一种半导体器件的制作方法

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件。

背景技术：

目前，半导体器件被广泛应用于各种电子设备中。在半导体器件中，需要在半导体基底上设置金属电极。在现有的半导体器件中，由于金属电极与半导体基底二者的物质不同，二者在接触时金属容易扩散进入半导体基底内部，从而容易产生势垒，导致电阻升高，而电阻升高将会导致开启电压偏高，进而产生热量，进而损坏半导体器件的性能，导致半导体器件性能下降。

技术实现要素：

(一)要解决的技术问题

本实用新型的目的是提供一种半导体器件，解决现有半导体器件性能较差的问题。

(二)技术方案

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种半导体器件，包括半导体基体、设置在所述半导体基体下表面的负极金属膜以及设置在所述半导体基体上表面的正极金属电极，所述正极金属电极包括从上到下依次设置的第一au金属层、第一pt金属层和第一ti金属层，所述负极金属膜包括从下至上依次设置的第二au金属层、第二pt金属层和第二ti金属层。

进一步地，所述正极金属电极包括一个或多个电极本体；当所述正极金属电极包括多个电极本体时，各所述电极本体相互平行，且各所述电极本体分别通过电极连接体进行串连。

具体地，所述电极连接体分别与各所述电极本体相垂直。

具体地，各所述电极本体均为长条状，各所述电极本体的长度相等，所述电极连接体分别与各所述电极本体的一端相连。

进一步地，所述半导体基体包括从上到下依次设置的隧道结层、空穴提供层、本征层、电子提供层和衬底层。

具体地，所述隧道结层为p型半导体层。

具体地，所述空穴提供层为p型半导体层。

具体地，所述本征层为u型半导体层。

具体地，所述电子提供层为n型半导体层。

具体地，所述衬底层为n型半导体层。

(三)有益效果

本实用新型的上述技术方案具有如下优点：

本实用新型提供的半导体器件，通过在半导体基体的下表面设置负极金属膜，在半导体基体的上表面设置正极金属电极，正极金属电极包括从上到下依次设置的第一au金属层、第一pt金属层和第一ti金属层，负极金属膜包括从下至上依次设置的第二au金属层、第二pt金属层和第二ti金属层，其中第一au金属层、第二au金属层能够分别作为半导体器件正、负极的外部电路接触点，通过第一pt金属层、第二pt金属层能够分别有效地阻止第一au金属层、第二au金属层扩散进入到半导体基体内部，通过第一ti金属层、第二ti金属层能够分别与半导体基体的上、下表面进行良好粘附固定，从而能够有效增加金属与半导体基体的接触性能，降低串阻，进而提高半导体器件的整体工作性能。

附图说明

图1是本实用新型实施例半导体器件的主视图；

图2是本实用新型实施例半导体器件中图1的a-a向剖视图；

图3是本实用新型实施例半导体器件的左视图；

图4是本实用新型实施例半导体器件中图3的b-b向剖视图。

图中：1：半导体基体；11：隧道结层；12：空穴提供层；13：本征层；14：电子提供层；15：衬底层；2：负极金属膜；21：第二au金属层；22：第二pt金属层；23：第二ti金属层；3：正极金属电极；31：第一au金属层；32：第一pt金属层；33：第一ti金属层；301：电极本体；302：电极连接体。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

如图1-4所示，本实用新型实施例提供一种半导体器件，包括半导体基体1、设置在半导体基体1下表面的负极金属膜2、以及设置在半导体基体1上表面的正极金属电极3。

正极金属电极3包括从上到下依次设置的第一au金属层31、第一pt金属层32和第一ti金属层33。其中，通过设置第一au金属层31作为半导体器件正极的外部电路接触点，通过设置第一pt金属层32能够有效阻止第一au金属层31中的au元素扩散进入到半导体基体1内部，通过设置第一ti金属层33能够与半导体基体1的上表面进行良好粘附固定。

负极金属膜2包括从下至上依次设置的第二au金属层21、第二pt金属层22和第二ti金属层23。通过设置第二au金属层21能够作为半导体器件负极的外部电路接触点，通过设置第二pt金属层22能够有效阻止第二au金属层21中的au元素扩散进入到半导体基体1内部，通过设置第二ti金属层23能够与半导体基体1的下表面进行良好粘附固定。

本实用新型实施例所述的半导体器件，正极金属电极3由au金属层、pt金属层和ti金属层这三种金属层构成，这三种金属层从上至下依次排列。负极金属膜2也由au金属层、pt金属层和ti金属层这三种金属层构成，这三种金属层从下至上依次排列。也即，正极金属电极3和负极金属膜2都是由au金属层、pt金属层和ti金属层构成的层状结构，只是构成正极金属电极3的各金属层排列顺序与构成负极金属膜2的各金属层排列顺序正好相反。

本实用新型实施例所述的半导体器件的结构设置形式，能够有效增加金属与半导体基体的接触性能，降低串阻，进而提高半导体器件的整体工作性能，同时还能够降低半导体器件的制造难度。

在本申请的实施例中，正极金属电极3可以包括一个电极本体301，也可以包括多个电极本体301。其中，电极本体301的设置数量可以根据半导体基体1上表面的尺寸大小以及实际使用需求等情况而定。

当正极金属电极3包括一个电极本体301时，该电极本体301应当能够贯通半导体基体1上表面的相对两侧边。

当正极金属电极3包括多个电极本体301时，各电极本体301相互平行，并且各电极本体301分别通过电极连接体302进行串连。也即，通过电极连接体302能够将相互平行的多个电极本体301依次连接，从而构成一个整体结构的正极金属电极3。

在本申请的具体实施例中，电极连接体302可以分别与各电极本体301相垂直。

其中，电极连接体302可以连接在各电极本体301的中部，电极连接体302也可以连接在各电极本体301的端部。

在一种具体实施例中，各电极本体301均采用长条状，各电极本体301的长度相等，而电极连接体302分别与各电极本体301的一端相连，从而使正极金属电极3形成梳齿状结构。

在一种具体实施例中，半导体基体1为正方体或长方体结构，也即，半导体基体1的上表面和下表面均为矩形结构。

其中，负极金属膜2完全覆盖设置在半导体基体1的下表面，也即负极金属膜2的横截面为矩形结构。

设定半导体基体1的上表面包括两个相对设置的第一侧边、第二侧边以及两个相对设置的第三侧边、第四侧边。电极连接体302靠近半导体基体1上表面的第一侧边，并且电极连接体302的延伸方向与第一侧边相平行。各电极本体301的一端分别与电极连接体302相连，各电极本体301的另一端分别与第二侧边相连，而且各电极本体301分别与第三侧边相平行。

在本申请的进一步实施例中，半导体基体1包括从上到下依次设置的隧道结层11、空穴提供层12、本征层13、电子提供层14和衬底层15。

在本申请的具体实施例中，隧道结层11为p型半导体层。也即，隧道结层11是由高掺杂空穴与金属接触而成的半导体结构层。

在本申请的具体实施例中，空穴提供层12为p型半导体层。也即，通过空穴提供层12来为半导体器件提供空穴。

在本申请的具体实施例中，本征层13为u型半导体层。也即，本征层13作为半导体器件的本征区域。

在本申请的具体实施例中，电子提供层14为n型半导体层。也即，通过电子提供层14来为半导体器件提供电子。

在本申请的具体实施例中，衬底层15为n型半导体层。其中，衬底层15是由gaas衬底进行si掺杂而成的半导体结构层。

综上所述，本实用新型实施例所述的半导体器件，能够有效增加金属与半导体基体的接触性能，降低串阻，进而提高半导体器件的整体工作性能，同时还能够降低半导体器件的制造难度。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本实用新型的描述中，除非另有说明，“若干”的含义是一个或多个；“多个”的含义是两个或两个以上；术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的器件或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。