162和第二电极163。这里第一电极161为像素电极，而第二电极163为公共电极。第一电极161和第二电极163之一为阳极，另一个为阴极。例如，在至少一个示例中，发光元件160除了发光层162之外还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层等至少之一。

例如，阵列基板20还包括位于显示区210以外的第二封装测试电极22和第二封装测试引线26；显示区包括公共电极线32，公共电极线32与发光元件160的第二电极163电连接。第二封装测试引线26配置为与公共电极线35提供与第一电源电压对应的第二电源电压(VSS)，第二电源低压低于第一电源电压，在工作中该第一电源电压和第二电源电压被施加至像素单元，从而可以驱动其中的发光元件发光，以进行显示操作。例如，第二电源电压为0V、-3V或-5V。

例如，第二封装测试引线26相较于第一封装测试引线25更靠近阵列基板20的边缘。由于公共电极线32通常比第一电源线31更靠近显示区210的边缘，例如环绕显示区的内侧设置，将第二封装测试引线26相较于第一封装测试引线25更靠近阵列基板20的边缘可以方便布线。

例如，发光元件160可以为顶发射、底发射或双面发射结构。例如，发光元件160为顶发射结构，第一电极161具有反射性而第二电极163具有透射性或半透射性，例如第一电极161为氧化铟锡(ITO)等透明导电氧化物材料。例如，第一电极161为高功函数的材料以充当阳极，例如为ITO/Ag/ITO叠层结构；第二电极163为低功函数的材料以充当阴极，例如为半透射的金属或金属合金材料，例如为Ag/Mg合金材料。

例如，阵列基板20还包括平坦化层140，该平坦化层覆盖在第一信号线33、第一封装测试引线25、第二信号线34、第二封装测试引线26以及薄膜晶体管150之上，并提供一个基本平坦的表面。发光元件160的第一电极161通过该平坦化层中的过孔144与薄膜晶体管150的源极或漏极电连接。

例如，在平坦化层140、第一电极161之上设置有像素界定层170，像素界定层170在对应于第一电极161的位置形成开口以至少部分暴露出第一电极161，在该开口中形成发光层162。在发光层162以及像素界定上形成第二电极163。

例如，该平坦化层140和像素界定层170的材料为有机材料或无机材料，例如该有机材料为聚酰亚胺(PI)等树脂。

在该第二电极163之上设置有保护层180。保护层180例如为无机保护层或有机保护层，或无机保护层和有机保护层的叠层。此外，保护层180中还可以包括还原性材料和/或吸湿性材料，以避免氧/水汽对发光元件160的不利影响。

例如，如图2A-2B所示，阵列基板20还包括位于显示区210以外的第一模组邦定电极23和第一模组邦定引线27，第一模组邦定电极23通过第一模组邦定引线27连接至第一电源线31，以向显示区的像素单元阵列提供第三电源电压。第三电源电压为高电压信号，例如为ELVDD。例如，第一模组邦定引线27也和第二信号线34同层设置且材料相同。

例如，第一模组邦定电极23为梳状结构，包括多个间隔的子电极。

例如，该第一模组邦定电极23被配置为与柔性电路板(Flexible Printed Circuit,FPC)邦定以形成显示模组，该柔性电路板通过第一模组邦定电极23向显示区210提供电源电压。

例如，在显示装置的模组工艺阶段，测试设备的引脚或探针与柔性电路板的接触垫电连接，该柔性电路板与第一模组邦定电极23邦定，由此可以向第一模组邦定电极23输入测试信号，例如该测试信号包括该第三电源电压。例如，该第三电源电压为5V、10V或更高。

例如，该邦定方式为FPC(柔性电路板)压接。例如，第一模组邦定电极23通过各向异性导电膜(Anisotropic Conductive Film，ACF)与FPC压接邦定。各向异性导电膜可以允许两种结合物体在垂直方向导通、而在水平方向绝缘，即在膜厚的方向导通、在线宽的方向绝缘。各向异性导电膜是一种绝缘粘合剂(例如树脂)包裹导电颗粒(例如金、镍)的结构，导电颗粒的外面还包裹着绝缘膜。在邦定前，导电颗粒在粘合剂中均匀分布、互不接触；在邦定时，在一定温度和压力下，导电颗粒外的绝缘膜破裂，导电颗粒挤压在一起形成导通。与传统的焊接工艺相比，ACF邦定工艺可以提供更细的绝缘间距从而提供更高精度，从而可以提高布线密度。例如，ACF的绝缘间距可以达到10微米甚至更小。

例如，阵列基板20还包括第二模组邦定电极24和第二模组邦定引线28，第二模组邦定引线28连接第二模组邦定电极24与显示区210中的公共电极线32，以提供与第三电源电压对应的第四电源电压。

例如，在一些实施例中，第一模组邦定电极23与第一封装测试电极21位于显示区210的不同侧，或相同侧(例如可以参考图1所示的电极布局)。

例如，第一模组邦定电极23与第一封装测试电极21位于显示区210的相对两侧。如图2A和图4所示，第一模组邦定电极23、第一模组邦定引线27、第二模组邦定电极24和第二模组邦定引线28在图中的显示面板的上侧；第一封装测试电极21、第一封装测试引线25、第二封装测试电极22和第二封装测试引线23在图中的显示面板的下侧。这种设置有助于降低显示面板上侧和下侧各自的走线的密度，这不仅降低了走线之间的短路风险，更进一步提高了走线区的散热效率。

例如，阵列基板20还包括栅极驱动电路。例如，该栅极驱动电路与第一信号线33电连接以为显示区210提供扫描信号。例如，栅极驱动电路与第一模组邦定电极23以及第一封装测试电极21位于显示区210的不同侧。例如，该栅极驱动电路为GOA(Gate Driver On Array)结构。

图3为本公开另一些实施例提供的阵列基板的平面示意图。与图2A-2B所示的阵列基板的区别在于，在本实施例提供的阵列基板中，第一模组邦定电极23复用作第一封装测试电极21，第二模组邦定电极24复用作第二封装测试电极22，也即，不单独设置第一封装测试电极21和第二封装测试电极22。这种设置方式允许第一封装测试引线(即第一模组邦定引线)与导热率较高的信号线同层设置的同时，还有助于降低走线的密度，不仅降低了走线之间的短路风险，更进一步提高了走线区的散热效率。在这些实施例中，由于第一封装测试电极21和第二封装测试电极22为梳状结构，其连接方式需要与该电极形状相匹配。例如，第一封装测试电极21和第二封装测试电极22在面板工艺阶段中通过与测试设备的引脚或探针接触以进行老化和测试工艺，而在模组工艺阶段中，在与FPC邦定之后，从FPC接受来自测试设备的引脚或探针的信号，以进行检测。

本公开的一些实施例还提供一种电子装置，包括上述阵列基板。图4为本公开实施例提供的电子装置的示意图。如图所示，电子装置40包括阵列基板20和柔性电路板30和集成电路(IC)芯片36，该集成电路芯片36通过柔性电路板30与阵列基板20邦定以为阵列基板20提供驱动信号。

例如，该集成电路芯片36与柔性电路板30邦定形成COF(Chip On FPC)结构。

例如，该集成电路芯片安装在转接板上，再通过转接板与柔性电路板30的邦定而与柔性电路板30电连接、从而与阵列基板20电连接。

例如，该电子装置还包括各向异性导电膜(ACF)，该各向异性导电膜设置于阵列基板20与柔性电路板30之间以将二者邦定连接。

例如，柔性电路板30与第一模组邦定电极23和第二模组邦定电极23邦定以为阵列基板20提供第一电源电压和第二电源电压。

例如，柔性电路板30还通过邦定电极为栅极驱动电路提供例如时钟信号、电源信号等。

例如，第一封测试电极21和第二封装测试电极22悬空，也即不与外部电路进行任何电连接。

例如，电子装置40为有机发光二极管显示面板。

例如，电子装置40可以为智能手环、智能手表、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何应用机发光二极管显示面板的产品或部件。

本公开实施例通过设置第一封装测试引线的导热率高于第一信号线，避免了第一封装测试引线的材料与导热率较低的信号线的材料相同，从而避免第一封装测试引线在传输第一电源电压时出现热量不易消散而引起该第一封装测试引线上方的有机材料层(如平坦化层和像素界定层)灼伤的情形。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型实施例的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型实施例揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型实施例的保护范围之内。